Nitratlı fonksiyonel malzemelerin (GaN/AlN/alInN/InGaN ) mozaik kusurlarının incelenmesi
Mosaic defect investigation in the functional materials with nitrate (GaN/AlN/alInN/InGaN )
- Tez No: 376140
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MUSTAFA KEMAL ÖZTÜRK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 111
Özet
Metalorganik kimyasalbuhar biriktirmeyöntemi ile InGaN ve AlInN sırasıyla LED ve HEMT yapılar safir alttaş üzerine AlNtampon veGaNepi tabaka olarak büyütüldü. İndiyumartışı altında 5x (InGaN / GaN) Çoklu Kuantum Kuyusu(MQW) LED ve AlInN/AlN/GaN HEMT yapısalözelliği yüksek çözünürlüklüX-Işını kırınımı ile çalışıldı. Hall Etkileri (HALL), Atomik KuvvetMikroskopi (AFM) ve Fourier Dönüşümlü Kızılötesi Spektroskopisi (FTIR) sonuç parametreleri ile yapısal sonuçlar karşılaştırıldı. In katkılanma oranına bağlı olarak InGaN LED ve AlInN HEMT yapılarının mozaik kusurlarını ayrıntılı olarak inceledi. LED yapının her iki AlN ve GaN tabakaların HRXRD ölçüm sonuçları indinyum oranı ile monomatik olarak değişmektedir. Fakat bu tabakaların bazı kusur özellikleri bir biri ile ters davranış özelliği göstermektedir. Ayrıca HRXRD ölçümlerde bazı numunelerin kristalize özelliği iyi seviyede olmadığı için miller düzlemlerin bir kaçı iyi gözlenmemektedir. Buna rağmen AlInN yapının kusur özelliği her üç örneğin (00.4) miller düzleminin HRXRD pik yarı genişliğinden (0,20, 0,35 ve 0,16 derece) kusur özelliği basit olarak takip edildi. AlInN da yarı genişlik değerlerin artıp azalması GaN ve AlN?ın uyumluğu ile benzerdir. HEMT yapıda HRXRD sonuçlarından aktif tabakanın yanal ve dik mozaik blok uzunlukları, eğilme ve burkulma açısı, karışık zorlama (strain) değerleri In oranı ile monoton bir davranış gösterir. AFM sonuçları filimlerin yüzey morfomolojisi In oranına bağlıdır. In oranı artarken örneklerin yüzey morfolojisi stepli durumdan ada benzeri bir yapıya dönüşmektedir. Aktif tabakanın FTIR ve PL sonuçları HRXRD mosaik kusur özellikleri ile uyumludur. Sonuç olarak AlN ve GaN tabakaların mozaik kusur yapıları InGaN MQW LED ve AlInN HEMT? in mozaik kusur yapıları ile aynı eğilime ve temsiline sahiptir.
Özet (Çeviri)
With the metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, InGaN and AlInN, respectively LED and HEMT structures, were grown on sapphire subtrate as AIN buffer and GaN epi-layer. Under In increase, 5x (InGan / GaN) Multi-Quantum Well (MQW) LED and AlInN/AlN/GaN HEMT structural features were studied with high resolution X-Ray Diffraction (HRXRD) and structural results were compared with result parameters of Hall Impacts (HALL) and atomic force microscopy (AFM) and Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR).We, depending on the In implementation rates, scrutinized the mosaic defects of AlN or GaN wing, GaN buffer and InGaN active layers in these structures in detail. The HRXRD measurement results of LED structure of both AlN and GaN layers vary monomatically with Indium rates. But some defect properties of these layers show opposite-to-each-other behavior. Moreover, because crystallization property is not in good level in HRXRD measurements, a few of the miller planes are not observed. However, AlInN structural defect property can be simply followed from the HRXRD peak half width (0,20, 0,35 and 0,16 degree) of every three miller plane samples (0.04). The increase and decrease in AlInN half-width figures is similar to GaN and AlN compliance. The lateral and vertical lengths of active layer of the HRXRD results in HEMT structure, bending and twist angles and mixed strain figures are monotonically affected by In rates. AFM results depend on In rates of surface morphology of the layers. While In rates are at increase, the surface morphology of the samples change from a terraced structure into island-like structure. The FTIR and PL results of active layer are compatible with HRXRD mosaic defect properties. As a result, the mosaic defect structures of AlN and GaN structures have the same tendency and representation of InGaN MQW LED and AlInN HEMT.
Benzer Tezler
- Polimer içerikli membranlarda makrosiklik taşıyıcılar kullanılarak bazı metal katyonlarının taşınım özelliklerinin incelenmesi
Investigation of transport properties some metal cations polymer inclusion membrane using macrocyclic carriers
AYŞE UĞUR
- Farklı kaynaklardan Bacillus ssp. izolasyonu, probiyotik karakterizasyonu ve fonksiyonel jelly şekerleme üretiminde kullanımı
Isolation of Bacillus spp. from different sources, probiotic characterization and use in functional jelly candy production
BURCU KAHRAMAN
Doktora
Türkçe
2024
Gıda MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiGıda Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHAMMET ARICI
- Geleneksel fermente sucuklardan izole edilen mayaların tanımlanması, teknolojik ve fonksiyonel özelliklerinin belirlenmesi ve sucuk üretimine uygun izolatların seçilmesi
Identification of the yeasts isolated from traditional fermented turkish sausage sucuk, determination of their technological and functional properties and selection of favorable isolates for the sucuk production
İSMET ÖZTÜRK
Doktora
Türkçe
2013
Gıda MühendisliğiErciyes ÜniversitesiGıda Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. OSMAN SAĞDIÇ
- Sucukta sodyum nitrite alternatif olarak nar çekirdek yağının kullanılma olanakları
Possibilities of using pomegranate seed oil as an alternative to sodium nitrite in sucuk
ŞULE AZİME YENİÇERİ
Doktora
Türkçe
2021
Gıda MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiGıda Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERDOĞAN KÜÇÜKÖNER
- High internal phase emulsion template method for fast and selective mercury adsorption
Hızlı ve seçici civa adsorpsiyonu için yüksek iç faz emülsiyon şablon yöntemi
MELİS ŞEVAL YILDIRIM
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik ÜniversitesiPolimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ERDEM YAVUZ