Geri Dön

Geniş band aralıklı ZnO'nun elektrokimyasal yöntemlerle tek kristal büyütülmesi

Single crystal growth of the wide band gap ZnO by electrochemical deposition

  1. Tez No: 181443
  2. Yazar: HARUN GÜNEY
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: ZnO, Elektrokimyasal büyütme, Tavlama etkisii, ZnO, Elektrochemical deposition, Annealing effectii
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 61

Özet

Geniş ve direk band aralıklı ZnO ince filmi, büyütme parametreleri değiştirilerek Indium TinOxide (ITO) film üzerine elektrokimyasal işlemlerle büyütüldü. Yapılan denemeler sonucundaen kaliteli filmlerin, 0.1 molarlık Zn(NO3)2 çözeltisi kullanılarak, -0,9 V potansiyel altında 30 dksüreyle ve 5.2'lik pH değeri korunarak elde edildiği belirlendi. Bu şartların sağlandığı büyütmehücresi içerisinden O2 gazı geçirilerek çözeltinin oksijence doygun olması ve dolayısı ilebüyüme verimin artırılması sağlandı. Bu şartlar altında büyütülen filmler, tavlama işlemininnumunenin optik ve yapısal özellikleri üzerindeki etkilerinin araştırılması için, 3000C'de 30 dksüreyle azot gazı (N2) ortamında el yapımı bir tavlama fırını kullanılarak tavlandı. Tavlanan vetavlanmayan filmler üzerinde yapılan x-ışını kırınımı sonuçlarından, filmlerin (101) tercihliyönelime sahip oldukları ve tavlama işleminin (101) ve (100) piklerinin şiddetlerinde bir artışasebep olduğu gözlendi. AFM ölçümleri, tavlama işleminin, büyütülen filmlerin yüzeymorfolojileri üzerinde bir iyileşme olduğunu ortaya koydu. Soğurma ölçümlerinden ise tavlananfilmin yasak enerji aralığı 3,37 eV olarak ve tavlanmayan filmin yasak enerji aralığı 3,23 eVolarak hesaplandı. Yapılan ısıl uç metodu ölçümleri ile tüm filmlerin n-tipi iletkenliğe sahipolduğu gözlendi.2006, 50 sayfa

Özet (Çeviri)

ZnO thin films having wide and direct band gap were grown onto the conductive Indium TinOxide (ITO) substrates using electrochemical deposition technique, changing the growthparameters. The systematic studies have shown that the best quality films have been obtainedunder a potential of -0.9 V; a pH of 5.2 using a solution of 0.1 M Zn(NO3)2 in 30 min. To passoxygen gas through the solution during the growth process enhanced the growth rate and qualityof the samples grown on ITO. An anneal at 300ºC for 30 min under dry N2 flow in a home-made furnace has been carried out in order to investigate the possible effect of annealing on theoptical and structural characteristics of the samples. X Ray Diffraction (XRD) measurementswhich have been carried out on both the annealed and reference samples showed that allsamples have grown with (101) preferred direction and annealing caused a increase in the peakintensities of (101) and (100) directions. Also, Atomic Force Microscopy (AFM) measurementshave revealed that annealing process improved the surface quality of the samples. On the otherhand, it has been observed form the absorption measurements that the band gap values of non-annealed and annealed samples were 3.23 and 3.37 eV, respectively. The conductivity type ofthe samples has been determined to be n-type by hot-probe measurements.2006, 50 pages

Benzer Tezler

  1. Morötesi optoelektronik uygulamalara aday yarıiletken çinkooksitte olası tip dönüşümü ve bantaralığı değişiminin incelenmesi: Oksijen boşlukları ve kalay kusurlarının etkisi

    An investigation of type convertibility and band-gap variation in zincoxide towards ultraviolet optoelectronic application: The effects of oxygen vacancies and tin defects

    TACETTİN YILDIRIM

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN

  2. Eş püskürtme tekniği ile büyütülen mgzno ince filmlerin yapısal ve optiksel karakterizasyonu

    The structural and optical characterization of mgzno thin films by magnetron co-sputtering

    NESLİHAN BOZKURT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. AKİF ÖZBAY

  3. ZnO nanoyapıların elektrokimyasal depolama yöntemiyle büyütülmesi ve optik karakterizasyonu

    Growth of ZnO nanostructures by electrochemical deposition and optical characterization

    TARIK KARABEY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü

    PROF. DR. HASAN EFEOĞLU

  4. Geniş bant aralıklı saydam iletken oksit ZnO ince filmlerinin kalınlığına bağlı elektriksel ve optiksel karakterizasyonu

    Thickness dependent electrical and optical characterization of the transparent conductive oxide wide-band gap ZnO thin films

    NİLGÜN ERARSLAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAkdeniz Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ŞERAFETTİN YALTKAYA

  5. Gözenekli silikon taşıyıcılar üzerinde ZnO nanoyapıların büyütülmesi ve karakterizasyonu

    Growth and characterization of ZnO nanostructures on porous si̇li̇con substrate

    GÜLŞAH AYDEMİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEge Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ GÖKHAN UTLU