InAlGaAs/GaAs kuantum kuyu lazerinin akım-gerilim ve ışıma özelliklerinin incelenmesi
Investigating current-voltage and luminescence properties of InAlGaAs/GaAs quantum well laser
- Tez No: 169843
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ASİYE ULUĞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Kuantum kuyu lazerleri, Quantum well laser
- Yıl: 2004
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Akdeniz Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET InAlGaAs/GaAs KUANTUM KUYU LAZERİNİN AKIM-GERILIM VE IŞIMA ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ Melek TUNCAY KARABULUT Yüksek Lisans Tezi, Fizik Anabilim Dalı Danışman: Doç. Dr. Asiye ULUĞ Mayıs 2004, 57 Sayfa Bu çalışmada periyodik tablodaki III-V grubu elementlerinden oluşan ve metal organik kimyasal buhar çökeltmesi (MOCVD) yöntemiyle büyütülmüş, tek kuantum kuyulu rno.09Alo.17Gao.85As/GaAs yapısındaki lazerin oda sıcaklığında akım-gerilim (I-V), elektrolüminesans (EL) ve optik güç-akım (L-I) özellikleri incelenmiştir. I-V ölçümleri sonucunda kuantum kuyu lazerinin eşik gerilimi 0.85 V olarak bulunmuş ve seri direnci 11.65 Q olarak hesaplanmıştır. EL ölçümleri ile lazerin 807 nm dalgaboyunda ışıma yaptığı belirlenmiştir. L-I ölçümlerinden ise eşik akımı 140.8 mA ve türevsel kuantum verimi % 22 olarak elde edilmiştir.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT INVESTIGATING CURRENT- VOLTAGE AND LUMINESCENCE PROPERTIES OF InAlGaAs/GaAs QUANTUM WELL LASER Melek TUNCAY KARABULUT M. Sc. in Physics Adviser: Assoc. Prof. Dr. Asiye ULU? May 2004, 57 Pages In this work, current-voltage (I-V), electroluminescence (EL), optical power- current (L-I) properties of Ino.09Alo.17Gao.85As/GaAs single quantum well laser that is the alloy of III-V group of periodical table were investigated at room temperature. The structure was grown by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD). At the results of I-V measurements, the threshold voltage of quantum well laser was found to be 0.85 V and the serial resistance was calculated 1.65 Q. Emission wavelength was determined around 807 nm with EL measurements. Threshold current was obtained 140.8 mA and differential quantum efficiency was calculated % 22 from L-I measurements.
Benzer Tezler
- GaAs-AlxGa1-xAs heteroyapı ve çoklu kuantum kuyu IR fotodedektörün elektro-optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the electro-optic features of GaAs-AlxGa1-xAs heterostructure and multiple quantum well IR photodetector
ASLAN TÜRKOĞLU
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- GaAS/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularında karanlık akım hesapları
Darkcurrent calculatıons ın Gaas/AlGaAs quantum wells
YALÇIN KITAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. HASAN YILDIRIM
- GaAs/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularının optiksel ve elektriksel karakterizasyonu
Optical and electrical characterization of GaAs/AlGaAs quantum wells
HÜLYA KURU
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
- GaAs/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularının TEM (geçirimli elektron mikroskobu) ile analizi
Characterization of GaAs/AlGaAs quantum wells with TEM (transmission electron microscopy) techniques
TUĞÇE KARAKULAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
- Çok tabakalı kuantum nokta yapılarda fotoiyonlaşma tesir kesitinin hesaplanması
Calculation of photoionozation cross section in multi-layered quantum dot
FİRDES TEK
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET ŞAHİN