SILAR tekniği ile büyütülen MnS ince filmlerin özelliklerinin film kalınlığına bağlı incelenmesi
The investigation of properties of MnS thin films grown SILAR technique as a function of film thickness
- Tez No: 351869
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. MEMET ALİ YILDIRIM
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Dielektrik Sabiti, Film Kalınlığı, İnce Film, Kırılma İndisi, MnS, SEM, SILAR, XRD
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Erzincan Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 88
Özet
MnS yarıiletken ince filmler, Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) tekniği ile cam taban malzemeler üzerine oda sıcaklığında büyütüldü. Filmlerin yapısal, yüzeysel, optik ve elektriksel özellikleri farklı analiz teknikleri ile incelendi ve film kalınlığının bu özellikler üzerine etkisi araştırıldı. X-ışını kırınımı (XRD) ve taramalı elektron mikroskobu (SEM) analizleri filmlerin polikristal yapıda olduğunu, taban malzeme yüzeyine iyi kaplandığını gösterdi. Optik soğurma ve sıcaklığa bağlı I-V ölçümleri yardımıyla, film kalınlığının 180 nm'den 350 nm'ye artması ile filmlerin yasak enerji aralığı değerleri 3,39 eV'tan 2,92 eV'ta, elektriksel özdirenç değerleri 11,84x106 -cm'den 1,80x106 -cm'ye azaldığı belirlenmiştir. Kırılma indisi (n), statik dielektrik (o) ve yüksek frekans dielektrik sabiti değerleri film kalınlığına bağlı olarak hesaplandı. Sonuç olarak, film kalınlığının filmlerin karakteristik özelliklerinde dikkate değer etkiler oluşturduğu ve bu özelliklerin film kalınlığı ile iyileştiği görüldü.
Özet (Çeviri)
MnS thin films were grown on glass substrates using Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) technique at room temperature. The structural, morphological, optical and electrical properties of the films were investigated by different analysis techniques and the film thickness effect on these properties was analyzed. The X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) analysis showed that all the films exhibited polycrystalline nature and were covered well on substrates. With the help of optical absorption and temperature-dependent I-V measurements, it was determined that band gap values of films decreased from 3,39 eV to 2,92 eV and electrical resistivity changed from 11,84x106 -cm to 1,80x106 -cm as the film thickness increased from 180 nm to 350 nm. The refractive index (n), optical static (o) and high frequency dielectric constants values were calculated as a function of the film thickness. Finally, it was seen that the film thickness have noticeable effects on the characteristic properties of the films and film thickness improves these properties.
Benzer Tezler
- Sılar tekniği ile büyütülen cds ince filmlerin sandviç tipi devre elemanları yapımında kullanılması ve bu yapıların karakteristiklerinin incelenmesi
Using the cds thin films deposited by silar method in sandwich type devices and investigation of characteristics this structures
BETÜL GÜZELDİR
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM
- SILAR tekniği ile büyütülen ZnS ince filmlerinin optiksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi
The investigation of optical properties of ZnS thin films which is growth SILAR technique as a function of temperature
MEHMET ALİ YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. AYTUNÇ ATEŞ
- SILAR tekniği ile büyütülen ZnO ve CdO ince filmlerinin karakterizasyonu ve sandviç yapilarda kullanilmasi
The characterization of ZnO and CdO thin films grown SILAR technique and using in sandwich structures
MEMET ALİ YILDIRIM
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AYTUNÇ ATEŞ
- Sılar tekniği ile büyütülen SnO2 ince filmlerin özelliklerinin tavlama sıcaklığına bağlı incelenmesi
The investigation of properties of SnO2 thin films grown silar technique as a function of annealing temperature
EMİNE FEDAKAR SAKAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiErzincan ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEMET ALİ YILDIRIM
- ZnO ve CdO ikili yarıiletken bileşiklerin sılar ve sol- jel teknikleriyle büyütülmesi ve yapısal analizleri
Growth of ZnO and CdO binary semiconductor compounds by silar and sol-gel techniques and their structural analyses
EMİNE KORKMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHAMMET YILDIRIM