Geri Dön

LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-tipi GaSb yarı iletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri

The temperature dependent electron and magnetotransport in Te doped n-type GaSb grown by LEC

  1. Tez No: 156013
  2. Yazar: BİRGÜL YASEMİN IŞIK
  3. Danışmanlar: DOÇ.DR. MEHMET KASAP
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2004
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 86

Özet

LEC TEKNİĞİ İLE BÜYÜTÜLEN Te KATKILI n-TIPI GaSb YARIİLETKENİNDE SICAKLIK BAĞIMLI MANYETİK VE ELEKTRON İLETİM ÖZELLİKLERİ (Yüksek Lisans Tezi) Birgül Yasemin IŞIK GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Aralık 2004 ÖZET LEC tekniği ile büyütülen n-tipi Te katkılı GaSb numunesinde, manyetik alan bağımlı özdircnç ve Hail etkisi ölçümleri 35 - 350K sıcaklık aralığında yapıldı. Sıcaklık bağımlı özdirenç ölçümleri kuvvet modeli kullanılarak analiz edildi. Manyetik özdirenç ölçümleri klasik manyetik özdirenç modeli ile analiz edildi ve bireysel taşıyıcıların manyetik özdirenç katsayısına etkileri araştırıldı. Manyetik alan bağımlı özdirenç ve Hail ölçümleri 'nicel mobilite spektrum analiz' (QMSA) tekniği ile analiz edildi. Sıcaklık bağımlı bireysel bant parametreleri (\ır, \iu Hağır deşik» Hhafif deşik» nr, nL, pağır deşik ve phafif deşik), Eg ve r ve L vadileri arasındaki enerji farkı hesaplandı. Bilim Kodu : 404.03.01 Anahtar Kelimeler : GaSb, Hall Mobilitesi, QMSA, elektron iletimi, manyetik özdirenç Sayfa Adedi : 78 Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Mehmet KASAP

Özet (Çeviri)

11 THE TEMPERATURE DEPENDENT ELECTRON AND MAGNETOTRANSPORT IN Te DOPED n-TYPE GaSb GROWN BY LEC (M. Sc. Thesis) Birgül Yasemin IŞIK GAZI UNIVERSITY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY December 2004 ABSTRACT Magnetic field dependent (0-1.35 T) resistivity and Hall effect measurement in n-type Te-doped GaSb grown by LEC technique were carried out in temperature a range 35-350 K. The temperature dependent resistivity data were also analyzed using the power law. Magnetoresistivity theory and the effect of the individual carriers on the magnetoresistivity coefficient were investigated. The magnetic field dependent resistivity and Hall data have also been analyzed using 'the quantitative mobility spectrum analysis' technique. Temperature dependent individual band parameter (ur, u.l, Hheavy hole, Wight hole, nr, nL, pheavy hole and piight hole), Eg and the energy difference between T and L valleys were determined. Science Code Key Words Page number Adviser 404.03.01 GaSb, Hall mobility, QMSA, electron transport, magnetoresistivity 78 Doç. Dr. Mehmet KASAP

Benzer Tezler

  1. LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-Tipi InSb yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri

    The temperature dependent electron and magneto transport properties in Te doped n-Type InSb grown by LEC

    ÜMİT YURDUGÜL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET KASAP

  2. LEC tekniği ile büyütülen bulk InAs yarıiletkenin magneto ve elektron iletim özellikleri

    Magneto and elektron conductivity properties of bulk inas semiconductor, processed with LEC technique

    NİYAZİ KEREM ÇELİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. MEHMET KASAP

  3. LEC tekniği ile büyütülen Zn katkılı InAs yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri

    The temperature dependent electron and magnetotransport in Zn doped InAs grown by LEC

    İLKER KARA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET KASAP

  4. GaP/metal Schottky diyotunun hazırlanması ve elektronik özelliklerinin incelenmesi

    Preporation of GaP/metal Schottky diode and investigation of electronic properties

    SEVİL EROL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. FETHİ DAĞDELEN

  5. GaAs ve InP yarıiletkenlerde elektriksel karakterizasyon

    Electrical characterization in GaAs and InP

    SELİM ACAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET KASAP