SILAR tekniği ile büyütülen ZnS ince filmlerinin optiksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi
The investigation of optical properties of ZnS thin films which is growth SILAR technique as a function of temperature
- Tez No: 170685
- Danışmanlar: DOÇ.DR. AYTUNÇ ATEŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: ZnS, SILAR, SEM, XRF, Optik Soğurma, Yasak Enerji Aralığı, ZnS, SILAR, SEM, XRF, Optical Absorption, Bandgap 11
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 87
Özet
ÖZET Yüksek Lisans Tezi SILAR TEKNİĞİ İLE BÜYÜTÜLEN ZnS İNCE FİLMLERİNİN OPTİKSEL ÖZELLİKLERİNİN SICAKLIĞA BAĞLI OLARAK İNCELENMESİ M. Ali YILDIRIM Atatürk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman: Doç. Dr. Aytunç ATEŞ SILAR (Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction) tekniği kullanılarak, cam ve kuartz taban malzemeleri üzerine oda sıcaklığında ZnS ince filmler büyütüldü. Büyütülen filmlerin yüzey görüntüleri ve elemental analizi SEM (taramalı elektron mikroskobu) ve XRF (X-ışını flöresans spektroskopisi) ile incelendi. Artan film kalınlığı homojen bir yüzeye neden olarak, iyileşmiş yüzey görüntüleri elde edildi. XRF ölçümü ile ZnS filminin oluştuğu belirlendi. ZnS ince filmlerinin, sıcaklığa bağlı olarak optiksel soğurma ölçümleri alındı. Filmlerin yasak enerji aralığının artan sıcaklık ile daraldığı gözlendi. Soğurma ölçümleri kullanılarak, soğurma katsayısının karesine karşılık foton enerjisi [a2 -hv) grafikleri çizildi. Bu grafiklerin eğiminden ZnS ince filmlerinin yasak enerji değerleri 3.64 eV'tan 3.84 eV'ta kadar bir değişim gösterdiği hesaplandı. Ayrıca, artan film kalınlığı ile filmlerin yasak enerji aralığının azaldığı bulundu. Film kalınlığının artması ile, filmlerin yasak enerji değerleri 3.77 eV'tan 3.61 eV'ta kadar bir değişim gözlendi.. 2005, 77 Sayfa
Özet (Çeviri)
ABSTRACT Master Thesis THE INVESTIGATION OF OPTICAL PROPERTIES OF ZnS THIN FILMS WHICH IS GROWTH SILAR TECHNIQUE AS A FUNCTION OF TEMPERATURE M. Ali YILDIRIM Atatürk University Graduate School of Naturel and Applied Sciences Department of Physics Supervisor: Doç. Dr. Aytunç ATEŞ ZnS thin films were grown on glass and quartz substrates by using the Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) technique at room temperature. Surface morphologies and elemental analysis of grown films were characterized using SEM (scanning electron microscopy) and XRF (X-ray fluorescence spectroscopy), respectively. Increasing film thickness, causing a homogeneous surface, as resulted in improved surface morphology. The formation of ZnS film was determined by XRF measurement. The optical absorption measurements were carried out for ZnS thin films with changing the temperature. Bandgap energies of the films decreased as a result of increasing the temperature. Using optical absorption measurements, the absorption coefficient square versus photon energy [a2 -hv) graphs were plotted. From these graphs' slopes, the bandgap energies of ZnS thin films were calculated and the variation were observed from 3.64 eV to 3.84 eV. In addition, increasing film thickness, caused decreasing bandgap of films. With increasing film thickness, the bandgap energies of films had a variation from 3.77 eV to 3.61 eV. 2005, 77 Pages
Benzer Tezler
- ZNS ve Cu2ZNS4(CZTS) ince filmlerin sentezi, karakterizasyonu ve optoelektronik uygulamaları
Synthesis, characterization and optoelectronic applications of ZNSand Cu2ZNS4(CZTS) thin films
ZEKİYE ABA
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULLAH GÖKTAŞ
- ZnS ince filminin sılar yöntemiyle büyütülmesi, karakterizasyonu ve sandiviç yapılarda kullanılması
Characterization of ZnS thin film grown with silar method and use in sandwich structures
OĞUZHAN ÖZAKIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYTUNÇ ATEŞ
- Ultrasonik spray pyrolysis ile büyütülen ZnS ince filmlerinin fiziksel özellikleri üzerine fe katkısının etkisi
Effect of fe doping on the physical properties of ZnS thin films grown by ultrasonic spray pyrolysis
ESRA KUŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇanakkale Onsekiz Mart ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERHAT ÖZDER
- SILAR tekniği ile büyütülen MnS ince filmlerin özelliklerinin film kalınlığına bağlı incelenmesi
The investigation of properties of MnS thin films grown SILAR technique as a function of film thickness
İLKE CAVANMİRZA
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiErzincan ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MEMET ALİ YILDIRIM
- Sılar tekniği ile büyütülen cds ince filmlerin sandviç tipi devre elemanları yapımında kullanılması ve bu yapıların karakteristiklerinin incelenmesi
Using the cds thin films deposited by silar method in sandwich type devices and investigation of characteristics this structures
BETÜL GÜZELDİR
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM