Geri Dön

Geliştirme modlu galyum nitrat yüksek taşıyıcı hareketine sahip tranzistörleri kullanarak yüksek verimli yük noktası DA/DA dönüştürücü tasarımı

Design of high efficient point-of-load DC/DC converter using enhancement-mode gallium nitride high electron mobility transistors (HEMTs)

  1. Tez No: 589243
  2. Yazar: EMRE ARAS
  3. Danışmanlar: PROF. DR. UĞUR BAYSAL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 169

Özet

Bu çalışmada geliştirme modlu galyum nitrat tranzistörler kullanarak giriş gerilimi 28V çıkış gerilimi 3.3V olan, 1MHz anahtarlama frekansında 25W çıkış gücüne sahip izole olmayan yük noktası da-da dönüştürücü tasarlanmıştır. Yük noktası dönüştürücünün boyutlarını küçültüp güç yoğunluğunu arttırmak için dönüştürücü yüksek frekansta anahtarlanmıştır. Buna ek olarak dönüştürücüde yüksek verim elde etmek için yumuşak anahtarlama yöntemi kullanılmıştır. Dönüştürücüde güç topolojisi olarak yarı-kare dalga sıfır gerilim anahtarlama indirici çevirici yapısı kullanılmıştır. Yumuşak anahtarlama yapabilmek için harici rezonans pasif elemanlar kullanılmayıp, çıkış bobini ile GaN tranzistörlerin dahili çıkış kondansatörlerinin oluşturduğu L-C rezonans yapısı kullanılmıştır. Teorik olarak tasarımı ve benzetimi yapılan dönüştürücünün bir adet prototip üretimi yapılıp deney ortamında başarıyla test edilmiştir. Dönüştürücünün deneysel çalışmalarında tasarım isterleri karşılanmış olup dönüştürücüden tam yükte % 88.8 verim elde edilmiştir. Dönüştürücünün uydu uygulamalarında kullanılabilmesi için, uzay ortamındaki radyasyonun sebep olduğu toplam iyonlaşma doz etkisini görebilmek için GaN transistörlere gama ışınım testleri yapılmıştır. Radyasyonun birikme miktarına bağlı olarak tranzistörlerin kapı eşik değerlerinde azalma gözlemlenmiştir.

Özet (Çeviri)

In this study, the design of 1MHz switching frequency and 25W output power level 28 to 3.3V non-isolated point of load converter which uses enhancement mode gallium nitride transistors as switching element is realised. In order to decrease the size and increase power density of the point of load converter, the converter is switched at high frequency. Furthermore soft switching technique is used to increase the efficiency of the converter. Quasi square wave zero voltage (QSW-ZVS) indirici converter is used as power topology in the converter. To achieve soft start, the output filter inductor and output capacitances of GaN transistors are used for resonance rather than the use of discrete passive elements. A prototype of the converter that is designed theoretically and simulated, was made and tested succesfully in laboratary test setup. The design requirements of the converter were met and 88.8 % efficiency was obtained from the converter at full load. In order to use the converter in the satellite applications, the total ionization dose effects to the GaN transistors caused by the radiation in the space environment is investigated in gama radiation tests. The decrease in the gate threshold voltages of the transistors is observed based on the radiation dose amounts.

Benzer Tezler

  1. Investigation of parallel-connected GaN E-HEMT VSI-based servo drives

    Paralel bağlı GaN E-HEMT VSI tabanlı servo sürücülerin incelenmesi

    HÜSEYİN YÜRÜK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. OZAN KEYSAN

  2. MEMS sensor platform for vital monitoring under mri and intraocular pressure measurement

    Yaşamsal işaretlerin ve göz içi basıncın ölçülmesine yönelik MEMS basınç ölçer platformunun geliştirilmesi

    PARVIZ ZOLFAGHARI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ONUR FERHANOĞLU

  3. The design, implementation, and evaluation of a multi-modal online EMI Lecturer Development Program: A collaborative case study between EMI teachers and language specialists

    Çok modlu online İngilizce yüksek öğrenim kurumunda Öğretim Görevlisi Geliştirme Programının tasarımı, uygulanması ve değerlendirilmesi: EMI öğretim görevlileri ve dil uzmanları arasında yapılan işbirliğine dayalı bir vaka çalışması

    BAHAR HASIRCI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Eğitim ve ÖğretimBahçeşehir Üniversitesi

    İngiliz Dili Eğitimi Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KENAN DİKİLİTAŞ

  4. Detecting novel behavior and process improvement with multi-modal process mining

    Çok modlu süreç madenciliği ile yeni davranışın tespiti ve süreç iyileştirme

    ABDURRAHMAN TELLİ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolHacettepe Üniversitesi

    Bilgisayar Bilimleri ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AYÇA KOLUKISA TARHAN

    DR. TUĞBA GÜRGEN ERDOĞAN

  5. Integration of facility location and layout of intermodal transportation system with scheduling

    Çok modlu taşıma sistemlerinde bütünleşik tesis tasarımı ve çizelgeleme problemi

    GÜVEN KAYA

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2008

    Endüstri ve Endüstri MühendisliğiKoç Üniversitesi

    Endüstri Mühendisliği Bölümü

    DOÇ. DR. CEYDA OĞUZ

    DOÇ. DR. METİN TÜRKAY