N-GaSb/n-GalnAsSb/N-GaAlAsSb izotip heteroyapıların elektrik ve fotoelektrik özelliklerinin incelenmesi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 168198
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Uludağ Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 155
Özet
ÖZET Bu tez çalışmasında, izotip N-GaSb/n-GalnAsSb/N-GaAIAsSb çift heteroyapıların elektrik ve fotoelektrik özellikleri incelenmiştir. Bilindiği gibi, heteroeklem tipleri üç çeşittir: I.tip iç içe bant düzenli sistem, Il.tip basamak bant düzenli sistem ve Il.tip ayrılmış bant düzenli sistem. I.tip iç içe bant düzenli sisteme sahip heteroklemlerde dar bantlı yarıiletkenin iletkenlik ve valans bantları, geniş bantlı yarıiletkenin bant aralığının içinde bulunur. AEC ile AEr bant kırılmaları zıt işaretlere sahiptir. Il.tip heteroeklem- ler, iki farklı çeşitli bant düzeni gösterebilir. Il.tip basamaklı sistemde (araştırması yapılan izotip çift heteroyapı bu sisteme sahip), yarıiletkenin iletkenlik ve valans bandından biri, diğer yarıiletkenin bant aralığının dış tarafinda bulunur ve bant kırılmaları aynı işarete sahiptir. GaSb/InAs sisteminde, dar bantlı yarıiletkenin iletkenlik ve valans bantlarının her ikisi de geniş bantlı yarıiletkenin yasak bant aralığının dışmda bulunduğu eklemler, Il.tip ayrılmış bant düzenli heteroeklemleri oluştururlar. Bu araştırmada ele aldığımız izotip heteroyapılardaki karanlık akım mekanizmaları çeşitli sıcaklıklarda incelenmiştir. 90-300 K sıcaklık aralıklarında incelenmiş olan izotip heteroyapılar, doğrultucu özellik göstermektedir. Deneysel ve teorik sonuçların karşılaştırılması göstermektedir ki düşük sıcaklık bölgesinde akım akışının tünel mekanizması her iki yönde beslemede (iletim ve tıkama yönü) de baskın gelmektedir. İzotip N-GaSb/n-GalnAsSb/N-GaAIAsSb çift heteroyapılann spektral karak teristiği de incelenmiş olup iletim ve tıkama yönündeki fotoakım yükselmelerine bakılmıştır. Il.tip basamak bant düzenli çift heteroyapılarla ilgili bu tez çalışmasının bir orijinal çalışma olduğu söylenebilir. Çünkü bu tezde ilk kez izotip N-GaSb/ n-GalnAsSb/N-GaAlAsSb çift heteroyapıların elektrik ve fotoelektrik özellikleri incelenmiştir.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT The electrical and photelectrical properties of isotype N-GaSb/n-GalnAsSb/ N-GaAlAsSb double heterostructures were investigated. There are three types of heterojunctions. Type I, nested band alignment, type II, staggered band alignment and type II, broken gap alignment. In type I heterojunctions the conduction and the valence bands of the narrow-gap semiconductor are nested within the bandgap of the wide-gap material, and the band offsets AEC and AEV have opposite signs. Type II heterojunctions can demonstrate two different kinds of band alignment. In a staggered type II system (this system has been investigated) one of the conduction or the valence band of the semiconductor lies outside the bandgap of the other material, and the band offsets have the same sign. At large band offsets a broken gap alignment will be formed in type II heterojunctions, when neither the conduction band nor the valence band of the narrow-gap semiconductor is located within the bandgap of the wide-gap material, as occurs in the GaSb/InAs system. The dark current mechanisms in the isotype heterostructures were investigated at several temperatures. It is shown that a type II staggered heterojunction can behave as Schottky diyotes and the dark current-voltage (I-V) characteristics of this isotype heterostructures were rectifying over the whole temperature range 90-300 K. The qualitative comparison of experimental results with theory shows that, in the low temperature region the tunneling mechanism of the current flow dominates in both, forward and reverse biases. The spectral characteristics of isotype N-GaSb/n-GalnAsSb/N-GaAlAsSb double heterostructures and photocurrent amplifications were also investigated at forward and reverse applied biases. It can be said that this thesis about type II staggered heterojunctions is an unique study. Because the electrical and photoelectrical properties of isotype N-GaSb/ n-GalnAsSb/N-GaAIAsSb double heterostructures were investigated firstly in this thesis.
Benzer Tezler
- Dar bantlı gainassb termofotovoltaik yapıların elektrik ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical and optical properties of low bandgap gainassb thermophotovoltaic structures
BANU KUCUR EFENDİ
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU
- MBE ile büyütülen Tip-II süperörgü tabanlı InAs/AlSb/GaSb dedektör yapısının yapısal karakterizasyonu
Structural characterization of Type-II superlattice-based InAs/AlSb/GaSb detector structure growth with MBE
KÜRŞAT KIZILKAYA
Doktora
Türkçe
2024
Savunma ve Savunma TeknolojileriGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-tipi GaSb yarı iletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri
The temperature dependent electron and magnetotransport in Te doped n-type GaSb grown by LEC
BİRGÜL YASEMİN IŞIK
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. MEHMET KASAP
- GaSb/InAs süperörgü sistemlerinde karanlık akım hesaplamaları
Dark current analysis in GaSb/InAs superlattice structures
HAKAN MUTLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- N yapılı InAs/AlSb/GaSb kızılötesi süperörgü dedektörlerin test piksel ve odak düzlem dizin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
Test pixel and focal plane array fabrication and characterization of N-structure InAs/AlSb/GaSb infrared superlattice detectors
SEVAL ŞAHİN
Doktora
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN