Kimyasal depolama yöntemi ile elde edilen PBS yarı iletken filmlerin yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi
Structural and optical properties of PBS semiconductor films produced by chemical bath deposition method
- Tez No: 301653
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. FATMA GÖDE
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 91
Özet
Bu çalışmada, PbS yarı iletken ince filmleri, kompleks arabulucu olarak kullanılan tri-sodyum sitrat (TSS) miktarı hacim olarak 0,1 ml'den 0,5 ml' ye kadar değiştirilerek oda sıcaklığında (30 ºC) ve farklı bekleme sürelerinde cam alttabanlar üzerine kimyasal depolama yöntemi kullanılarak elde edilmiştir. Elde edilen filmlerin kalınlıkları tartım yöntemi kullanılarak 1020?1270 nm arasında hesaplanmıştır. X-ışını kırınım desenlerinden, elde edilen filmlerin kübik yapıda oldukları saptanmıştır. Soğurma spektrumu ölçümlerinden filmlerin doğrudan bant aralığına sahip olduğu ve yasak enerji aralığının 2,48?3,04 eV arasında değiştiği belirlenmiştir. Elde edilen filmlerin kırılma indisleri (n), 2,14?3,63 arasında değişmiştir. Soğurma, geçirgenlik ve yansıma eğrileri kullanılarak elde edilen PbS filmlerin optik parametreleri, sönüm katsayıları (k), dielektrik sabitinin reel (?_1) ve sanal (?_2) kısımları hesaplanmıştır. Sönüm katsayısı değeri 0,11?0,35 arasında değişirken dielektrik sabitinin reel kısmı 4,58?13,08 arasında ve sanal kısmı ise 0,49?2,58 arasında değişmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, PbS semiconductor thin films have been obtained changing the complex agent (tri-sodium citrate) amount in volume from 0,1 ml to 0,5 ml at room temperature for different deposition times on glass substrates through the chemical bath deposition method. The thicknesses of films have been calculated between 1026 and 1270 nm by using the weight difference method. X-ray diffraction spectra of the films have shown that PbS films are cubic in structure. PbS films have been determined to have direct band gap characteristics and it is observed that the band gap value changes from 2,48 eV to 3,04 eV. Obtained films have refractive index (n) values in the range 2,14?3,63. From the absorption and transmission curves, the optical parameters of the PbS films such as extinction coefficient (k) real (?_1) and imaginary (?_2) parts of dielectric constant were also evaluated. Extinction coefficient value has changed between 0,11 and 0,35 while the real and imaginary parts of dielectric constant have changed in the range 4,58?13,08 and 0,49?2,58, respectively.
Benzer Tezler
- PbS ince filmlerin yapısal özelliklerinin farklı oranlarda Mg katkılama yoluyla geliştrilmesi
Improviming of sutructural properties of PbS thin films by Mg doping in different ratios
BUSE BELELİ
- Tiyazol sübstitüe ftalosiyaninlerin sentezi ve biyosensör özelliklerinin incelenmesi
Synthesis of thiazole substituted phthalocyanines and investigation of their biosensor properties
FARUK DEMİR
- Kurşun sülfür (PbS) ince filmlerinin farklı tabanlar üzerinde büyütülmesi ve özelliklerinin araştırılması
The investigation of properties of lead sülfide (PbS) thin films deposited on different substrute
ADEM AKKUŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiKafkas ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HASAN MAMMADOV
- Kimyasal depolama yöntemi ile elde edilen ZnS yarı iletken filmlerin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of structural optical and electrical properties of ZnS semiconductor films obtained by chemical bath deposition method
FATMA GÖDE
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. MUHSİN ZOR
- Design, fabrication and characterizations of n-Si columnar structures for solar cell applications
Nano-Si kolon yapılarının güneş pili uygulamarı için tasarlanıp, üretilip, karakterize edilmesi
AYŞEGÜL DEVELİOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. LEVENT TRABZON