LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-tipi GaSb yarı iletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri
The temperature dependent electron and magnetotransport in Te doped n-type GaSb grown by LEC
- Tez No: 156013
- Danışmanlar: DOÇ.DR. MEHMET KASAP
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2004
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 86
Özet
LEC TEKNİĞİ İLE BÜYÜTÜLEN Te KATKILI n-TIPI GaSb YARIİLETKENİNDE SICAKLIK BAĞIMLI MANYETİK VE ELEKTRON İLETİM ÖZELLİKLERİ (Yüksek Lisans Tezi) Birgül Yasemin IŞIK GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Aralık 2004 ÖZET LEC tekniği ile büyütülen n-tipi Te katkılı GaSb numunesinde, manyetik alan bağımlı özdircnç ve Hail etkisi ölçümleri 35 - 350K sıcaklık aralığında yapıldı. Sıcaklık bağımlı özdirenç ölçümleri kuvvet modeli kullanılarak analiz edildi. Manyetik özdirenç ölçümleri klasik manyetik özdirenç modeli ile analiz edildi ve bireysel taşıyıcıların manyetik özdirenç katsayısına etkileri araştırıldı. Manyetik alan bağımlı özdirenç ve Hail ölçümleri 'nicel mobilite spektrum analiz' (QMSA) tekniği ile analiz edildi. Sıcaklık bağımlı bireysel bant parametreleri (\ır, \iu Hağır deşik» Hhafif deşik» nr, nL, pağır deşik ve phafif deşik), Eg ve r ve L vadileri arasındaki enerji farkı hesaplandı. Bilim Kodu : 404.03.01 Anahtar Kelimeler : GaSb, Hall Mobilitesi, QMSA, elektron iletimi, manyetik özdirenç Sayfa Adedi : 78 Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Mehmet KASAP
Özet (Çeviri)
11 THE TEMPERATURE DEPENDENT ELECTRON AND MAGNETOTRANSPORT IN Te DOPED n-TYPE GaSb GROWN BY LEC (M. Sc. Thesis) Birgül Yasemin IŞIK GAZI UNIVERSITY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY December 2004 ABSTRACT Magnetic field dependent (0-1.35 T) resistivity and Hall effect measurement in n-type Te-doped GaSb grown by LEC technique were carried out in temperature a range 35-350 K. The temperature dependent resistivity data were also analyzed using the power law. Magnetoresistivity theory and the effect of the individual carriers on the magnetoresistivity coefficient were investigated. The magnetic field dependent resistivity and Hall data have also been analyzed using 'the quantitative mobility spectrum analysis' technique. Temperature dependent individual band parameter (ur, u.l, Hheavy hole, Wight hole, nr, nL, pheavy hole and piight hole), Eg and the energy difference between T and L valleys were determined. Science Code Key Words Page number Adviser 404.03.01 GaSb, Hall mobility, QMSA, electron transport, magnetoresistivity 78 Doç. Dr. Mehmet KASAP
Benzer Tezler
- LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-Tipi InSb yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri
The temperature dependent electron and magneto transport properties in Te doped n-Type InSb grown by LEC
ÜMİT YURDUGÜL
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET KASAP
- LEC tekniği ile büyütülen bulk InAs yarıiletkenin magneto ve elektron iletim özellikleri
Magneto and elektron conductivity properties of bulk inas semiconductor, processed with LEC technique
NİYAZİ KEREM ÇELİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. MEHMET KASAP
- LEC tekniği ile büyütülen Zn katkılı InAs yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri
The temperature dependent electron and magnetotransport in Zn doped InAs grown by LEC
İLKER KARA
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET KASAP
- GaP/metal Schottky diyotunun hazırlanması ve elektronik özelliklerinin incelenmesi
Preporation of GaP/metal Schottky diode and investigation of electronic properties
SEVİL EROL
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. FETHİ DAĞDELEN
- GaAs ve InP yarıiletkenlerde elektriksel karakterizasyon
Electrical characterization in GaAs and InP
SELİM ACAR
Doktora
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET KASAP