GaInP / GaAs kuantum kuyulu yapılarda alaşım düzensizliği ve arayüzey pürüzlülüğü saçılması
Alloy disorder and interface raughness scattering in GaInP / GaAs quantum - well structures
- Tez No: 180140
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. SİBEL GÖKDEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: GaInP/GaAs / ara yüzey pürüzlülüğü saçılması / Hallmobilitesi / taşıma özellikleri, GaInP/GaAs / interface roughness scattering (IFR) / Hallmobility / transport properties
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Balıkesir Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, GaInP/GaAs katkısız tekli kuantum kuyulu yapıda elektronHall mobilitesi üzerine alaşım ve ara yüzey pürüzlülüğünden (IFR) ileri gelensaçılma mekanizmalarının etkisi teorik olarak araştırılmıştır. Teorikhesaplamalar, literatürdeki yayınlanmış verilere uygulanmıştır.Teori ile deneysel sonuçları karşılaştırmak için analitik formüllerkullanılmıştır. Teori ve deneyin karşılaştırılmasından, GaInP/GaAs kuantumkuyulu yapı için ara yüzey düzleminden düzgün oranda sapma uzunluğu (Î) veortalama sapma değeri (â) tahmin edilmiş ve düşük sıcaklıklarda ara yüzeypürüzlülüğü saçılmasının alaşım düzensizliği saçılmasından daha baskınolduğunu görülmüştür.Ayrıca GaInP/GaAs heteroarayüzeyde, ara yüzey pürüzlülüğünden vekuantum kuyusu genişliğindeki dalgalanmalardan saçılan hapsolmuş fononlarınmomentum durulma zamanları teorik olarak araştırılmıştır.
Özet (Çeviri)
In this work, the effect of interface roughness (IFR) and alloy scatteringmechanisms on the electron Hall mobility in the undoped-GaInP/GaAs quantumwell structure has been considered theoretically. Theoretical calculations havebeen applied on the recently published data in the literature.In order to compare the theory with the experimental results, theanalytical formulas have been used. From the comparison of the theory andexperiment, the correlation length (Î) and lateral size (â) of roughness forGaInP/GaAs quantum well are estimated and it has been shown that theinterface roughness scattering has more dominant mechanism than the alloyscattering at low temperatures.The momentum relaxation times for confined phonons scattering fromwell-width fluctuations and the interface roughness in the GaInP/GaAsheterointerface have been also determined theoretically.
Benzer Tezler
- Rezonans kaviteli ve iç kazançlı GaInNas-tabanlı IR fotodedektör
Resonant cavity enhanced GaInNAs-based IR photodetector with gain
FAHRETTİN SARCAN
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE EROL
- GaInP ve InGaAs kuantum kuyulu güneş pillerinin (QWSC) üretimi
The fabrication of GaInP and InGaAs quantum well solar cells (QWSC)
TARIK ASAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Ensemble Monte Carlo simulation of quantum well infrared photodetectors, and InP based long wavelength quantum well infrared photodetectors for thermal imaging
Kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörlerin toplu Monte Carlo simülasyonu, ve termal görüntüleme için InP tabanlı uzun dalga boyu kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörler
ORAY ORKUN CELLEK
Doktora
İngilizce
2006
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- Ensemble monte carlo simulation of quantum well infrared photodetectors
Kuantum kuyulu kızılötesi fotodetektörlerin monte carlo modellemesi
SEMA MEMİŞ
Doktora
İngilizce
2006
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TOMAK
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- InSb and InAsSb infrared photodiodes on alternative substrates and InP/InGaAs quantum well infrared photodetectors: Pixel and focal plane array performance
Alternatif tabanlar üzerinde InSb ve InAsSb kızılötesi fotodiyotlar ve InP/InGaAs kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörler: Piksel ve odak düzlem matrisi performansı
SELÇUK ÖZER
Doktora
İngilizce
2005
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
PROF.DR. CENGİZ BEŞİKCİ