ZnS ince filminin sılar yöntemiyle büyütülmesi, karakterizasyonu ve sandiviç yapılarda kullanılması
Characterization of ZnS thin film grown with silar method and use in sandwich structures
- Tez No: 269348
- Danışmanlar: PROF. DR. AYTUNÇ ATEŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 94
Özet
ZnS ince filmler, Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) tekniği kullanılarak cam taban malzemeler üzerine oda sıcaklığında büyütüldü. Kalınlığa bağlı olarak optik özelliklerini incelemek için farklı döngü sayılarında (20, 30, 40 ve 50 döngü sayısı) ince filmler büyütüldü. Filmlerin yapısal, yüzeysel ve optik özellikleri faklı analiz teknikleri ile incelendi ve bu özellikler üzerine film kalınlığının etkisi araştırıldı. X-ışını kırınımı(XRD) ve taramalı elektron mikroskobu ölçümleri(SEM), filmlerin polikristal yapıda olduğunu ve taban malzeme yüzeyine kaplandığını gösterdi. Optik soğurma ölçümleri yardımıyla, filmlerin yasak enerji aralığı değerlerinin artan film kalınlığı ile azaldığı belirlendi. Elde edilen yasak enerji aralığı değerleri kullanılarak filmlerin kırılma indisleri ve optiksel statik dieletrik sabiti değerleri hesaplandı. Filmlerin elementel analizi için EDAX (Energy Dispersive Analiysis of X-ray) yöntemi kullanılmıştır.Zn/ZnS/n-GaAs/In sandviç yapısı için (100) doğrultusunda büyütülmüş, 400 µm kalınlığına ve 1-10 ?-cm özdirence sahip n-tipi GaAs kristali kullanıldı. Kristalin mat yüzeyine In metali buharlaştırıldı, parlak yüzeyine ise SILAR tekniği ile ZnS ince film büyütüldü. Sonra ince filmi üzerine Zn metali buharlaştırıldı. Böylece, Zn/ZnS/n-GaAs/In sandviç yapısı elde edildi. Oda sıcaklığında alınan akım-voltaj (I-V) ölçümleri ile yapıların doğrultma özelliği gösterdiği belirlendi. I-V karakteristikleri ve Cheung fonksiyonları yardımıyla oda sıcaklığında idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç değerleri hesaplandı.
Özet (Çeviri)
ZnS thin films were grown on glass substrates by using the Successive Ionic LayerAdsorption and Reaction (SILAR) technique at room temperature. The thin films were grown to examine the optical properties depending on the thickness for different numbers of cycles (20, 30, 40 and 50 the number of cycles). The structural, surface and optical properties of the films were characterized with different analysis techniques and the film thickness effect on these properties was investigated. XRD and SEM measurements was shown the polycrystalline structure of films that have been coated on the surface and base materials. With the help of optical absorption measurements was determined forbidden energy gap values of films decreased with increasing film thickness. The refractive index of the films and optical static dieletric constants were calculated by using obtained Forbidden energy gap values. EDAX(Energy Dispersive Analiysis of X-ray) technique was used for elemental analysis of films.n-type GaAs wafer with (100) orientation, 400 ?m thickness and 1-10 ?-cm resistivity was used for Zn/ZnS/n-GaAs/In sandwich structures. In metal was evaporated on the mat face of wafer. ZnS thin film were grown on the bright face of wafer using SILAR technique. Then, Zn metal were evaporated on the thin film. In this way, Thus, the Zn/ZnS/n-GaAs/In sandwich structure were obtained. It was determined that these structures have demonstrated clearly rectifying behaviour by the current?voltage (I?V) curves studied at room temperature. The ideality factors, barrier heights and series resistances of these structures were calculated from I?V characteristics and Cheung functions as a function of sample temperature.
Benzer Tezler
- ZNS ve Cu2ZNS4(CZTS) ince filmlerin sentezi, karakterizasyonu ve optoelektronik uygulamaları
Synthesis, characterization and optoelectronic applications of ZNSand Cu2ZNS4(CZTS) thin films
ZEKİYE ABA
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULLAH GÖKTAŞ
- SILAR tekniği ile büyütülen ZnS ince filmlerinin optiksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi
The investigation of optical properties of ZnS thin films which is growth SILAR technique as a function of temperature
MEHMET ALİ YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. AYTUNÇ ATEŞ
- ZnS nanoyapılı ince filmlerinin kimyasal depolama yöntemi ile üretilmesi
Production of ZnS nano-structured thin films by chemical bath deposition
ÖZLEM YILMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiMersin ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜLYA METİN GÜBÜR
- Investigation of the structural and electro-optical properties of chemically deposited ZnS and CdS thin films and the thermoluminecence properties..
ZnS ve CdS ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optik ve ZnS ince filmlerinin termoluminesans özelliklerinin incelenmesi
MUSTAFA ÖZTAŞ
Doktora
İngilizce
1996
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiDOÇ. DR. RAMAZAN ESEN
DOÇ.DR. REFİK KAYALI
- Kimyasal püskürtme yöntemiyle ZnS ince filmlerinin üretimi ve karakteristik özelliklerinin incelenmesi
The Production of ZnS thin films prepared by spray pyrolysis and the studied of characteristic properties
KEMAL ÖZTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiKaradeniz Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKREM YANMAZ