Geri Dön

InGaAs/GaAs süperörgü yapılarının moleküler demet epitaksi (MBE) tekniğiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu

Growth and characterization of InGaAs / GaAs super lattice structures grown via molecular beam epitaxy (MBE)

PDF İndir

  1. Tez No: 360634
  2. Yazar: HALİL İBRAHİM EFKERE
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. TUNCAY KARAASLAN, PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: MBE, HR-XRD, Elipsometri, Fotolüminesans, InGaAs, GaAs, Gazi FOTONİK, MBE, HR-XRD, Elipsometry, Photoluminescence, InGaAs, GaAs, Gazi FOTONİK
  7. Yıl: 2013
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Erciyes Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
  12. Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 77

Özet

Yarıiletken malzemeler 1940'lardan beri araştırılmakta ve bu araştırmalar sonucunda geliştirilen elektronik araçlar günlük hayatımızda, askeri ve uzay teknolojisinde kullanılmaktadır. Elektronik ürünlerinde kullanılan transistörler, doğrultucu diyotlar gibi güneş pilleri de, yarıiletken malzemelerden yapılırlar. Doğada saf olarak bulunmayan yarıiletken ince filmler yapay tekniklerle üretilebilmektedir. Bu tekniklerin günümüzde yaygın olarak kullanılanları; Buhar Faz Epitaksi (VPE), Kimyasal Buhar Birikimi (CVD) ve Moleküler Demet Epitaksi (MBE) şeklinde sıralanabilir. Tez çalışmamızda Gazi Üniversitesi Fotonik Uygulama ve Araştırma Merkezi (Gazi FOTONİK) bünyesinde bulunan Türkiye'nin en gelişmiş ve en donanımlı sistemi olan Moleküler Demet Epitaksi-VG80H kullanılmıştır. Bu yöntemi diğer büyütme yöntemlerinden üstün kılan özellikler katkı konsantrasyonunun belirlenmesi, büyütme sırasında yüzeyin kontrol edilmesi, çevreye zararlı maddelerin yayılmaması ve kalınlık hassasiyetinin ayarlanmasının oldukça ileri düzeyde oluşturulabilmesidir. Tez çalışmamızda elektronik ve optoelektronik cihazların yapımında kullanılabilecek olan III-V yarıiletkeninden GaAs ve üçlü yarıiletkenden InGaAs çoklu kuantum yapısı MBE tekniği kullanılarak büyütüldü. Büyütülen bu malzemenin X ışını kırınımı (HR-XRD), elipsometre, fotolüminesans (PL) teknikleri kullanılarak yapısal ve optiksel özellikleri incelendi.

Özet (Çeviri)

Semiconductor materials developed since the 1940s as a result of this research study, and electronic gadgets in our daily lives, are used in military and space technology. Transistors used in electronic products, such as rectifier diodes in solar cells, made from semiconductor materials. Not found in nature as a pure semiconductor thin films can be produced artificially techniques. These techniques are widely used today; Vapor Phase Epitaxy (VPE), Chemical Vapour Deposition (CVD) and Molecular Beam Epitaxy (MBE) are listed in the form. The thesis study, Gazi University Photonics Research Center (Gazi FOTONİK) equipped with an on-site system is the most developed and the most used in the Molecular Beam Epitaxy-VG80H. Contribute to the characteristics that make this method superior to other methods of determining the concentration of enlargement, enlargement of the surface during the control and the spread of harmful substances in the environment and adjusting the sensitivity of thickness to form a fairly advanced level. In our thesis, which can be used in making electronic and optoelectronic devices, semiconductors GaAs and InGaAs multiple quantum structure grown using the MBE technique. Magnified this material, X-ray diffraction (HR-XRD), elipsometer, photoluminescence (PL) techniques were evaluated for the structural and optical properties.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    166075

    InxGa1-xAs(GaAs (x=0,15) süperörgüsünün MBE ile büyütülmesi ve elektriksel-yapısal özelliklerinin belirlenmesi

    Determination of electrical and structural properties of InxGa1-xAs(GaAs (x=0,15) superlattice grown by MBE

    BEYZA SARIKAVAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK

  2. Tez No

    639904

    Yüksek verimli ince film güneş hücresi uygulamaları için GaAs epikatmanların si alttaş üzerine büyütülmesi

    Growth of GaAs epilayers on si substrate for high efficiency thin film solar cell application

    MUHAMMED AKTAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    EnerjiEskişehir Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA KULAKCI

  3. Tez No

    673285

    Electrıcal characterısatıon of InGaAs/GaAs quantum well and graphene semıconductor structures

    InGaAs/GaAs kuantum kuyusu ve grafen yarıiletken yapıların elektriksel karakterizasyonu

    ADAL. AB. MA. RAJHI ADAL. AB. MA. RAJHI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYŞE EROL

  4. Tez No

    75768

    Electrical characterization of GaInP/InGaAs/GaAs modulation doped field effect transistor structures

    GaInP/InGaAs/GaAs modüle katkılı alan etkili transistör yapılarının elektriksel karakterizasyonu

    YAVUZ CİVAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1998

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ

  5. Tez No

    323005

    InGaAs/InP ve InGaAs/GaAs kuantum kuyulu güneş hücrelerinin üretimi ve karakterizasyonu

    The fabrication and characterization of InGaAs/InP ve InGaAs/GaAsquantum well solar cells

    KÜRŞAT KIZILKAYA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Bilim ve TeknolojiGazi Üniversitesi

    Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK

Geri Dön