Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum deneklerde modüle edilmiş fotoiletkenlik ölçümleri
Modulated photoconductivity measurements on the hydrogenated amorphous silicon samples
- Tez No: 182233
- Danışmanlar: PROF.DR. AYNUR ERAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Modulated photoconductivity, density of states, hydrogenatedamorphous silicon
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 116
Özet
Özet yok.
Özet (Çeviri)
It is important to obtain detailed information on the band gap defect states in thehydrogenated amorphous silicon and its alloy to understand not only electrical andoptical properties but their further device application. The MPC technique has beenused commonly in order to perform a spectroscopy of the density of states (DOS).In the MPC technique, the sample is illuminated with monochromatic lightconsisting of a dc part and a small ac part. Due to interaction of free carriers withband gap states (trapping-emission and recombination), the modulatedphotocurrent will be phase shifted refered to light excitation. The information aboutthe energetic distribution of gap states can be obtained from the amplitude of themodulated photocurrent and the phase shift.In this study, MPC measurements were performed on the hydrogenatedamorphous silicon samples prepared by PECVD. It has been given a review of thetheory; starting from the pioneering work of Oheda, then emphasizing theimprovements made by Brüggemann and Kleider?s approaches. From the MPCdata, the capture coefficients of the electrons by the defect states were calculatedand the energetic distribution of gap states was determined in scanned energyrange. The DOS values has been evaluated in the framework of existing modelsand compared with the data from literature, both in the high frequecy regime andlow frequecy regime.
Benzer Tezler
- Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum filmlerin optik katsayılarını belirlemede kullanılan deneysel yöntemlerin karşılaştırılması
Comparison of experimental methods used for determination of optical constants of hydrogenated amorphous silicon
GÜNGÖR TAYYAR
- Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum ve silisyum-karbon alaşımlarında ışık ile yaratılan yarı-kararlı kusurların incelenmesi
Light-induced metastable defect studies in hydrogenated amorphous silicon and silicon-carbon alloys
ALP OSMAN KODOLBAŞ
Doktora
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖZCAN ÖKTÜ
- Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum filmlerde konuma bağımlı fotogerilim ölçümleri
Lateral photovoltage measurements in hydrogenated amorphous silicon
BANU ÇOMAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖZCAN ÖKTÜ
DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ
- Azotca zengin hidrojenlendirilmiş amorf silisyum-azot (a-SİNx:H) filmlerin elektrik ve optik özellikleri
Electrical and optical properties of nitrogen-rich hydrogenated amorphous silicon-nitride (a-SİNx:H) films
YASİN DÜVEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF.DR. HÜSEYİN TOLUNAY
- Amorf silisyum ve alaşımları heteroeklemlerin elektronik ve optik özelliklerinin incelenmesi
Electronic and optical properties of heterostructures fabricated by using a-Si:H and its alloys
İLKER AY
Doktora
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSEYİN TOLUNAY