InSe ince filmlerin sılar yöntemiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu
Growth and characterization of InSe thin films from silar technique
- Tez No: 181470
- Danışmanlar: PROF. DR. MUHAMMET YILDIRIM
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: InSe, SILAR, SEM, XRDi, InSe, SILAR, SEM, XRDii
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 92
Özet
InSe ince filmler, bir yüzeyi selefon bant kaplı ve yaklaşık boyutları 1cm x 2cm olancam altlıklar üzerine, oda sıcaklığında SILAR (Successive Ionic Layer Adsorption andReaction) tekniği kullanılarak büyütüldü. Filmlerin yüzey morfolojik, elementel veelektriksel özellikleri sırasıyla SEM (Taramalı Elektron Mikroskobu), XRD (X-ışınıDifraksiyonu) ve iki nokta prob yöntemi kullanılarak incelendi. Elde edilen SEMgörüntülerinden, filmlerin homojen olduğu ve artan film kalınlığıyla birlikte tanecikbüyüklüğünün arttığı gözlendi. XRD ölçümlerinden, InSe ince filmlerin In2Se3 ikincilfazıyla birlikte oluştuğu belirlendi. Büyütülen filmlerin özdirencinin sıcaklıkla değişimiiki nokta prob yöntemi kullanılarak tayin edildi ve özdirencin artan sıcaklıkla birlikteazaldığı ve bu değişimin lineer olmadığı belirlendi. Büyütülen filmlerde termalelektromotor kuvveti ölçümleri yapıldı ve n-tipi iletkenlik tespit edildi. Optik soğurmaölçümleri yardımıyla yasak enerji aralığının sıcaklığa ve kalınlığa bağlı olarak değişimiincelendi. Filmlerin yasak enerji aralığının sırasıyla 10K ve 320K sıcaklık değerleri için2,208 eV ve 2,08 eV değerlerini; 477 nm ve 903 nm kalınlık değerleri için ise sırasıyla2,215 eV ve 2,084 eV değerini aldığı görüldü.2006, 79 Sayfa
Özet (Çeviri)
InSe thin films were grown on glass substrates of 1cm x 2 cm dimension which one sidewere covered by cellophane band by using the SILAR (Successive Ionic LayerAdsorption and Reaction) technique at room temperature. Surface morphological,compositional and electrical properties of the films were investigated by SEM (scanningelectron microscopy), XRD (X-ray diffraction) and two point probe methodrespectively. The SEM images showed that the films were homogenous and the particlesize increased with increasing the thickness of the films. The formation of InSe withIn2Se3 secondary phase was determined by XRD measurement. The resistivity variationwith temperature of the films was investigated by two point probe method and it isdetermined that the resistivity of the films decreased with increasing temperature andthis variation is non-linear. Thermo efm measurements were carried out on grownsamples and n-type conductivity was found. With the help of optical absorptionmeasurement, the variation of optical band gap value with temperature and thicknesswas investigated. It?s seen that increasing temperature and thickness of the films resultin decreasing of the band gap values from 2,208 eV to 2,08 eV and from 2,215 eV to2,084 eV respectively.2006, 79 Pages
Benzer Tezler
- The effects of post-annealing process on the physical properties of silver-indium-selenium ternary semiconductor thin films deposited by electron beam technique
Üretim sonrası tavlama işleminin elektron demeti tekniğiyle büyütülen gümüş-indiyum-selenyum üçlü yarıiletken ince filmlerin fiziksel özelliklerine etkileri
TAHİR ÇOLAKOĞLU
Doktora
İngilizce
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET PARLAK
- Investigation of electrical and optical properties of Ag-In-Se based devices
Ag-In-Se tabanlı aygıtların elektiriksel ve optik özelliklerinin tespit edilmesi
MURAT KALELİ
Doktora
İngilizce
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. MEHMET PARLAK
- Preparation and electrical structural optical characterization of İn Se thin films
İn Se ince filmlerin hazırlanışı ve elektrik yapı, optik karakterizasyonu
MEHMET PARLAK
Doktora
İngilizce
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ
- InSe yarıiletken ince filmlerin cam ve siyah silikon üzerine büyütülerek yapısal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
Growth of inse thin film semiconductor on glass and black silicon substrates investigation of their structural and optical properties
CANSU EMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEMA BİLGE OCAK
- Characterization of vacuum deposited indium selenide thin films and Schottky barrier diodes
Vakumda büyütülmüş p-InSe ince filmlerin ve Schottky diyotların karakterizasyonu
ÖZLEM PEHLİVAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ