MOS tranzistörlerde hızlı yaşlandırma ile güvenilirlik koşullarının belirlenmesi
Determination of reliability conditions in MOS transistors with fast aging
- Tez No: 184505
- Danışmanlar: PROF.DR. AYTEN KUNTMAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2004
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZETMOS TRANZİSTÖRLERDE HIZLI YAŞLANDIRMA İLE GÜVENİLİRLİKKOŞULLARININ BELİRLENMESİBu çalışmada laboratuvar şartlarında hızlandırılmış ölçümlerle PMOS ve NMOS tranzistorlarile bu tranzistorlardan oluşmuş OTA yapısının sıcak taşıyıcı kaynaklı yorulmadan nasıletkilendiği incelenmiştir. Deneysel ölçüm sonuçları ve benzetim sonuçları verilmiştir.Tranzistorların sıcak taşıyıcı kaynaklı yorulmayla değişen parametreleri incelenmiştir. Çıkışakımının zamanla yüzde değişim eğrileri çıkartılarak, bu yorma koşulları altında bozulupbozulmadıkları gözlemlenmiştir.Tranzistor parametrelerindeki değişimin bu tranzistorlardan oluşan bir devreyi nasıletkilediğini incelemek için bir OTA yapısı laboratuvar koşullarında sıcak taşıyıcı kaynaklıyorulmaya maruz bırakılmıştır. OTA' nın çıkış akımındaki değişim incelenmiştir. ?Spice?programı yardımıyla yapı içinde sıcak taşıyıcıdan en çok etkilenen tranzistorlar belirlenerek,bu tranzistordaki akım değişimine bağlı olarak OTA' nın çıkış akımı değişiminin benzetimiyapılmıştır. OTA' nın eğimindeki değişim gözlenmiştir.Bir OTA' dan oluşan 1. dereceden alçak geçiren süzgeç ile iki OTA' dan oluşan 2. derecedenalçak geçiren süzgecin benzetimi yapılarak süzgeç yapılarının sıcak taşıyıcı kaynaklıyorulmadan nasıl etkilendikleri incelenmiştir.viii
Özet (Çeviri)
SUMMARYDETERMINATION OF RELIABILITY CONDITIONS IN MOS TRANSISTORSWITH FAST AGINGIn this study, PMOS and NMOS transistors and an OTA that is including these transistors,were examined how they are affected from hot carrier induced degradation by accerelatedmeasurement at laboratory conditions. Emprical measurement and simulation results aregiven.Changed parameters of transistors with hot carrier induced degradation are examined.Percentage change of output current with time are examined and monitor whether they arebroken down under this degradation conditions.An OTA structure is exposed hot carrier induced degradation at laboratory conditions toanalyse the affect of changed parameters of transistor. The output current of OTA isinvestigated. Most affected transistors are determined by using Spice programme and outputcurrent of OTA is simulated dependent to that current change. Change of OTA?stransconductance is observed.First order low pass filter that is including one OTA and second order low pass filter that isincluding two OTAs are simulated to examine how the filters are affected from hot-carrierinduced degradation.ix
Benzer Tezler
- A 16-b 32 MSPS CMOS voltage output DAC in 0.18 um with 80+ dB simulated SFDR at 1 MHz output frequency
1 MHz çıkış frekansında 80+ dB SFDR başarımı elde eden 0.18 um 16-b 32 MSPS CMOS gerilim çıkışlı sayısal-analog çevirici tasarımı
ÇAĞLAR ÖZDAĞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. TÜRKER KÜYEL
- Yeni aktif eleman yapıları ve analog devre tasarımındaki uygulamaları
New active component structures and their applications to analog circuit design
UMUT ENGİN AYTEN
Doktora
Türkçe
2009
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HERMAN SEDEF
- Çok düzeyli statik bellek gözesi ve kohonen türü yapay sinir ağına uygulanması
Multiple valued static storage cell and its application to kohonen type neural network
NURETTİN YAMAN ÖZELÇİ
Doktora
Türkçe
1999
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. UĞUR ÇİLİNGİROĞLU
- Statistical design and yield enhancement of low voltage cmos VLSI circuits
Düşük gerilimli analog VLSI devrelerin istatistiksel tasarımı
TUNA B. TARIM
Doktora
İngilizce
1999
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. H. HAKAN KUNTMAN
- Modeling statistical variations in MOS transistors
MOS transistörlerde istatistiksel değişimlerin modellenmesi
GÜLİN TULUNAY
Yüksek Lisans
İngilizce
2001
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiPROF. DR. ATİLLA ATAMAN