Geri Dön

CdSe, ZnSe ve CdxZn1-xse yarıiletken ince filmlerinin sılar tekniği ile büyütülmesi, yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Growth of CdSe, ZnSe ve CdxZn1-xse thin films with silar technique and investigation of its structural, optical and electrical properties

PDF İndir

  1. Tez No: 185479
  2. Yazar: YUNUS AKALTUN
  3. Danışmanlar: PROF.DR. MUHAMMET YILDIRIM
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: SILAR, CdSe, ZnSe, CdxZn1-xSe, Soğurma, Özdirenç, SILAR, CdSe, ZnSe, CdxZn1-xSe, Absorption, Resistivity
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 113

Özet

ÖZETDoktora TeziCdSe, ZnSe ve CdxZn1-xSe YARIİLETKEN İNCE FİLMLERİNİN SILAR TEKNİĞİİLE BÜYÜTÜLMESİ, YAPISAL, OPTİK VE ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİNİNİNCELENMESİYunus AkaltunAtatürk ÜniversitesiFen Edebiyat FakültesiFizik Anabilim DalıDanışman: Prof. Dr. Muhammet YıldırımCdSe yarıiletkeni ince film transistörlerde, güneş pillerinde, optoelektronik aygıt üretiminde,alan etkili transistörlerde, kızıl ötesi optikte, ışığa bağımlı direnç uygulamalarında ve gamaışığı dedektörlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. ZnSe ve karışımlarındanelektromanyetik spektrumun mavi ve yeşil bölgesinde çalışan laser elde edilmesi sonucunda,bu malzeme yarıiletken teknolojisinde geniş yasak enerji aralıklı yarıiletkenlerin önemininartmasını sağlamıştır.Büyütme metotları arasında SILAR daha ucuz, daha basit ve az zaman harcanması gibiözelliklerinden dolayı son yıllarda oldukça tercih edilmektedir. Bu metot bir kimyasalçözeltiden katkılama tekniğidir. Bileşik yarıiletken ince filmlerin, her bir türünün iyonlarınıiçeren sulu çözeltiler içerisine taban malzemenin belli bir sıra ile daldırılarak, taban malzemeüzerine çökelmesi ile oluşmasını sağlayan basit bir tekniktir.SILAR yöntemiyle büyütülen CdSe, ZnSe ve bunların karışımlanması sonucu oluşan CdxZn1-xSe ince filmlerinin, sıcaklığa bağlı soğurma, fotolüminesans, SEM, XRD, özdirenç vekalınlık ölçümleri yapılmıştır.CdxZn1-xSe ince filmlerinde Zn konsantrasyonu arttıkça yapıda düzensizliklerin azaldığı vetüm yüzeye homojen bir büyümenin gerçekleştiği SEM görüntüleri sonucunda gözlendi.Bununla birlikte, yasak enerji aralığı CdSe filmi için 1,88 eV, ZnSe filmi için ise 2,68 eVolarak bulundu. CdxZn1-xSe filmleri için yasak enerji aralığı bulunan bu değerler arasındadeğiştiği tespit edildi. XRD ölçümleri neticesinde filmlerin polikristal yapıya sahip olduklarıbulundu. Soğurma ölçümleri neticesinde, artan sıcaklıkla ve kalınlıkla yasak enerji aralığınınazaldığı gözlenmiştir. PL ölçümleri ve soğurma ölçümleri neticesinde bulunan yasak enerjiaralığı değerleri birbirleriyle uyum göstermektedir. Özdirenç ölçümleri neticesinde sıcaklıklaözdirencin azaldığı tespit edilmiş bu da bize, büyütülen filmlerin yarıiletken özelliğe sahipolduğunu göstermektedir.2006, 101 sayfa

Özet (Çeviri)

ABSTRACTPh. D. ThesisGROWTH OF CdSe, ZnSe ve CdxZn1-xSe THIN FILMS WITH SILAR TECHNIQUEAND INVESTIGATION OF ITS STRUCTURAL, OPTICAL AND ELECTRICALPROPERTIES.Yunus AkaltunAtatürk UniversityFaculty of Arts and SciencesDepartment of PhysicsSupervisor: Prof. Dr. Muhammet YILDIRIMCdSe semiconductor commonly are used in thin film transistors, solar cells, optoelectronicdevice productions field effect transistors, infrared optics, light dependent resistorapplications and gamma ray detectors. ZnSe and its alloys were increased the importance ofthe wide bandgap semiconductors after the production of laser which operates in the blue andgreen wavelength of the electromagnetic spectrum.At the last decade, SILAR has been rather used because of the superior properties such asbeing cheaper, easier and spending less time. This method is the deposition technique of froma chemical solution. It is simple technique which is formation of compound semiconductorthin films from an ionic solution of each element in a compound to substrate by dipping thesubstrate in a certain sequence in solutions.Temperature dependent absorption and resistivity, photoluminescence, SEM, XRD andthickness measurements were conducted in CdSe, ZnSe and their alloys CdxZn1-xSe thin filmswhich were grown by SILAR method.As the Zn composition was increased, the decrease in structural irregularities andhomogeneous growth to the whole surface were observed from the SEM measurements inCd1-xZnxSe thin films. In addition, the bandgap values of the films were found as 1.88 eV forCdSe films and 2.68 eV for ZnSe films. Polycrystalline nature of the films was determinedfrom the results of the XRD measurements. From the results of the absorption measurements,the decrease in bandgap values was observed with the increase of temperature and thickness.There is correlation between the found bandgap values from PL and absorptionmeasurements. As a result of resistivity measurements, the decrease in resistivity withtemperature was observed, which shows the semiconducting nature of the films.2006, 101 Pages

Benzer Tezler

  1. Tez No

    486580

    Hot injection synthesis and structural and optical characterization of CdSe/ZnSe and CdSe/ZnS quantum dots

    CdSe/ZnSe ve CdSe/ZnS kuantum noktalarının sıcak enjeksiyon sentezi ve yapısal ve optik karakterizasyonu

    MEHRDAD FARAJI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HİLMİ ÜNLÜ

  2. Tez No

    121753

    Growth of semiconducting (CdS, CdSe and ZnSe) and conducting films (NiFe) and investigation on their electrical, magnetic and optical properties

    Yarıiletken (CdS, CdSe ve ZnSe) ve iletken (NiFe) filmlerin büyütülerek onların elektriksel, manyetik ve optiksel özelliklerinin araştırılması

    METİN BEDİR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÖMER FARUK BAKKALOĞLU

    YRD. DOÇ. DR. MUSTAFA ÖZTAŞ

  3. Tez No

    648300

    Novel quantum dot and fluorescent protein based liquidlight-emitting diodes and luminescent solar concentrators

    Yeni kuantum nokta ve floresan protein tabanlı sıvı ışık yayan diyotlar ve lüminesans güneş konsantratörleri

    SADRA SADEGHI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKoç Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SEDAT NİZAMOĞLU

  4. Tez No

    297749

    Synthesis and characterization of mesoporous metal sulfide and metal selenide thin films using liquid crystalline mesophases

    Sıvı kristal mezofazları kullanarak mezogözenekli metal sülfür ve metal selenür ince film sentezi ve karakterizasyonu

    YURDANUR TÜRKER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Kimyaİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Kimya Bölümü

    PROF. DR. ÖMER DAĞ

  5. Tez No

    539818

    Colloidal synthesis of ag(i)-doped cdse nanoplatelets with partial cation exchange method

    Gümüş-katkılı cdse nanolevhaların kısmi katyon değişimi metodu ile kolloidal sentezi

    İRFAN SELİM BOZDOĞAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HİLMİ VOLKAN DEMİR

Geri Dön