Bor katkılı silisyumun optiksel özellikleri
Boron doped silicon optical properties
- Tez No: 178723
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. SENEM AYDOĞU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Dumlupınar Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 80
Özet
Araştırmadaki amaç bor katkılı silisyumun optik özelliklerini, x ışını ve FTIR spektrumu ile incelemektir.Katı materyaller, kristal bir yapı oluştururlar. Silisyum, kristallerden oluşmuş bir materyaldir. Silisyum kristali bor ile katkılandığında p-tipi bir yarıiletken bileşiği oluşur. Araştırmada kullanılan spektroskopik metodlar, hangi tür moleküllerin hangi tür ışımayı soğuracakları sorusunu yanıtlar. Bu yolla, araştırmada kullanılan bileşiğin yapıları incelenebilir. Değişik ışıma türlerinin soğurma spektroskopilerinde kullanılması ile yapıya ilişkin örneğin yasak enerji aralığı, absorbans, transmittans, yansıma, kırılma indisi v.b. optik özellikleri hakkında bilgi edinilebilir. Bu özelliklere dayanılarak, bu yarıiletken bileşikleri nanoteknoloji, güneş pilleri, transistör ve diyotlar gibi cihazlarda kullanılmaktadır. Czochralski yöntemiyle elde edilen yarıiletken bileşiğinin optik özellikleri incelenerek, bu uygulama alanları için kullanılabilirliği araştırılmıştır.
Özet (Çeviri)
The aim in this study the optical properties of boron doped silicon are examineted by x ray and FTIR spectroscopies.Solid materials consist of crystal structure. Silicon is a material which consist of crystals. When the crystal of silicon is doped with boron, the atoms in the crystal structure bond eachother with covalence. Thus, type-p which is a semiconductor compound is formed. The use spectroscopies methods in the work, reply the question of which molecules absorb which radiation. In this wise, boron doping silicon used in the search absorbed radiation types, absorbans intensity, that is to say through examined spectrum, the structure of molecules are found and absorbans spectroscopies of different radiation types are used so we are informed about the energy gap of example which related to the structure absorbans, transmittans, reflection, indice of diffraction etc. optical properties. By virtue of these properties, nanotechnology whish is implementation scope of these semiconductor compound is used in the battery of sun, transistor, and diode etc. device. The method of Czochralski, optical properties of semiconductor compound are examined. It is important that examine for these implement scope which are usable.
Benzer Tezler
- Mekanokimyasal yöntemle radar absorplayıcı madde sentezlenmesi için reaktör tasarımı ve katkılarla absorplayıcı malzemenin geliştirilmesi
Design reactor for synthesis of radar absorption material by mechanochemical method and development of absorbing material by additives
ALİ RIZA AKTAŞ
Doktora
Türkçe
2013
Kimya MühendisliğiGazi ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. METİN GÜRÜ
- Optimization of fabrication steps for n-type c-Si solar cells
N-tipi kristal silisyum güneş gözesi üretimi için fabrikasyon basamaklarının optimizasyonu
EFE ORHAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
EnerjiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN
PROF. DR. RAŞİT TURAN
- Investigation of anode properties and battery performances of metal mixed graphites for lithium ion batteries
Lityum iyon pillerde metal ile katkılandırılmış grafitlerin anot özelliklerinin ve pil performanslarının incelenmesi
HANDAN BAKALCI
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN YAVUZ
- Gözenekli silisyumun optik ve elektriksel özelliklerine metalizasyon katkısının incelenmesi
Investigation of additions of some metal salts to optical and electrical properties of porous silicon
NAZAN CEYLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiKocaeli ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. KADİR ESMER
- Amorf silisyum katkılı schottky diyotların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation optical and electrical properties of amorphous silicon doped schottky diodes
GİZEM ÇELİKOK
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU