Geniş band aralıklı ZnO'nun elektrokimyasal yöntemlerle tek kristal büyütülmesi
Single crystal growth of the wide band gap ZnO by electrochemical deposition
- Tez No: 181443
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: ZnO, Elektrokimyasal büyütme, Tavlama etkisii, ZnO, Elektrochemical deposition, Annealing effectii
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 61
Özet
Geniş ve direk band aralıklı ZnO ince filmi, büyütme parametreleri değiştirilerek Indium TinOxide (ITO) film üzerine elektrokimyasal işlemlerle büyütüldü. Yapılan denemeler sonucundaen kaliteli filmlerin, 0.1 molarlık Zn(NO3)2 çözeltisi kullanılarak, -0,9 V potansiyel altında 30 dksüreyle ve 5.2'lik pH değeri korunarak elde edildiği belirlendi. Bu şartların sağlandığı büyütmehücresi içerisinden O2 gazı geçirilerek çözeltinin oksijence doygun olması ve dolayısı ilebüyüme verimin artırılması sağlandı. Bu şartlar altında büyütülen filmler, tavlama işlemininnumunenin optik ve yapısal özellikleri üzerindeki etkilerinin araştırılması için, 3000C'de 30 dksüreyle azot gazı (N2) ortamında el yapımı bir tavlama fırını kullanılarak tavlandı. Tavlanan vetavlanmayan filmler üzerinde yapılan x-ışını kırınımı sonuçlarından, filmlerin (101) tercihliyönelime sahip oldukları ve tavlama işleminin (101) ve (100) piklerinin şiddetlerinde bir artışasebep olduğu gözlendi. AFM ölçümleri, tavlama işleminin, büyütülen filmlerin yüzeymorfolojileri üzerinde bir iyileşme olduğunu ortaya koydu. Soğurma ölçümlerinden ise tavlananfilmin yasak enerji aralığı 3,37 eV olarak ve tavlanmayan filmin yasak enerji aralığı 3,23 eVolarak hesaplandı. Yapılan ısıl uç metodu ölçümleri ile tüm filmlerin n-tipi iletkenliğe sahipolduğu gözlendi.2006, 50 sayfa
Özet (Çeviri)
ZnO thin films having wide and direct band gap were grown onto the conductive Indium TinOxide (ITO) substrates using electrochemical deposition technique, changing the growthparameters. The systematic studies have shown that the best quality films have been obtainedunder a potential of -0.9 V; a pH of 5.2 using a solution of 0.1 M Zn(NO3)2 in 30 min. To passoxygen gas through the solution during the growth process enhanced the growth rate and qualityof the samples grown on ITO. An anneal at 300ºC for 30 min under dry N2 flow in a home-made furnace has been carried out in order to investigate the possible effect of annealing on theoptical and structural characteristics of the samples. X Ray Diffraction (XRD) measurementswhich have been carried out on both the annealed and reference samples showed that allsamples have grown with (101) preferred direction and annealing caused a increase in the peakintensities of (101) and (100) directions. Also, Atomic Force Microscopy (AFM) measurementshave revealed that annealing process improved the surface quality of the samples. On the otherhand, it has been observed form the absorption measurements that the band gap values of non-annealed and annealed samples were 3.23 and 3.37 eV, respectively. The conductivity type ofthe samples has been determined to be n-type by hot-probe measurements.2006, 50 pages
Benzer Tezler
- Morötesi optoelektronik uygulamalara aday yarıiletken çinkooksitte olası tip dönüşümü ve bantaralığı değişiminin incelenmesi: Oksijen boşlukları ve kalay kusurlarının etkisi
An investigation of type convertibility and band-gap variation in zincoxide towards ultraviolet optoelectronic application: The effects of oxygen vacancies and tin defects
TACETTİN YILDIRIM
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN
- Eş püskürtme tekniği ile büyütülen mgzno ince filmlerin yapısal ve optiksel karakterizasyonu
The structural and optical characterization of mgzno thin films by magnetron co-sputtering
NESLİHAN BOZKURT
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. AKİF ÖZBAY
- ZnO nanoyapıların elektrokimyasal depolama yöntemiyle büyütülmesi ve optik karakterizasyonu
Growth of ZnO nanostructures by electrochemical deposition and optical characterization
TARIK KARABEY
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
PROF. DR. HASAN EFEOĞLU
- Geniş bant aralıklı saydam iletken oksit ZnO ince filmlerinin kalınlığına bağlı elektriksel ve optiksel karakterizasyonu
Thickness dependent electrical and optical characterization of the transparent conductive oxide wide-band gap ZnO thin films
NİLGÜN ERARSLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAkdeniz ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞERAFETTİN YALTKAYA
- Gözenekli silikon taşıyıcılar üzerinde ZnO nanoyapıların büyütülmesi ve karakterizasyonu
Growth and characterization of ZnO nanostructures on porous si̇li̇con substrate
GÜLŞAH AYDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiEge ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ GÖKHAN UTLU