InSe ince filmlerin sılar yöntemiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu
Growth and characterization of InSe thin films from silar technique
- Tez No: 181470
- Danışmanlar: PROF. DR. MUHAMMET YILDIRIM
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: InSe, SILAR, SEM, XRDi, InSe, SILAR, SEM, XRDii
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
InSe ince filmler, bir yüzeyi selefon bant kaplı ve yaklaşık boyutları 1cm x 2cm olancam altlıklar üzerine, oda sıcaklığında SILAR (Successive Ionic Layer Adsorption andReaction) tekniği kullanılarak büyütüldü. Filmlerin yüzey morfolojik, elementel veelektriksel özellikleri sırasıyla SEM (Taramalı Elektron Mikroskobu), XRD (X-ışınıDifraksiyonu) ve iki nokta prob yöntemi kullanılarak incelendi. Elde edilen SEMgörüntülerinden, filmlerin homojen olduğu ve artan film kalınlığıyla birlikte tanecikbüyüklüğünün arttığı gözlendi. XRD ölçümlerinden, InSe ince filmlerin In2Se3 ikincilfazıyla birlikte oluştuğu belirlendi. Büyütülen filmlerin özdirencinin sıcaklıkla değişimiiki nokta prob yöntemi kullanılarak tayin edildi ve özdirencin artan sıcaklıkla birlikteazaldığı ve bu değişimin lineer olmadığı belirlendi. Büyütülen filmlerde termalelektromotor kuvveti ölçümleri yapıldı ve n-tipi iletkenlik tespit edildi. Optik soğurmaölçümleri yardımıyla yasak enerji aralığının sıcaklığa ve kalınlığa bağlı olarak değişimiincelendi. Filmlerin yasak enerji aralığının sırasıyla 10K ve 320K sıcaklık değerleri için2,208 eV ve 2,08 eV değerlerini; 477 nm ve 903 nm kalınlık değerleri için ise sırasıyla2,215 eV ve 2,084 eV değerini aldığı görüldü.2006, 79 Sayfa
Özet (Çeviri)
InSe thin films were grown on glass substrates of 1cm x 2 cm dimension which one sidewere covered by cellophane band by using the SILAR (Successive Ionic LayerAdsorption and Reaction) technique at room temperature. Surface morphological,compositional and electrical properties of the films were investigated by SEM (scanningelectron microscopy), XRD (X-ray diffraction) and two point probe methodrespectively. The SEM images showed that the films were homogenous and the particlesize increased with increasing the thickness of the films. The formation of InSe withIn2Se3 secondary phase was determined by XRD measurement. The resistivity variationwith temperature of the films was investigated by two point probe method and it isdetermined that the resistivity of the films decreased with increasing temperature andthis variation is non-linear. Thermo efm measurements were carried out on grownsamples and n-type conductivity was found. With the help of optical absorptionmeasurement, the variation of optical band gap value with temperature and thicknesswas investigated. It?s seen that increasing temperature and thickness of the films resultin decreasing of the band gap values from 2,208 eV to 2,08 eV and from 2,215 eV to2,084 eV respectively.2006, 79 Pages
Benzer Tezler
- a-SiOx:H ve kristal silisyumdan (c-Si) oluşan a-SiOx:H/c-Si heteroeklem güneş pillerinin fabrikasyonunu ve karakterizasyonu
The characterisation and fabrication of a-SiOx:H/c-Si heterojunction solar cells
OKAN YILMAZ
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN ÖZDEMİR
DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ
- Sb2Se3 ince filmlerinin sülfürizasyonu ile üretilen Sb2(S,Se)3 soğurucu katmanlarının karakterizasyonu
Characterization of Sb2(S,Se)3 absorber layers fabricated by sulfurization of sb2se3 thin films
MEMDUH EMİRHAN EKREN
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Enerjiİskenderun Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ FULYA KÖSEOĞLU
- Güneş pillerinin cigs soğurucu tabakasının radyasyon karşısındaki davranışı
Behavior of cigs absorber layer of solar cells against to radiation
UTKU CANCİ MATUR
Doktora
Türkçe
2017
Nükleer Mühendislikİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilimi ve Teknolojileri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
- Sprey piroliz yöntemiyle Cu(In,Ga)(S,Se)2 ince film foto elektrokimyasal güneş hücrelerinin geliştirilmesi
Developing Cu(In,Ga)(S,Se)2 thin film photoelectrochemical solar cells via spray pyrolysis method
NAZİRE SİMAY ŞAHSUVAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
EnerjiTobb Ekonomi ve Teknoloji ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
PROF. DR. NURDAN DEMİRCİ SANKIR
- Characterization of Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) thin films with Cu- and Zn-poor composition deposited by one-step thermal evaporation
Tek adımlı termal buharlaştırma yöntemiyle biriktirilen Cu- ve Zn-fakir bileşimli Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) ince filmlerin karakterizasyonu
ZEKİ ALİHAN BAYRI
Yüksek Lisans
İngilizce
2026
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAKAN KARAAĞAÇ