GaInP / GaAs kuantum kuyulu yapılarda alaşım düzensizliği ve arayüzey pürüzlülüğü saçılması
Alloy disorder and interface raughness scattering in GaInP / GaAs quantum - well structures
- Tez No: 180140
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. SİBEL GÖKDEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Balıkesir Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 58
Özet
Bu çalışmada, GaInP/GaAs katkısız tekli kuantum kuyulu yapıda elektronHall mobilitesi üzerine alaşım ve ara yüzey pürüzlülüğünden (IFR) ileri gelensaçılma mekanizmalarının etkisi teorik olarak araştırılmıştır. Teorikhesaplamalar, literatürdeki yayınlanmış verilere uygulanmıştır.Teori ile deneysel sonuçları karşılaştırmak için analitik formüllerkullanılmıştır. Teori ve deneyin karşılaştırılmasından, GaInP/GaAs kuantumkuyulu yapı için ara yüzey düzleminden düzgün oranda sapma uzunluğu (Î) veortalama sapma değeri (â) tahmin edilmiş ve düşük sıcaklıklarda ara yüzeypürüzlülüğü saçılmasının alaşım düzensizliği saçılmasından daha baskınolduğunu görülmüştür.Ayrıca GaInP/GaAs heteroarayüzeyde, ara yüzey pürüzlülüğünden vekuantum kuyusu genişliğindeki dalgalanmalardan saçılan hapsolmuş fononlarınmomentum durulma zamanları teorik olarak araştırılmıştır.ANAHTAR SÖZCÜKLER : GaInP/GaAs / ara yüzey pürüzlülüğü saçılması / Hallmobilitesi / taşıma özellikleri
Özet (Çeviri)
In this work, the effect of interface roughness (IFR) and alloy scatteringmechanisms on the electron Hall mobility in the undoped-GaInP/GaAs quantumwell structure has been considered theoretically. Theoretical calculations havebeen applied on the recently published data in the literature.In order to compare the theory with the experimental results, theanalytical formulas have been used. From the comparison of the theory andexperiment, the correlation length (Î) and lateral size (â) of roughness forGaInP/GaAs quantum well are estimated and it has been shown that theinterface roughness scattering has more dominant mechanism than the alloyscattering at low temperatures.The momentum relaxation times for confined phonons scattering fromwell-width fluctuations and the interface roughness in the GaInP/GaAsheterointerface have been also determined theoretically.KEY WORDS : GaInP/GaAs / interface roughness scattering (IFR) / Hallmobility / transport properties.
Benzer Tezler
- Rezonans kaviteli ve iç kazançlı GaInNas-tabanlı IR fotodedektör
Resonant cavity enhanced GaInNAs-based IR photodetector with gain
FAHRETTİN SARCAN
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE EROL
- GaInP ve InGaAs kuantum kuyulu güneş pillerinin (QWSC) üretimi
The fabrication of GaInP and InGaAs quantum well solar cells (QWSC)
TARIK ASAR
- Ensemble Monte Carlo simulation of quantum well infrared photodetectors, and InP based long wavelength quantum well infrared photodetectors for thermal imaging
Kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörlerin toplu Monte Carlo simülasyonu, ve termal görüntüleme için InP tabanlı uzun dalga boyu kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörler
ORAY ORKUN CELLEK
Doktora
İngilizce
2006
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- Ensemble monte carlo simulation of quantum well infrared photodetectors
Kuantum kuyulu kızılötesi fotodetektörlerin monte carlo modellemesi
SEMA MEMİŞ
Doktora
İngilizce
2006
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TOMAK
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- Fabrication and characterization of semiconductor double quantum well diode lasers
Çift kuvantum kuyulu yarıiletken lazerlerinin yapımı ve incelenmesi
BÜLENT EROL SAĞOL
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ALİ SERPENGÜZEL