Kimyasal depolama yöntemi ile hazırlanan ZnS ve Zn1-xSMnx (0.01≤x≤0.1) yarıiletken ince filmlerin optiksel, yapısal, elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of optical, structural, electrical properties of ZnS and Zn1-xSMnx (0.01≤x≤0.1) semiconductor thin films prepared by chemical bath deposition
- Tez No: 394621
- Danışmanlar: DOÇ. DR. CEBRAİL GÜMÜŞ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2015
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Çukurova Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 223
Özet
Bu çalışmada, kimyasal depolama yöntemi (KDY) kullanılarak cam alt tabanlar üzerinde, 80 °C'de, farklı depolama sürelerinde (4, 6, 8 saat) ZnS ve Zn1-xSMnx (0.01 ≤ x ≤ 0.1) yarıiletken ince filmler elde edilmiştir. Elde edilen ince filmlerin, katkılama oranı ve depolama süresi ile optiksel, elektriksel ve yapısal özelliklerinin nasıl değiştiği araştırılmıştır. Filmlerin optik özelliklerini belirlemek için UV/vis spektrofotometresi kullanılmıştır. Filmlerin oda sıcaklığındaki optik geçirgenlik (%T) ve optik soğurma (A) değerleri 300-1100 nm dalga boyu aralığında belirlenmiştir. Elde edilen veriler ile filmlerin temel optik parametreleri olan soğurma katsayısı (α), kırılma indisi (n), sönüm katsayısı (k), reel ve imajiner dielektrik sabitleri (Ԑ1, Ԑ2), enerji bant aralığı (Eg) ve bant kenarı keskinliği (B) değerleri hesaplanmıştır. ZnS ve Zn1-xSMnx (0.01 ≤ x ≤ 0.1) ince filmlerinin görünür bölgedeki optik geçirgenlik değerleri %50-95 olarak bulunmuştur. Görünür bölgedeki kırılma indisi (n) değerleri 1.20-5.09 aralığında hesaplanmıştır. Filmlerin enerji bant aralığı değerleri (Eg) 2.90-3.94 eV olarak tespit edilmiştir. Bant kenarı keskinliği değerleri 6.95x10^9-5.77x10^12 eV/cm2 olarak hesaplanmıştır. Hall ölçümlerinden ZnS ve Zn1-xSMnx (0.01 ≤ x ≤ 0.1) ince filmleri n-tipi iletkenlik göstermiştir. Filmlerin özdirenç (ρ) değerleri 1.990x10^4-1.014x10^6 Ω•cm aralığında hesaplanmıştır. XRD analizleri filmlerin hekzagonal yapıda olduğunu göstermiştir (uzay grubu: P3m1).
Özet (Çeviri)
In this study, ZnS and Zn1-xSMnx (0.01 ≤ x ≤ 0.1) semiconductor thin films were obtained by using chemical bath deposition (CBD) method on glass substrates at 80 °C and different deposition times (4, 6, 8 hours). The obtained thin films were investigated with doping rate and deposition time, how to change the optical, electrical and structural properties. To determine the optical properties of the films UV/vis spectrophotometer was used. Optical transmittance (%T) and optical absorption (A) values of the films were determined in the wavelength range 300-1100 nm at room temperature. The obtained with data basic optical parameters of the films absorption coefficient (α), refractive index (n), extinction coefficient (k), real and imaginary dielectric constants (Ԑ1, Ԑ2), the energy band gap (Eg) and band sharpness (B) values were calculated. ZnS and Zn1-xSMnx (0.01 ≤ x ≤ 0.1) of the thin films optical transmittance values were found to be 50-95% in the visible region. The refractive index (n) values were calculated in the range 1.20-5.09 in the visible region. Energy band gap values (Eg) of the films were found to be 2.90-3.94 eV. Band sharpness (B) values were calculated in the range 6.95x10^9-5.77x10^12 eV/cm2. From the Hall effect measurement, it was found that ZnS and Zn1-xSMnx (0.01 ≤ x ≤ 0.1) thin film exhibits n-type conduction. Its electrical resistivity (ρ) values were calculated in the range 1.990x10^4-1.014x10^6 Ω•cm. XRD measurements show that the films are crystallized in the hexagonal phase (space group: P3m1).
Benzer Tezler
- Investigation of optical, structural, and electrical properties of semiconducting films produced by different chemical techniques
Değişik kimyasal tekniklerle üretilen yarı iletken filmlerin optiksel, yapısal ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
SERAP SÜR ÇELİK
Doktora
İngilizce
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFen Bilimleri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ZİHNİ ÖZTÜRK
- Kimyasal depolama yöntemi ile hazırlanan CuS yarı iletken ince filmlerin yapısal, optik ve morfolojik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural, optical and morfological properties of CuS semiconductor thin films prepared by chemical bath deposition
CEYDA HABİBOĞLU
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CEBRAİL GÜMÜŞ
- An investigation on electrochemical performance of supercapacitors assembled with vertically aligned&entangled carbon nanotube and conductive polymer
Karbon nanotüp ve iletken polimer ile hazırlanan süperkapasitörlerin elektrokimyasal performansının incelenmesi
DİLEK ÇAKIROĞLU
Doktora
İngilizce
2016
Mühendislik BilimleriSabancı ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. FEVZİ ÇAKMAK CEBECİ
- Foto elektrokimyasal hidrojen üretimi uygulamaları için elektrot dizaynı ve performans ölçümü
Performance measurement and electrode design for application of photo electrochemical hydrogen production
EMRE KAAN CAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Bilim ve TeknolojiTOBB Ekonomi ve Teknoloji ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. NURDAN DEMİRCİ SANKIR
PROF. MEHMET SANKIR
- Raman and AFM study of grapheneoxide prepared by wet oxidation of graphene
Grafenden ıslak oksidasyonla hazırlanan grafenoksitin raman ve AFM incelenmesi
ESRA YAZICI
Doktora
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MEHMET BURAK YILMAZ