Mn/P-Si schottky diyotunun hidrostatik basınç altında I-V karakterizasyonu
I-V characterization of Mn/P-Si schottky diode under hydrostatic pressure
- Tez No: 182458
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. GÜVEN ÇANKAYA
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Metal-Yarıiletken Kontaklar, Schottky Engeli, Elektriksel Özellikler, Metal-Semiconductor Contacts, Schottky Barrier, Electrical properties
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gaziosmanpaşa Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Schottky kontakların elektronik endüstride önemli rolleri bulunmaktadır ve metal-yarıiletken kontaklar hakkında bildiğimiz birçok şey Schottky engel kontakların elektrikselkarakterizasyonundan elde edilmiştir. Bu yapılar pratikteki cihaz uygulamaları ve değişikkalitede malzeme yapımı açısından önem arzeden araştırma cihazlarıdır. İdealite faktörü,seri direnç, ve Schottky engel yüksekliği (SBH) Φb gibi Schottky diyot parametreleriAkım-Voltaj (I-V) karakteristiği ve Cheung fonksiyonları ile hidrostatik basıncın birfonksiyonu olarak elde edilmektedir.Schottky diyotlar üzerine geniş bir platformda gerçekleştirilen çalışmaların çoğu buyapılardaki iletim mekanizmasının anlaşılması üzerine olmuştur. Bir Schottky engelindekiiletim mekanizması ise Schottky diyot parametrelerinin hesaplanması ve yapıda gözlenenetki ve davranışlarının izahı için yeterli olabilmektedir. Schottky diyotlarda gözlenen idealolmayan davranışlar ise metal kontak ile yarıiletken ara yüzeyinde bulunan ara yüzeytabakası ve ara yüzey hallerinin etkisine atfedilmiştir. Daha kaliteli Schottky diyot yapımıve engel yüksekliğinin istenilen değere ayarlanmasındaki en büyük problem, ara yüzeyhallerinden dolayı Fermi seviyesinin mıhlanmasıdır (FSM). Bununla alakalı olarak diyotunperformans ve güvenirliliği de ara yüzey hallerine bağlı olarak değişmektedir. Bu yüzdenbizde bu çalışmamızda elektronik sanayide daha yüksek kalitede cihaz elde etmek ve FSMolayının önemini izah etmek için bu yapıların doğasını araştırmak istedik.
Özet (Çeviri)
Schottky contacts have an important role in electronic industry and much of ourunderstanding of metal-semiconductor (MS) contacts is derived from the electricalcharacterization of Schottky barrier (SB) contacts. These structures are important researchtools for the application in practical devices and construction of materials with variousqualities. Schottky diode parameters such as the ideality factor, the series resistance andthe Schottky barrier height (SBH) Φb have been obtained as a function of hydrostaticpressure using the current-voltage data and Cheung functions.Many of the studies which are made in a wide platform about Schottky diodes have beenmade to understand the conduction mechanism across such these devices. Knowledge ofthe conduction mechanism across a Schottky barrier is essential in order to calculateSchottky barrier parameters and explain the observed effects and behaviors. The non-idealbehavior observed in Schottky barrier diodes (SBDs) has generally been attributed to theeffect of interface states and interfacial layer, which are present between metal contact andsemiconductor interface. The biggest problem in formation Schottky barrier diodes withhigh quality and regulating the changing of the barrier height is Fermi level pinningbecause of the interface states. Due to this, the performance and reliability of a Schottkydiode change according to the interface states. So, we wanted to search the nature of thesedevices to explain the importance of pinning the Fermi level to fabricate devices withhigher quality in electronic industry.
Benzer Tezler
- Perilensiz ve perilenli Al/p-Si schottky engel diyotların elektriksel özelliklerinin oda sıcaklığında karşılaştırılması
A comparative study on the electrical characterization of Al/p-Si (MS) structures with and without interfacial perylene (C2OH12) layer at room temperature
ÇİĞDEM BİLKAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Yalıtkan arayüzey tabakası ve seri dirence sahip Al/ SnO2/ p-Si schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
Investigation of temperature dependent electrical characteristics of Al/ SnO2/ p-Si schottky diodes with serial resistance and interfacial insulator layers
ZEKİ TEKELİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Yüksek performanslı metal-yarı iletken Schottky diyotların elde edilmesi için yeni nesil nano yapılı grafen esaslı kompozit malzemelerin üretilmesi
Production of new generation nano-constructed graphen based composite materials for obtaining high performance metal-semiconductor Schottky diode
HALİL ÖZERLİ
Doktora
Türkçe
2017
Mühendislik BilimleriKahramanmaraş Sütçü İmam ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
- Arayüz oksit tabakası ve seri dirence sahip ruln-Si schottky diyod parametrelerinin doğru beslem I-V ve C-V karakteristiklerinden hesaplanması
Başlık çevirisi yok
ÖZKAN VURAL
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Au/Antrakinon/p-Si/Al schottky diyodun temel karakteristik parametrelerinin sıcaklığa bağlı I-V (Akım-Voltaj) ve C-V Kkapasite-Voltaj) ölçümlerinden tayin edilmesi
Indication of basic characteristic parameters of Au/Antrakinon/p-Si/Al schottky diod dependent on heat Current-Voltage (I-V) and Capacity-Voltage (C-V) measurements
ZAKİR ÇALDIRAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞAKİR AYDOĞAN