Geri Dön

Si üzerine büyütülmüş Au (111) yüzeyinin taramalı tünellemeli mikroskop ile incelenmesi

Investigation of Au (111) on Si surface by means of scanning tunneling microscopy

  1. Tez No: 184569
  2. Yazar: UĞUR NİYAZİ AKKAYA
  3. Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. GÖKAY UĞUR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 83

Özet

Bu tezde taramalı tünellemeli mikroskop (STM) kullanılarak Si alt taş üzerineAu(111) yüzeyinin yeniden yapılanması ölçüldü. STM ölçümleri 2.10-10 mbarbasıncın altında, oda sıcaklığında ve sabit akım modunda yapıldı. Buçalışmadaki bütün STM görüntüleri tünelleme akımının 0,372 nA ve boşlukgeriliminin +0,421 V değerinde alındı. Bütün tünelleme deneylerindeelektrokimyasal olarak aşındırılmış Pt uç kullanıldı. Altın için iyi bilinen 0,288nm'lik atomlar arası mesafe ile ölçülen ≈ 0,261 nm'lik mesafe uyum içindedir.

Özet (Çeviri)

In this thesis, we have measured reconstruction of the Au (111) surface on Si byscanning tunneling microscopy (STM). The STM observation were done in theconstant current mode at room temperature at a pressure below 2.10-10 mbar.All the STM images were taken at a tunneling current of 0,372 nA and a samplegap voltage of +0,421 V. Electrochemically etched Pt tips have been used for alltunneling experiments The observed atomic spacing of ≈ 0,261 nm compareswell with the known gold interatomic distance of 0,288 nm.

Benzer Tezler

  1. Au-Sb/n-Si/Cu Schottky diyodlarında seri direncin 1-V ve C-V karakteristiklerine etkisi

    Başlık çevirisi yok

    BAHRİ BATI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ALİ KÖKÇE

  2. Au-Sb/n-Si/Cu Schottky diyodlarında seri direncin I-V ve C-V karekteristiklerine etkileri

    Başlık çevirisi yok

    BAHRİ BATI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1993

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ALİ KÖKÇE

  3. CdS, CdSe ve CdTe bileşik yarıiletken ince filmlerinin aynı çözeltiden elektrokimyasal olarak au(111)elektrodu üzerinde büyütülmesi ve AFM, STM, XRD ve UV-VIS spektroskopisi ile karakterizasyonu

    Electrochemical growth of CdS, CdSe and CdTe compound semiconductor thin films on au(111) electrode from single deposition bath and characterization by AFM,STM, XRD and UV-VIS spectroscopy

    İLKAY ŞİŞMAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    KimyaAtatürk Üniversitesi

    Analitik Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. ÜMİT DEMİR

  4. Çok katmanlı manyetik ince filmlerin büyütülmesi, ferromanyetik rezonans yarıeğri genişliklerinin ve manyetik özelliklerinin incelenmesi

    Fabrication of magnetic multilayer thin films and investigation of ferromagnetic resonance linewidth and magnetic properties

    EMİNE GÖKÇE POLAT

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. FİKRET YILDIZ

  5. Organik alan etkili transistörlerin üretimi ve karakterizasyonu

    Fabrication and characterization of organic field effect transistors

    HİDAYET GÖK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET ALTINDAL