InAlGaAs/GaAs kuantum kuyu lazerinin akım-gerilim ve ışıma özelliklerinin incelenmesi
Investigating current-voltage and luminescence properties of InAlGaAs/GaAs quantum well laser
- Tez No: 169843
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ASİYE ULUĞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2004
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Akdeniz Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 70
Özet
ÖZET InAlGaAs/GaAs KUANTUM KUYU LAZERİNİN AKIM-GERILIM VE IŞIMA ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ Melek TUNCAY KARABULUT Yüksek Lisans Tezi, Fizik Anabilim Dalı Danışman: Doç. Dr. Asiye ULUĞ Mayıs 2004, 57 Sayfa Bu çalışmada periyodik tablodaki III-V grubu elementlerinden oluşan ve metal organik kimyasal buhar çökeltmesi (MOCVD) yöntemiyle büyütülmüş, tek kuantum kuyulu rno.09Alo.17Gao.85As/GaAs yapısındaki lazerin oda sıcaklığında akım-gerilim (I-V), elektrolüminesans (EL) ve optik güç-akım (L-I) özellikleri incelenmiştir. I-V ölçümleri sonucunda kuantum kuyu lazerinin eşik gerilimi 0.85 V olarak bulunmuş ve seri direnci 11.65 Q olarak hesaplanmıştır. EL ölçümleri ile lazerin 807 nm dalgaboyunda ışıma yaptığı belirlenmiştir. L-I ölçümlerinden ise eşik akımı 140.8 mA ve türevsel kuantum verimi % 22 olarak elde edilmiştir. ANAHTAR SÖZCÜKLER : Kuantum kuyu lazerleri, InAlGaAs/GaAs. JÜRİ : Doç. Dr. Asiye ULUĞ (Danışman) Yrd. Doç. Dr. Şerafettin YALTKAYA Prof. Dr. Ertuğrul ARPAÇ
Özet (Çeviri)
ABSTRACT INVESTIGATING CURRENT- VOLTAGE AND LUMINESCENCE PROPERTIES OF InAlGaAs/GaAs QUANTUM WELL LASER Melek TUNCAY KARABULUT M. Sc. in Physics Adviser: Assoc. Prof. Dr. Asiye ULU? May 2004, 57 Pages In this work, current-voltage (I-V), electroluminescence (EL), optical power- current (L-I) properties of Ino.09Alo.17Gao.85As/GaAs single quantum well laser that is the alloy of III-V group of periodical table were investigated at room temperature. The structure was grown by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD). At the results of I-V measurements, the threshold voltage of quantum well laser was found to be 0.85 V and the serial resistance was calculated 1.65 Q. Emission wavelength was determined around 807 nm with EL measurements. Threshold current was obtained 140.8 mA and differential quantum efficiency was calculated % 22 from L-I measurements. KEY WORDS : Quantum well laser, InAlGaAs/GaAs. COMMITTEE : Assoc. Prof. Dr. Asiye ULU? (Adviser) Asst. Prof. Dr. Şerafettin YALTKAYA Prof. Dr. Ertuğrul ARPAÇ 11
Benzer Tezler
- GaAs/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularının TEM (geçirimli elektron mikroskobu) ile analizi
Characterization of GaAs/AlGaAs quantum wells with TEM (transmission electron microscopy) techniques
TUĞÇE KARAKULAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
- Fabrication and characterization of SWIR/eSWIR dual-band nBn InGaAs focal plane arrays
Çift bantlı KDK/gKDK nBn InGaAs odak düzlem dizinlerinin üretilmesi ve karakterize edilmesi
MUSA SELİM GÜL
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SERDAR KOCAMAN
- Optimization, fabrication, and characterization of dual-band InGaAs NBN photodetectors
Çift bantlı InGaAs NBN fotoalgılayıcıların optimizasyonu, üretimi ve karakterizasyonu
ALPER ŞAHİN
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SERDAR KOCAMAN
- Optik haberleşmede kullanılan mikro kovuklu lazerlerin aktif bölge alaşımlarının elektriksel ve optik özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
Tempereture dependent investigation of electrical and optical properties of micro cavity lasers' active region alloys for fiber optic comunications
MÜKREMİN YILMAZ
Doktora
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiAkdeniz ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BÜLENT ULUĞ
- AlGaAs yarıiletken bileşiğinde elektron taşınım özelliklerinin monte carlo simulasyonu ile incelenmesi
Investigation of electron transport properties in AlGaAs semiconductor compound by monte carlo simulation
TUNA ÖZKAR
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA AKARSU