Kimyasal depolama yöntemi ile elde edilen ZnS yarı iletken filmlerin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of structural optical and electrical properties of ZnS semiconductor films obtained by chemical bath deposition method
- Tez No: 179015
- Danışmanlar: PROF.DR. MUHSİN ZOR
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: ZnS, Kimyasal Depolama Yöntemi, X-Isınları Kırınım Deseni, Optik Özellikler, Elektriksel Özellikler, ZnS, Chemical Bath Deposition Method, X-Ray Diffraction, Optical Properties, Electrical Properties
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 136
Özet
Bu çalısmada, ZnS yarıiletken filmleri farklı depolama sürelerinde ve farklı depolama sıcaklıklarında bekletilerek cam alttabanlar üzerine kimyasal depolama yöntemiyle elde edilmistir. X-ısını kırınım desenlerinden elde edilen filmlerin amorf ve hekzagonal yapıda oldukları saptanmıstır. Absorpsiyon spektrumu ölçümlerinden filmlerin direkt bant aralıgına sahip oldugu ve yasak enerji aralıgının 3.85 eV ile 3.97 eV arasında degistigi belirlenmistir. IV ölçümlerinden ohmik iletim mekanizması gözlenmistir. Filmlerin elektriksel iletkenlik degerleri 9.1 10 10 ? s = x (cm)-1 ile 9 1.47 10? s = x (cm)-1 arasındadır. Elde edilen filmler 400 ºC'de bir saat tavlama islemine tabi tutulmus ve tavlamanın elektriksel iletkenlik üzerine etkisi arastırılmıstır. Sıcaklıga baglı akım ölçümlerinden aktivasyon enerjileri 0.01 eV ile 0.81 eV arasında bulunmustur.
Özet (Çeviri)
In this study, ZnS semiconductor films have been obtained in through different deposition times and different deposition temperature on to the glass substrates by the chemical bath deposition method. X-ray diffraction spectra of the films have shown that the films are amorphous and hegzagonal in structure. ZnS films have been determined to have direct band gap characteristics with the band gap values lying in the range between 3.85 eV and 3.97 eV by using optical method. The ohmic conduction mechanisms have been observed in the I-V characteristics of the films. The electrical conductivity values of the films have been found to vary in the range 9.1 10 10 ? s = x (cm)-1 and 9 1.47 10? s = x (cm)-1. The activation energy values have been found between 0.01 eV and 0.81 eV using the temperature-dependent current measurements.
Benzer Tezler
- Kimyasal depolama yöntemi ile hazırlanan ZnS ve Zn1-xSMnx (0.01≤x≤0.1) yarıiletken ince filmlerin optiksel, yapısal, elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of optical, structural, electrical properties of ZnS and Zn1-xSMnx (0.01≤x≤0.1) semiconductor thin films prepared by chemical bath deposition
ÖZGE ERKEN
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CEBRAİL GÜMÜŞ
- Investigation of optical, structural, and electrical properties of semiconducting films produced by different chemical techniques
Değişik kimyasal tekniklerle üretilen yarı iletken filmlerin optiksel, yapısal ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
SERAP SÜR ÇELİK
Doktora
İngilizce
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFen Bilimleri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ZİHNİ ÖZTÜRK
- ZnS nanoyapılı ince filmlerinin kimyasal depolama yöntemi ile üretilmesi
Production of ZnS nano-structured thin films by chemical bath deposition
ÖZLEM YILMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiMersin ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜLYA METİN GÜBÜR
- Kimyasal depolama yöntemi ile elde edilen PBS yarı iletken filmlerin yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi
Structural and optical properties of PBS semiconductor films produced by chemical bath deposition method
FATMA YAVUZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiMehmet Akif Ersoy ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. FATMA GÖDE
- Design, fabrication and characterizations of n-Si columnar structures for solar cell applications
Nano-Si kolon yapılarının güneş pili uygulamarı için tasarlanıp, üretilip, karakterize edilmesi
AYŞEGÜL DEVELİOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. LEVENT TRABZON