Geri Dön

CdS, CdSe ve CdTe bileşik yarıiletken ince filmlerinin aynı çözeltiden elektrokimyasal olarak au(111)elektrodu üzerinde büyütülmesi ve AFM, STM, XRD ve UV-VIS spektroskopisi ile karakterizasyonu

Electrochemical growth of CdS, CdSe and CdTe compound semiconductor thin films on au(111) electrode from single deposition bath and characterization by AFM,STM, XRD and UV-VIS spectroscopy

PDF İndir

  1. Tez No: 181500
  2. Yazar: İLKAY ŞİŞMAN
  3. Danışmanlar: PROF.DR. ÜMİT DEMİR
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Kimya, Chemistry
  6. Anahtar Kelimeler: CdS, CdSe, CdTe, potansiyel altı depozisyon, elektrodepozisyon, kodepozisyon, STM, AFM, XRD, kuantum alan etkisi.i, CdS, CdSe, CdTe, underpotential deposition, electrodeposition, co-deposition, STM, AFM, XRD, quantum confinement effect.ii
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Analitik Kimya Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 198

Özet

Periyodik cetvelin II-VI grubunda yer alan ve bant aralığı enerjileri sırasıyla 2.40, 1.70ve 1.50 eV olan CdS, CdSe ve CdTe bileşik yarıiletken ince filmleri, her bir elementinpotansiyel altı depozisyonuna uygun sabit bir potansiyelde kodepozisyonuna dayananyeni bir elektrokimyasal yöntem ile sentezlendi. CdS ince filmleri, CdEDTA2- ve Na2Siçeren asidik çözeltilerden, Au(111) üzerine Cd ve S'ün potansiyel altı depozisyonpotansiyellerinde elektrodepozit edildi. XRD, STM ve AFM sonuçlarına göre, pH'sı 4.0olan çözeltiden kodepozisyonu yapılan CdS ince filmlerinin (110) yöneliminde vehegzagonal yapıda olduğu görülürken, pH'sı 5.0-7.0 olan çözeltilerden elde edilen CdSince filmlerinin ise (111) yöneliminde ve kübik yapıda olduğu tespit edildi. CdSe incefilmlerinin depozisyonu, Cd'un potansiyel altı depozisyon potansiyeli ile yığınselenyumun indirgenerek yüzeyden uzaklaştığı ve geriye tek atomik tabaka selenyumunkaldığı potansiyelde gerçekleştirildi. CdTe ince filmleri ise asidik çözeltilerden Au(111)üzerine, her iki elementin potansiyel altı depozisyon potansiyelinde elektrodepozitedildi. CdSe ve CdTe ince filmlerinin morfolojik olarak karakterizasyonu STM ve XRDile yapıldı. XRD sonuçlarına göre CdSe ve CdTe ince filmleri kübik yapıdadır. UV-VISspektroskopisi sonuçları, bu metotla kuantum alan etkisi gösteren CdS, CdSe ve CdTeince filmlerinin sentezlendiğini gösterdi.2006, 182 sayfa

Özet (Çeviri)

CdS, CdSe and CdTe are II-VI compound semiconductor materials with a direct bandgap of 2.4, 1.7 and 1.5 eV were synthesised by a new electrochemical process based onthe co-deposition at a constant potential, which is determined from the upd potentials ofeach elements. CdS thin films were electrodeposited on Au(111) electrodes from anweakly acidic (pH between 4.0 and 7.0) aqueous solutions of CdEDTA2- and Na2S atthe upd of Cd and S, which promotes atom by atom growth of a compoundsemiconductor. XRD, STM and AFM analyses show that the co-deposited CdS thinfilms in solutions of pH 4.0 and in solutions of pH between 5.0 and 7.0 have a highlypreferential orientation along hexagonal (110) and cubic (111) directions, respectively.CdSe thin films were co-deposited from acidic solutions of CdSO4 and SeO2 at the updof Cd and a potential where the bulk Se reduced from the surface, leaving the Se atomiclayer. CdTe films were electrodeposited at room temperature on Au(111) eletrodes fromacidic solutions at the upd Cd and Te. STM and XRD techniques were used forcharacterization of CdSe and CdTe thin films. X-ray diffraction analyses show that theCdSe and CdTe thin films have a preferential orientation along cubic (111) directions.UV-VIS. spectroscopy measurements indicate that CdS, CdSe and CdTe thin films,electrosynthesised by this method, exhibit a quantum confinement effect.2006, 182 pages

Benzer Tezler

  1. Tez No

    659799

    Grafen temelli kuantum noktaları / ftalosiyaninkonjugatlarının sentezi ve enerji transferi özelliklerininincelenmesi

    Graphene-based quantum points / phthalocyanine investigation of the synthesis and energy transfer characteristics of the conjugates

    ŞULE ERYİĞİT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. İBRAHİM ÖZÇEŞMECİ

  2. Tez No

    574584

    Semiconductor nanoplatelet heterostructures enhanced via combinations of colloidal atomic layer deposition and hot injection shell growths

    Koloidal atomik katman kaplama ve sıcak enjeksiyon kabuk kaplama yöntemlerinin birleşimiyle geliştirilen yarı iletken nanolevha heteroyapıları

    ULVIYYA QULIYEVA

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Kimyaİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HİLMİ VOLKAN DEMİR

  3. Tez No

    690311

    CdS/CdTe güneş hücrelerinde pencere ve soğurma katmanlarına selenyum katkısının hücre performansına etkisinin incelenmesi

    Investigation of the effect of selenium addition to window and absorption layers on cell performance in CdS/CdTe solar cells

    ALİ ÇİRİŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    EnerjiKaradeniz Teknik Üniversitesi

    Yenilenebilir Enerji Kaynakları

    PROF. DR. EMİN BACAKSIZ

  4. Tez No

    299160

    Excitonic luminescence in spherical core-multi-shell quantum dot structures

    Çekirdek-çok kabuklu küresel kuantum-nokta yapıların eksitonik ışıması

    CİHAN BACAKSIZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2011

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. RAMAZAN TUĞRUL SENGER

  5. Tez No

    559078

    Yarı iletken CdX (X =S, Se, Te, O) B bileşiklerinin yüksek basınç altında yapısal ve elektronik özelliklerinin incelenmesi

    The investigation of structural and electronic properties of semiconductor CdX (X =S, Se, Te, O) B compounds under high pressure

    ÇAĞATAY YAMÇIÇIER

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ZİYA MERDAN

Geri Dön