InGaP yarı iletkeninde mobilite analizi
Mobility analysis in InGaP semiconductors
- Tez No: 200034
- Danışmanlar: PROF.DR. TOFİG MAMMADOV
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 67
Özet
InGaP YARIİLETKENİNDE MOBİLİTE ANALİZİ(Yüksek Lisans Tezi)Sedef Şebnem TUNALIOĞLUGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜOcak 2007ÖZETBu çalışmada MOVPE (metal organic vapor phase epitaxi) kristal büyütmeyöntemi ile GaAs üzerine büyütülen n tipi In0,5Ga0,5P yarıiletkeninin elektroniletim özellikleri araştırıldı. İletkenlik, Hall Mobilitesi ve taşıyıcı yoğunluğu 15-350 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Hall Mobilitesi, ISBE ve iki bant modelikullanılarak analiz edildi. Hall taşıyıcı yoğunluğu ise Park modeli kullanılarakanaliz edildi. Alıcı ve verici safsızlık yoğunlukları ve verici aktivasyon enerjisitahmin edildi.Bilim Kodu : 202.1.003Anahtar Kelimeler : InGaP, Elektron İletimi, Hall Mobilitesi, ISBESayfa Adedi : 53Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Tofig MAMMADOV
Özet (Çeviri)
MOBILITY ANALYSIS IN InGaP SEMICONDUCTORS(M.Sc. Thesis)Sedef Şebnem TUNALIOĞLUGAZI UNIVERSITYINSTUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGYJanuary 2007ABSTRACTIn this work, electron transport properties in n type In0,5Ga0,5P semiconductorgrown on GaAs by MOVPE crystal growth technique have been investigated.Conductivity, Hall mobility and carrier concentration were measured at thetemperature range 15-350K. Hall mobility has been analysed using ISBE andtwo band model. Hall carrier concentration has been analysed by using thePark model. Acceptor, donor impurity concentrations and donor activationenergy were also estimated experimentally.Science Code : 202.1.003Key Words : InGaP, Electron tranport, Hall mobility, ISBEPage Number : 53Adviser : Prof. Dr.Tofig MAMMADOV
Benzer Tezler
- Yarı iletken altlık üzerine InGaP nanofiberlerin üretimi ve karakterizasyonu
Effect of layer thickness on i-v characteristics of InGaP nanofibers fabricated by electrospinning on N-Si substrates
HAKAN OKÇU
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NALAN ÇİÇEK BEZİR
- Farklı yarı iletken malzemelerle üretilmiş güneş pillerinde verim analizi
Efficiency analysis in solar cells made of different semiconductor materials
MURAT KORUN
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGazi ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. TUĞBA SELCEN NAVRUZ
- N-polar III- nitride optoelectronic devices
N-polar III-nitrür optoelektronik aygıtlar
FATİH AKYOL
Yüksek Lisans
İngilizce
2011
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiThe Ohio State UniversityElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SIDDHARTH RAJAN
- GAP bölgesinde yarı küresel ve küresel olmayan ayna kullanılarak güneş ışınlarından yararlanma
In GAP region use of semi-spherical and nonspherical mirror utilities from solar radiation
SEDAT DEMİRKOL
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. İBRAHİM MUTLU
- InGaN/GaN ışık yayan diyotların kuantum verimlerinin araştırılması
Investigation of quantum efficiencies of InGaN/GaN light emitting diodes
NURİ CAN
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ TEKE