n-InSe ve n-InSe:Sn tek kristallerinin yasak enerji aralığına elektrik alanın etkisi ve n-InSe: Sn yarıiletkeninin schottky kontak davranışı
The electric field effect on band gap energy of n-InSe:Sn and n-InSe:Sn single crystals and schottky contact behavior of semiconductor n-InSe:Sn
- Tez No: 181471
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. BEKİR GÜRBULAK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: InSe, InSe:Sn, Soğurma, Eksiton, Elektrik Alan, Schottky EngelYüksekliği, Metal-Yarıiletken-Metal Kontaklar, Akım-Gerilim.i, InSe, InSe:Sn, Absorption, Exciton, Electric Field, Schottky Barrier Height, Metal-Semiconductor-Metal Contacts. Current-Voltage.ii
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Brigdman-Stockbarger metoduyla büyütülen n-InSe ve n-InSe:Sn yarıiletken kristallerinsıcaklığa bağlı optik soğurma ölçüleri 10-320 K sıcaklık aralığında, 10 K'lik adımlarlaalınmıştır. Eksiton enerjisinin ve yasak enerji aralığının sıcaklığa bağlı değişimiincelenmiştir. Yapıya katkılanan Sn elementi, InSe kristalinin optik soğurma şiddetiniartırarak soğurma kıyısının daha kısa dalgaboylu tarafa kaymasına neden olmuştur.Numunelere, 0-9 kV/cm arasında 1 kV/cm'lik adımlarla uygulanan elektrik alan,soğurma kıyısını daha uzun dalgaboylu tarafa kaydırmış, soğurma şiddetini ve soğurmaeğrisinin eğimini azaltmıştır. Bu kayma, Franz-Keldysh etkisi veya numunelerin termalolarak ısınması (Joule ısısı) ile açıklanmıştır. Bu çalışmanın ikinci kısmında,Au-Ge/n-InSe:Sn/In diyodun akım-gerilim (I-V) karakteristikleri 80-320 K sıcaklıkaralığında 20 K'lik adımlarla tayin edilmiştir. Sıcaklığın azalması ile idealite faktöründeartma, engel yüksekliğinde ise azalma gözlemlenmiştir. Bu davranış, metal yarıiletkenarayüzeylerde engel yüksekliğinin Gaussian dağılıma sahip olduğu varsayılarak engelinhomojenliğine atfedilmiştir.
Özet (Çeviri)
The optical absorption measurements of semiconductor crystals n-InSe and n-InSe:Sngrown by Bridgman-Stockbarger method have been performed as a function oftemperature with 10 K increments in the range 10-320 K. The variations of exciton andband gap energies of the crystals have been investigated as a function of temperature.The doping of the element Sn to the structure of InSe increased the absorption intensityof InSe crystal and caused the shifting of the absorption edge towards the shorterwavelength side. The electric field applied to samples in 1 kV/cm increments in therange of 0-9 kV/cm has caused to the shift of the absorption edge towards longerwavelength side and to decrease both the absorption intensity and the slope ofabsorption curve. The shift of absorption edge has been explained on the basis of theFranz-Keldysh effect or thermal heating of the sample (Joule heat). Secondly, thecurrent-voltage (I-V) characteristics of Au-Ge/InSe(:Sn)/In Schottky diodes have beenmeasured with 20 K increments in the range 80-320 K. The experimental barrier heighthas increased and the ideality factor has decreased with the increasing temperature. Thisbehaviour has been attributed to the barrier inhomogeneities by assuming a Gaussiandistribution of barrier heights at the metal-semiconductor interface.
Benzer Tezler
- Prediction of new generation two-dimensional ternary structures andinvestigation of their fundamental properties
Prediction of new generation two-dimensional ternary structures andinvestigation of their fundamental properties
MIRALI JAHANGIRZADEH VARJOVI
Doktora
İngilizce
2023
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
DOÇ. DR. ENGİN DURGUN
- Endodontik tedavi görmüş dişlerde kavite temizleme tekniklerinin çeşitli adeziv sistemlerin dentine bağlantısına etkileri
Effects of cavity cleaning techniques on various adhesive systems to bond of dentin in endodontically treated teeth
FEHİME ALKAN
Doktora
Türkçe
2017
Diş HekimliğiGazi ÜniversitesiDiş Hastalıkları ve Tedavisi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HACER DENİZ ARISU
- Kuru incirlerde küf florası ve aflatoksigenik küflerin saptanması
Başlık çevirisi yok
SİBEL BÜYÜKŞİRİN
- Synthesis of copper zinc tin sulfide CZT(S,Se) with solution based method and formation and characterization of CZT(S,Se) thin films for photovoltaic application
Solüsyon yöntemiyle CZTS sentezi ve fotovoltaik devreler için CZTS ince film oluşturma ve film özelliklerini inceleme
RIDVAN ERĞUN
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ELİF ÜLKÜ ARICI