AlGaAs yarıiletken bileşiğinde elektron taşınım özelliklerinin monte carlo simulasyonu ile incelenmesi
Investigation of electron transport properties in AlGaAs semiconductor compound by monte carlo simulation
- Tez No: 885945
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MUSTAFA AKARSU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 76
Özet
Yarı iletkenlerde elektron taşınımına son yıllardaki araştırmalarda dikkate değer şekilde ilgi duyulmaktadır. Uygulanan elektrik alanın elektron sürüklenme hızına olan bağımlılığı bu tip araştırmalarda ana amaç haline gelmiştir. Direkt geçişli yarı iletkenlerin önemli karakteristiklerinden biri, sürüklenme hızının elektrik alan artarken, maksimumunun yüksek değerler almasıdır. İndirekt geçişli malzemeler de ise sürüklenme hızının maksimumunun daha düşük değerler alması beklenebilir. Galyum Arsenit yarı iletken bileşiğinin direkt geçişli bir yarı iletken olduğu bilinmektedir. Galyum Arsenit içerisine alüminyum ilave edilerek yeni bir yarıiletken bileşik olan alüminyum galyum arsenit elde edilmektedir. Alüminyum galyum arsenit düşük oranlarda alüminyum içeriyorsa direkt geçişli bir malzemedir. Ancak alüminyum galyum arsenit bileşiğinin içerisindeki alüminyum miktarı arttıkça malzeme indirekt geçişli hale gelmektedir. Bundan dolayı, bu tez çalışmasında alüminyum galyum arsenit malzemesindeki alüminyum oranı arttırıldıkça sürüklenme hızının elektrik alan ile nasıl değiştiği ve bu değişim esnasında, hangi tip saçılmaların rol aldığı ve bu saçılmaların sürüklenme hızı elektrik alan grafiğine olan etkisi 77K, 300K ve 450K sıcaklıkları için incelenmiştir.
Özet (Çeviri)
Electron transport in semiconductors has received considerable research attention in recent years. The dependence of the applied electric field on the electron drift rate has become the main goal in this type of research. An important characteristic of direct transition semiconductors is that the drift velocity reaches high values as the electric field increases. In indirect transition materials, the maximum drift speed can be expected to take lower values. Gallium Arsenide semiconductor compound is known to be a direct transition semiconductor. By adding aluminum to Gallium Arsenide, a new semiconductor compound, aluminum gallium arsenide, is obtained. Aluminum gallium arsenide is a direct transition material if it contains low amounts of aluminum. However, as the amount of aluminum in the aluminum gallium arsenide compound increases, the material becomes indirectly transitional. Therefore, in this thesis study, how the drift velocity changes with the electric field as the aluminum ratio in the aluminum gallium arsenide material is increased, what type of scattering takes part during this change, and the effect of these scattering on the drift velocity electric field graph is examined for 77K, 300K and 450K temperatures.
Benzer Tezler
- GaAs/AlGaAs tabanlı yarıiletken yapılardan aygıt üretimi ve karakterizasyonu
Device fabrication and characterization of GaAs/AlGaAs based semiconductors
BURCU ARPAPAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
- Düşük boyutlu yarıiletken yapılarda sıcak elektronların enerji kayıp mekanizmalarının incelenmesi
An investigation of energy loss mechanism of hot electrons in low dimensional semiconductor structures
GÖKHAN ALGÜN
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÇETİN ARIKAN
- Yarıiletken ince filmlerin X-ışını kırınımı ile kusur analizi
Defect analysis of semiconductor thin films by X-ray diffraction
BEYZA SARIKAVAK
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Fabrication and characterization of semiconductor double quantum well diode lasers
Çift kuvantum kuyulu yarıiletken lazerlerinin yapımı ve incelenmesi
BÜLENT EROL SAĞOL
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ALİ SERPENGÜZEL
- Yarıiletken heteroyapılarda sıcaklığın ve basıncın yüklü parçacıklara etkisinin bilgisayar analizi
Computer analysis of temperature and pressure effects on the charged particles in semiconductor heterostructures
DERYA ÖZÜBERK