Geri Dön

InSe ince filmlerin sılar yöntemiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu

Growth and characterization of InSe thin films from silar technique

  1. Tez No: 181470
  2. Yazar: AYKUT ASTAM
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MUHAMMET YILDIRIM
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: InSe, SILAR, SEM, XRDi, InSe, SILAR, SEM, XRDii
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 92

Özet

InSe ince filmler, bir yüzeyi selefon bant kaplı ve yaklaşık boyutları 1cm x 2cm olancam altlıklar üzerine, oda sıcaklığında SILAR (Successive Ionic Layer Adsorption andReaction) tekniği kullanılarak büyütüldü. Filmlerin yüzey morfolojik, elementel veelektriksel özellikleri sırasıyla SEM (Taramalı Elektron Mikroskobu), XRD (X-ışınıDifraksiyonu) ve iki nokta prob yöntemi kullanılarak incelendi. Elde edilen SEMgörüntülerinden, filmlerin homojen olduğu ve artan film kalınlığıyla birlikte tanecikbüyüklüğünün arttığı gözlendi. XRD ölçümlerinden, InSe ince filmlerin In2Se3 ikincilfazıyla birlikte oluştuğu belirlendi. Büyütülen filmlerin özdirencinin sıcaklıkla değişimiiki nokta prob yöntemi kullanılarak tayin edildi ve özdirencin artan sıcaklıkla birlikteazaldığı ve bu değişimin lineer olmadığı belirlendi. Büyütülen filmlerde termalelektromotor kuvveti ölçümleri yapıldı ve n-tipi iletkenlik tespit edildi. Optik soğurmaölçümleri yardımıyla yasak enerji aralığının sıcaklığa ve kalınlığa bağlı olarak değişimiincelendi. Filmlerin yasak enerji aralığının sırasıyla 10K ve 320K sıcaklık değerleri için2,208 eV ve 2,08 eV değerlerini; 477 nm ve 903 nm kalınlık değerleri için ise sırasıyla2,215 eV ve 2,084 eV değerini aldığı görüldü.2006, 79 Sayfa

Özet (Çeviri)

InSe thin films were grown on glass substrates of 1cm x 2 cm dimension which one sidewere covered by cellophane band by using the SILAR (Successive Ionic LayerAdsorption and Reaction) technique at room temperature. Surface morphological,compositional and electrical properties of the films were investigated by SEM (scanningelectron microscopy), XRD (X-ray diffraction) and two point probe methodrespectively. The SEM images showed that the films were homogenous and the particlesize increased with increasing the thickness of the films. The formation of InSe withIn2Se3 secondary phase was determined by XRD measurement. The resistivity variationwith temperature of the films was investigated by two point probe method and it isdetermined that the resistivity of the films decreased with increasing temperature andthis variation is non-linear. Thermo efm measurements were carried out on grownsamples and n-type conductivity was found. With the help of optical absorptionmeasurement, the variation of optical band gap value with temperature and thicknesswas investigated. It?s seen that increasing temperature and thickness of the films resultin decreasing of the band gap values from 2,208 eV to 2,08 eV and from 2,215 eV to2,084 eV respectively.2006, 79 Pages

Benzer Tezler

  1. The effects of post-annealing process on the physical properties of silver-indium-selenium ternary semiconductor thin films deposited by electron beam technique

    Üretim sonrası tavlama işleminin elektron demeti tekniğiyle büyütülen gümüş-indiyum-selenyum üçlü yarıiletken ince filmlerin fiziksel özelliklerine etkileri

    TAHİR ÇOLAKOĞLU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET PARLAK

  2. Investigation of electrical and optical properties of Ag-In-Se based devices

    Ag-In-Se tabanlı aygıtların elektiriksel ve optik özelliklerinin tespit edilmesi

    MURAT KALELİ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF. DR. MEHMET PARLAK

  3. Preparation and electrical structural optical characterization of İn Se thin films

    İn Se ince filmlerin hazırlanışı ve elektrik yapı, optik karakterizasyonu

    MEHMET PARLAK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1997

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ

  4. InSe yarıiletken ince filmlerin cam ve siyah silikon üzerine büyütülerek yapısal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

    Growth of inse thin film semiconductor on glass and black silicon substrates investigation of their structural and optical properties

    CANSU EMİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEMA BİLGE OCAK

  5. Characterization of vacuum deposited indium selenide thin films and Schottky barrier diodes

    Vakumda büyütülmüş p-InSe ince filmlerin ve Schottky diyotların karakterizasyonu

    ÖZLEM PEHLİVAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2001

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ