Geri Dön

ZnO yarıiletkeninin kusur karakterizasyonunda DLTS tekniği

Defect characterization of ZnO semiconductor by DLTS technique

  1. Tez No: 181469
  2. Yazar: BAYRAM KILIÇ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: ZnO, DLTS, ZnO, DLTS
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 61

Özet

2005 yılında Fizik bölümüne Sula Tecnologies firmasından alınan kompakt DerinSeviye Geçiş Spektroskopi (DLTS) sisteminin geniş yasak enerji aralıklıyarıiletkenlerden ZnO'da ölçüm için hazır hale getirilmesine çalışıldı. Bu amaçla, DLTSsisteminin kalibre edebilmek için Si yarıiletkeninin kusur karakterizasyonu yapıldı.DLTS ölçümlerinden elde edilen spektrumlardan 3 kusur seviyesinin enerjileri,yakalama tesir kesitleri ve yoğunlukları elde edildi ve bu kusurların literatürle uyumgöstermesinden yararlanılarak aygıtın kalibrasyon işlemi tamamlandı.Kalibrasyon işleminin ardından ZnO'da Gümüş (Ag) metalizasyonunda Schottky veAlüminyum (Al) metalizasyonunda ohmik kontakları University Wafer firmasındansatın alınan bulk ZnO üzerinde üretildi. Ag/ZnO/Al Schottky diyodun odasıcaklığındaki I-V karakteristiğinden yararlanılarak idealite faktörü n=2,75, engelyüksekliği ise ΦB=0,88 eV olarak hesaplandı. Diyotun C-V karakteristiğinden difüzyonpotansiyeli Vd=0,81 V ve 1/C2-V karakteristiğinden ise taşıyıcı yoğunluğu Nd=6,7x1014cm-3 olarak bulundu. DLTS ölçümleri sonucunda ise Ec-0,64 eV enerjisinde yerleşmişbir elektron tuzağı tespit edildi. Çizilen Arhenius grafiğinden yakalama tesir kesiti0,61x10-15 cm-2 olarak bulundu. Taşıyıcı yoğunluğu ise 4,65 x 1013cm-3 hesaplandı. Bubilgiler ışığında bu kusurun yoğunluğunun yüksek olmasından dolayı önemli bir bulkkusuru olduğu sonucuna varıldı2006, 50 Sayfa

Özet (Çeviri)

Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS), which is bought from Sula Technologiesfirm in 2005, system is tried to get measurements ready for the wide bandgapsemiconductor such as ZnO. For the aim of DLTS?s calibration, a defectcharacterization of Si was performed and obtained spectrums from DLTS measurementwere used to get the defect level energies, capture cross sections and concentrations.The calibration process of the device was completed because of the well fits of the datataken from the DLTS with literature for Si.After the calibration Ag and Al metallization were performed on ZnO, which boughtfrom University Wafer firm, as a Schottky and ohmic contact, respectively. Ag/ZnO/Altype Schottky diode?s room temperature I-V characteristic results in ideality factory as2,75, barrier height as 0,88 eV. From the C-V characteristics of diode, diffusionpotential were found as 0,81V and from the 1/C2-V carrier concentration were found as6,7 1014 cm-2. An electron trap located at Ec-0,64 eV were determined with the help ofDLTS measurements. Also Arhenius plot results in capture cross section as 0,61x10-15cm-2. Carrier concentration were calculated as 4,65 1012cm-2. With the light of theseknowledge?s we concluded the defect has an important bulk nature defect.2006, 50 Pages

Benzer Tezler

  1. Çinko oksit yarı iletkeninin yapısal, optik ve elektriksel karakterizasyon teknikleriyle incelenmesi

    An investigation of semiconductor zinc oxide via structural, optical and electrical characterization techniques

    EMRE GÜR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN

  2. ZnO'nun seyreltilmiş manyetik yarıiletken olarak elektrokimyasal yöntemle büyütülmesi ve karakterizasyonu

    Growth and characterization of ZnO as diluted magnetic semiconductor by electrochemical method

    HARUN GÜNEY

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CEVDET COŞKUN

  3. Çinko sülfit yapıdaki ZnO' nun elektronik ve titreşim özelliklerinin incelenmesi

    Inspection of zinc-sulfite structured ZnO's electronic vibration features

    HAKAN KOZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSakarya Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. İBRAHİM OKUR

  4. ZnO bileşik yarıiletkeninin optik parametrelerinin incelenmesi

    Investigation of the optical parameters of ZnO compound semiconductor

    HÜLYA ŞAHİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. EBRU ŞENADIM TÜZEMEN

  5. Tio2 mesoporous/zno nanotel tabanlı tandem (katmanlı) nano yarıiletkenlerin üretilerek optoelektronik özelliklerinin incelenmesi ve boya ile duyarlı fotovoltaik hücrelerin üretilmesi

    Investigation of optoelectronic properties by producing tio2 mesoporous / zno nanotel based tandem (layered) nano semiconductor and producing dye-sensi̇ti̇zed solar cell

    VOLKAN ÇELİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    EnerjiYalova Üniversitesi

    Enerji Sistemleri Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BAYRAM KILIÇ