Growth and characterization of group III-V nanostructures on Si substrates by MBE
Si alttaş üzerine III-V grubu nanoyapilarin MBE tekniğiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu
- Tez No: 590804
- Danışmanlar: DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN, PROF. DR. MEHMET ALİ GÜLGÜN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Eskişehir Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 133
Özet
Bu çalışmada, moleküler demet epitaksi sistemi ile III-V grubu epi-katman ve nanoyapılar Si (100) alttaş üzerine büyütüldü. Sb tabanlı aygıtlar için kullanılan GaSb alttaş yerine Si alttaş üzerine büyütülen GaSb epi-katmanların yüzey pürüzlülüğü, kristal kalitesi, kusur yoğunluğu ve optik özellikleri incelendi. Kristal kalitesini iyileştirmek adına çeşitli büyütme yöntemleri uygulandı ve elde edilen sonuçlar karşılaştırmalı olarak değerlendirildi. Ayrıca örgü uyumsuzluğundan kaynaklanan kusur oluşumlarını indirgemek için farklı özellikte Si alttaşlar kullanıldı ve sonuçları incelendi. Düşük boyutta fonksiyonel aygıtlar için önemli olan Si (111) alttaş üzerine GaAs nanoteller büyütüldü ve elektron mikroskobu tekniği ile büyütme parametrelerinin GaAs nanotel morfolojisine etkisi araştırıldı. Tüm çalışmada büyütülen örnekler, atomic kuvvet mikroskobu, yüksek çözünürlüklü X-ışını kırınımı, fotolüminesans, ve elektron mikroskobu gibi tekniklerle detaylı olarak analiz edildi ve sonuçları sunuldu.
Özet (Çeviri)
Group III-V epilayers and nanostructures were grown on Si (100) substrates by molecular beam epitaxy. GaSb buffer layers on Si substrates to serve as a replacement of GaSb substrate for the Sb-based devices in the long term were investigated in terms of the surface roughness, crystal quality, defects and optical properties. Various growth treatments were carried out to enhance the GaSb epilayer quality and the obtained results were evaluated comparatively. In addition to the nominal substrates vicinal ones were used as well to minimize the common defects observed in lattice mismatch epitaxial growth. GaAs nanowires (NWs) on Si (111) substrates to be used as low dimensional functional devices were grown and the effect of growth parameters on the morphology of NWs were investigated in detail by electron microscopes. Throughout the study the grown samples were deeply analyzed by various characterization tools such as atomic force microscopy, high resolution X-ray diffraction, photoluminescence spectroscopy, scanning electron microscope and transmission electron microscope.
Benzer Tezler
- Synthesis & characterization of CdSe/ZnS quantum dots
CdSe/ZnS kuantum noktalarının sentezi ve karakterizasyonu
HAKAN AYDIN
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HİLMİ ÜNLÜ
- Fabrication and characterization of thin-film GaAs solar cells peeled-off from Si substrates
Si alttaş üzerinden kaldırılan ince film GaAs güneş hücrelerinin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
ALİ BÜYÜKPINAR
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA KULAKCI
- InP tabanlı kuantum kuyulu kızılötesi dedektör dizinlerinin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of InP based quantum well infrared detector arrays
TOLGA YELBOĞA
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiNanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
PROF. RECAİ ELLİALTIOĞLU
- III-V grubu güneş hücre yapılarının epitaksiyel büyütülmesi ve karakterizasyonu
Epitaxial growth and characterization of III-V group solar cell structures
BARIŞ KINACI
Doktora
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- GaAsP/GaP yarıiletken yapılarının si üzerine epitaksiyel büyütülmesi ve karakterizasyonu
Epitaxial growth and characterization of GaAsP/GaP on si
EMRE PİŞKİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK