GaSb/InAs süperörgü sistemlerinde karanlık akım hesaplamaları
Dark current analysis in GaSb/InAs superlattice structures
- Tez No: 295589
- Danışmanlar: PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 74
Özet
Bu tezde GaSb/InAs süperörgü yapılarında etkin band aralığının, elektron minibandının kuyu ve bariyer katman kalınlıklarına bağlı olarak değişimi ve GaSb/InAs süperörgü sistemi için karanlık akımın düşük geri besleme durumları için voltaja bağlı nasıl değiştiği ele alınmıştır. Kalınlık hesaplamalarında Kronig-Penney modeli esas alınarak Mathematica paket programında hazırlanan kodlar vasıtasıyla band enerjileri elde edilmiştir. Ayrı ayrı, GaSb ve InAs kalınlıkları değiştirilerek kesilim dalgaboyu ve etkin band genişliğinin değişimi incelenmiştir. Daha sonra da sonuçların literatürle uyumlu olup olmadığı araştırılmıştır. GaSb/InAs yapının n ve p tipi katkılanması sonucu elde edilen PN eklemine geri besleme voltajı uygulandığı durumda karanlık akıma etki eden mekanizmalar açıklanmış ve karanlık akımın düşük geri besleme voltajı altında voltaja bağlı değişimi incelenmiştir.
Özet (Çeviri)
In this thesis, we searched that how effective band gap and electron miniband gap change with related to well and barrier layer thickness and dark current which under low reserve bias conditions is discussed for how to change with the voltage dependent for GaSb/InAs superlattice structure. Band energies are obtained with using the codes which prepared in the Mathematica software based on Kronig-Penney model for thickness calculations. Separetaly, cut off frequency and effective band gap changes are investigated by changing the GaSb and InAs thickness. Afterwards, we searched that if the results are compatable with literature. PN junction, which is occur as a result of doping GaSb/InAs structure with n type and p type, explained on which mechanisms impact to dark current and dark current change studied for low reserve bias voltages.
Benzer Tezler
- Band modelling of N-type superlattice detector systems with using empirical pseudopotential method
Empirical pseudopotentıal metodu kullanılarak N-tipi süperörgü dedektör sistemlerinin band modellemesi
KAZIM AKEL
Doktora
İngilizce
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- GaSb/InAs süperörgülerinde optik destekli elektron-deşik yaratılması ve Matlab'da benzeşimi
Electron hole generation in GaSb/InAs superlattice by optically and implementation in Matlab
UTKU KAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAnadolu Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- GaSb/InAs tip-II süperörgülerde elektron-deşik etkileşmeleri
Electron hole interactions in GaSb/InAs type-II superlattices
TUĞBA ERTEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- Dark current control in InAs/GaSb superlattice photodetectors
InAs/GaSb süperörgü fotodedektörlerde karanlik akim kontrolü
ABDULLAH MUTİ
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI
- InAs/GaSb tip-II süperörgü kızılötesi fotodedektör yapıların MBE tekniği ile GaSb ve GaAs alttaşlar üzerine büyütülmesi
Growth of InAs/GaSb Type-II superlattice infrared photodetector structures on GaSb and GaAs substrates by MBE technique
BÜLENT ARIKAN
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN