Azot içeren düşük boyutlu yarıiletkenlerde foto olayların incelenmesi
An investigation of the photo effects in nitrogen containing low dimensional semiconductor
- Tez No: 184464
- Danışmanlar: PROF. DR. NURTEN ÖNCAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2004
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada GaxIn1-xNyAs1-y ve GaxIn1-xAs kuantum kuyularına sahip düşük boyutluyarıiletkenlerde foto olaylar incelenmiştir.30K ile oda sıcaklığı arasında yapılan Fotoiletkenlik ve Fotovoltaj deneyleri ileörneklerin geçiş enerjileri ve optik kalitesi belirlenmeye çalışılmıştır. İncelenen örnekleraynı yapıya sahiptir, farklı olarak örneklerden birine termal tavlama işlemiuygulanmıştır. Örneklerden elde edilen sonuçların karşılaştırılmasıyla, termaltavlamanın örneklerin optik kalitesini arttırdığı ancak GaInNAs ve GaInAs yapılarındabant aralığının genişlemesine sebep olduğu anlaşılmıştır. Bant aralığındaki genişleme,Azot atomunun en yakın komşu konfigürasyonundaki değişim ve kuantum kuyusuylaengel tabakaları arasında Ga-In atomlarının difüzyonu ile açıklanmıştır.Elde edilen sonuçlar GaInAs yapısına çok düşük oranlarda Azot (N) katılmasıyla bantaralığının belirgin bir biçimde daraldığını göstermiştir. Bundan dolayı Azot içerendüşük boyutlu yarıiletkenlerin optik haberleşme sistemlerinde 1.3µm ve 1.55µm dalgaboylarında çalışan aygıt yapımında kullanılabileceği düşünülmektedir.
Özet (Çeviri)
In this study, the photo effects were investigated in the low dimensional GaxIn1-xNyAs1-yand GaxIn1-xAs quantum well structures.The optical quality and inter band transition energies were obtained byPhotoconductivity and in-plane Photovoltage experiments at temperatures between 30Kand room temperature. Two samples with same structure were used in the experiments:one of them is thermal annealed and the other one is as-grown. The effects of thethermal annealing were investigated by comparison of the both Photoconductivity andin-plane Photovoltage results for as-grown and annealed samples. The obtained resultsshowed that the annealing process not only improves the optical quality of the samplesbut also causes blueshift of the effective energy band gaps of GaInAs and GaInNAsquantum wells. This obtained blueshift behaviour was explained by redistribution of thenearest neighbour atoms around N and fluctuations of the well width due tointerdiffusion of Ga-In atoms.The results also indicated that incorporation of a few percent of nitrogen into the latticeof GaInAs has drastic effects on its band structure resulting in band gap reduction.Therefore, it is concluded that N-containing low dimensional semiconductor systems arevery promising for the 1.3µm and 1.55µm windows of the optical communication.
Benzer Tezler
- III-N-V grubu düşük boyutlu yarıiletken sistemlerde taşıyıcı transport olaylarının incelenmesi
An investigation of carrier transport evets in III-N-V group low dimension semiconductor systems
METİN ASLAN
Doktora
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. M. ÇETİN ARIKAN
- Nano boyutlu sıfır değerlikli demir (SDD) parçacıklarının anaerobik amonyum oksidasyonu (Anammox) prosesi üzerine etkileri
The effect of nano sized zero valent iron (NZVI) particles on anaerobic ammonium oxidation (Anammox) process
ZEYNEP PINAR FIRAT AYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Çevre MühendisliğiMarmara ÜniversitesiÇevre Bilimleri Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BİLGE ALPASLAN KOCAMEMİ
- Tıbbi uygulamalar için bor içeren ftalosiyaninler
Boron substituted phthalocyanines for medicinal applications
BAHAR BİRSÖZ
- Effect of low temperature nitriding on the impact sliding wear behavior of an austenitic stainless steel
Düşük sıcaklık nitrasyon işleminin östenitik paslanmaz çeliğin darbeli kayma aşınma davranışına etkisi
TUFAN GÜMÜŞLÜ
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSEYİN ÇİMENOĞLU
PROF. DR. ERDEM ATAR