Fabrication and characterization of semiconductor double quantum well diode lasers
Çift kuvantum kuyulu yarıiletken lazerlerinin yapımı ve incelenmesi
- Tez No: 79325
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ALİ SERPENGÜZEL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Yarıiletken diyot lazerleri, kuvantum kuyusu, Fabry-Perot, lazer tayfı, eşik akımı, kazanım bant aralığı, halka lazeri ıı, Semiconductor diode lasers, quantum well, Fabry-Perot, lasing spectrum, threshold current, gain bandwidth, ring laser 11
- Yıl: 1998
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 91
Özet
Özet CIFT KUVANTUM KUYULU YARIİLETKEN LAZERLERİNİN YAPIMI VE İNCELENMESİ Bülent Erol Sağol Fizik Yüksek Lisans Tez Yöneticisi: Yard. Doç. Dr. Ali Serpengüzel Kasım 1998 Bu tez çalışmasında, çift kuvantum kuyulu yarıiletken Fabry-Perot ve yarım halka lazerleri üretildi, ve oda sıcaklığında çalıştırılıp, aygıt ölçümleri yapıldı. Bu lazerlerin yapımı GaAs/AlGaAs çift kuvantum kuyulu örnekler üzerinde gerçekleştirildi, ve öncelikle optik hapsetme sağlamak için, ıslak ve kuru aşındırma yöntemleri ile 4/jm genişliğinde ve l//m-4^m yükseklikte platolar üretildi. Daha sonraki adımlarda bu örneklere SİO2 yalıtımı, p-kontak ve n- kontak metalizasyonları uygulandı, örnekler inceltildi ve kesildi. Buna çok yakın bir üretim yöntemi, Fabry-Perot kavitelerine bağlanan 50 ile 1400/zm arasında değişen çaplardaki halka lazerleri için uygulandı ve bunlar için de aynı ölçümler yapıldı. Aygıtların incelenmesi, fotoışıma, akım- voltaj, akım-güç ölçümleri, ve elektroışıma ile yapıldı. Fotoışıma lazer dalgaboyunun saptanması için kullanıldı. Akım- voltaj, akım-güç ölçümleri değişik boylardaki aygıtların seri dirençlerini, eşik akımlarını ve diferansiyel kuvantum verimliliklerini incelemek için yapıldı. Bu ölçümlerden, eşik akım yoğunlukları, içsel kuvantum verimlilikleri, ve içsel net optik kayıpları elde edildi. Son olarak, lazer tayfı elde etmek içinelektroışıma kullanıldı, ve buradan Fabry-Perot ve halka lazerlerinin serbest tayf aralıkları ölçüldü.
Özet (Çeviri)
Abstract FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF SEMICONDUCTOR DOUBLE QUANTUM WELL DIODE LASERS Bülent Erol Sağol M. S. in Physics Supervisor: Asst. Prof. Ali Serpengiizel November 1998 In this thesis, semiconductor double quantum well, Fabry-Perot and half ring lasers were fabricated, and these devices were operated and characterized at room temperature. The lasers were fabricated using GaAs/AlGaAs double quantum well wafers, and processed in order to produce 4/im wide, l/im-4/zm high mesas for optical confinement. This mesa isolation was done by means of wet and dry etching techniques. Fabrication of Fabry-Perot lasers was completed after SİO2 insulation, p-contact and n-contact metalizations, thinning, and dicing. Similar fabrication techniques were applied to produce ring lasers coupled to Fabry-Perot cavities, with various diameters ranging from 50 to 1400/im. Device characterization was done by means of photoluminescence, current- voltage, current-power measurements, and electroluminescence. Photolumi nescence was used for checking the lasing wavelength. Current-voltage and current-power measurements were done to investigate the serial resistances, threshold currents, and differential quantum efficiencies of the fabricated deviceswith various cavity lengths. From these measurements, the threshold current densities, the internal quantum efficiencies, and the internal net optical losses were obtained. Finally, electroluminescence was used to obtain the lasing spectra, and from this, the free spectral range of the Fabry-Perot and ring lasers were measured.
Benzer Tezler
- Terahertz and mid-infrared photodetectors based on intersubband transitions in novel materials systems
Yeni malzeme sistemlerinde bantlar arası geçişe dayalı terahertz ve orta kızılötesi fotodedektörler
HABİBE DURMAZ SAĞIR
Doktora
İngilizce
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBoston UniversityElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. ROBERTO PAİELLA
- Novel ultraviolet scintillators based on semiconductor quantum dot emitters for significantly enhanced photodetection and photovoltaics
Morötesinde önemli ölçüde fotoalgılama ve fotovoltaik iyileştirmesi için yarıiletken kuvantum nokta ışıyıcıları temelli yenilikçi sintilatörler
EVREN MUTLUGÜN
Yüksek Lisans
İngilizce
2007
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. HİLMİ VOLKAN DEMİR
- Development of nano-alloyed CdTeS quantum dots via two-phase synthesis method
İki faz yöntemiyle nano-alaşım CdTeS kuantum noktacıklarının sentezi
SACİDE MELEK KESTİR
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Bilim ve Teknolojiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CANER ÜNLÜ
- Design, fabrication and characterizations of n-Si columnar structures for solar cell applications
Nano-Si kolon yapılarının güneş pili uygulamarı için tasarlanıp, üretilip, karakterize edilmesi
AYŞEGÜL DEVELİOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. LEVENT TRABZON
- Fabrication and characterization of P3HT-WO3 hybrid thin films and device applications
P3HT-WO3 hibrit ince filmlerin üretimi, karakterizasyonu ve cihaz uygulamaları
FATMA BEYZA YEDİKARDEŞ ER
Doktora
İngilizce
2024
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ESRA ZAYİM
PROF. DR. MUSTAFA ALTUN