Geri Dön

InGaP yarı iletkeninde mobilite analizi

Mobility analysis in InGaP semiconductors

  1. Tez No: 200034
  2. Yazar: SEDEF ŞEBNEM TUNALIOĞLU
  3. Danışmanlar: PROF.DR. TOFİG MAMMADOV
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2007
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 67

Özet

InGaP YARIİLETKENİNDE MOBİLİTE ANALİZİ(Yüksek Lisans Tezi)Sedef Şebnem TUNALIOĞLUGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜOcak 2007ÖZETBu çalışmada MOVPE (metal organic vapor phase epitaxi) kristal büyütmeyöntemi ile GaAs üzerine büyütülen n tipi In0,5Ga0,5P yarıiletkeninin elektroniletim özellikleri araştırıldı. İletkenlik, Hall Mobilitesi ve taşıyıcı yoğunluğu 15-350 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Hall Mobilitesi, ISBE ve iki bant modelikullanılarak analiz edildi. Hall taşıyıcı yoğunluğu ise Park modeli kullanılarakanaliz edildi. Alıcı ve verici safsızlık yoğunlukları ve verici aktivasyon enerjisitahmin edildi.Bilim Kodu : 202.1.003Anahtar Kelimeler : InGaP, Elektron İletimi, Hall Mobilitesi, ISBESayfa Adedi : 53Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Tofig MAMMADOV

Özet (Çeviri)

MOBILITY ANALYSIS IN InGaP SEMICONDUCTORS(M.Sc. Thesis)Sedef Şebnem TUNALIOĞLUGAZI UNIVERSITYINSTUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGYJanuary 2007ABSTRACTIn this work, electron transport properties in n type In0,5Ga0,5P semiconductorgrown on GaAs by MOVPE crystal growth technique have been investigated.Conductivity, Hall mobility and carrier concentration were measured at thetemperature range 15-350K. Hall mobility has been analysed using ISBE andtwo band model. Hall carrier concentration has been analysed by using thePark model. Acceptor, donor impurity concentrations and donor activationenergy were also estimated experimentally.Science Code : 202.1.003Key Words : InGaP, Electron tranport, Hall mobility, ISBEPage Number : 53Adviser : Prof. Dr.Tofig MAMMADOV

Benzer Tezler

  1. Yarı iletken altlık üzerine InGaP nanofiberlerin üretimi ve karakterizasyonu

    Effect of layer thickness on i-v characteristics of InGaP nanofibers fabricated by electrospinning on N-Si substrates

    HAKAN OKÇU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NALAN ÇİÇEK BEZİR

  2. Farklı yarı iletken malzemelerle üretilmiş güneş pillerinde verim analizi

    Efficiency analysis in solar cells made of different semiconductor materials

    MURAT KORUN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. TUĞBA SELCEN NAVRUZ

  3. N-polar III- nitride optoelectronic devices

    N-polar III-nitrür optoelektronik aygıtlar

    FATİH AKYOL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2011

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiThe Ohio State University

    Elektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SIDDHARTH RAJAN

  4. GAP bölgesinde yarı küresel ve küresel olmayan ayna kullanılarak güneş ışınlarından yararlanma

    In GAP region use of semi-spherical and nonspherical mirror utilities from solar radiation

    SEDAT DEMİRKOL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. İBRAHİM MUTLU

  5. InGaN/GaN ışık yayan diyotların kuantum verimlerinin araştırılması

    Investigation of quantum efficiencies of InGaN/GaN light emitting diodes

    NURİ CAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ TEKE