CdTe kristalinde taşıyıcı yük yoğunluğunun etkin iki-seviye modeli ile sıcaklığa bağlı incelenmesi
Investigation of carrier concentration as a function of temperature by two-level affective model in CdTe crystals
- Tez No: 202895
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. MURAT BAYHAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: CdTe, elektriksel özellikler, Hall etkisi, H2T-VPE, X- isin detektörleri, CdTe, Electrical properties, Hall effect, H2T-VPE, X-ray detectors
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Muğla Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tez çalismasinda Hidrojen Tasimali Buhar Fazi Epitaksi (H2T-VPE) yöntemiyle yalitkan ZnTe/(100)GaAs tabanlar üzerine büyütülen n-CdTe tek kristal ince filmlerin (epilayers) sicakliga bagli elektriksel özellikleri (özdirenç ve Hall tasiyici hareketliligi) incelenmistir. Çiftli kristal X- isini kirinim desenleri ince filmlerin yüksek kaliteli kristal bir yapiya sahip olduklarini gösterdi. Büyütme sicakligi ( G T ) 650oC' den küçük olan sicakliklarda büyütülen ince filmlerin iletkenlik türü p- tipi iken üzerindeki sicakliklarda n-tipi özellik sergilediler. Farkli kalinliklarda, ? 764 G T oC' de büyütülen n-tipi filmlerin Hall ölçümleri oda sicakliginda tasiyici yük yogunlugunun 1011-1014 cm-3 arasinda oldugunu gösterdi. Ince filmlerin yogunlugu, ve Hall hareketliligi prensip olarak etkin iki seviye modeli ile açiklanabilir. Oda sicakliginda örgü ve katki atom saçilmalarinin elektron hareketliligini sinirladigi saptandi. Etkin iki seviye modeli, kalinligi ?22 ?molan ince filmin, yogunlugu en fazla olan ilk verici seviyesi, ~1018 cm-3 yogunlugundaki alici seviyesini kismen dengeledigi; aktivasyon enerjisi, ? 189meV d E olan ikinci verici seviyesinin ise filmin elektriksel özelliklerini belirledigi saptandi. Bu filmin dengeleme oraninin 0.9997 oldugu belirlendi. Her iki verici seviyesinin GaAs tabandan Ga atomlarinin yayilimi sonucu olustugu tahmin edilmektedir. V
Özet (Çeviri)
Electrical characterisation of n-CdTe epilayers grown by Hydrogen Transport Vapour Phase Epitaxy (H2T-VPE) on insulating ZnTe/(100)GaAs substrates through the temperature dependent Hall measurements is reported. Double-crystal X-ray diffraction assessments indicate the material high crystalline quality. Samples grown at temperatures, TG ? 650oC were p-type, but appeared to be n-type for the temperature above G T ? 650oC. Hall measurements performed on n-type samples of different thicknesses grown at ? 764 G T oC showed room temperature carrier densities in the range of 1011-1014 cm-3. The electron density and Hall mobility characteristics may be in principle well explained with a two-level effective model. The model of scattering by lattice and ionised impurity were found to be limiting dominantly the room temperature electron mobility. For a ?22 ?m thick CdTe epilayers two donor levels were mainly estimated: The first, most abundant compensates partly 1018 cm-3 density of acceptors while the second with activation energy, ? 189meV d E determines n-type electrical properties. A compensation ratio, 0.9997 holds for this epilayer. These could be possible formed through the diffusion of Ga atoms from GaAs into CdTe. VII
Benzer Tezler
- Production of dye sensitized solar cell and optimization of production parameters
Boya uyarımlı güneş pillerinin üretimi ve üretim parametrelerinin optimizasyonu
RAMAZAN ŞİMŞEK
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ALİ KILIÇ
- Organik yarıiletken tabanlı fotovoltaik aygıtlar için şekilli ince film altlıkların kullanımı ve etkilerinin incelenmesi
The effect of the usage of sculptured thin film substrates for organic semiconductor based photovoltaic devices
DİLEK DEMİROĞLU
Doktora
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN
DR. ÖĞR. ÜYESİ BEYHAN TATAR
- In/n-CdS/p-CdTe/Cu+Au güneş pilinin soğuk altlık yöntemiyle üretimi
In/n-CdS/p-CdTe/Cu+Au solar cell production with cold substrate method
GÖKSEL AYTEMİZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
EnerjiRecep Tayyip Erdoğan ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. VAGİF NEVRUZOĞLU
- Electrochemical deposition and crystal quality enhancement of copper indium diselenide
Elektroki̇myasal yöntemle bakır i̇ndi̇yum di̇selenür sentezi̇ ve kri̇stal kali̇tesi̇ni̇n artırılması
SERKAN GÜRBÜZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDÜLKADİR SEZAİ SARAÇ
- Güneş pillerinin cigs soğurucu tabakasının radyasyon karşısındaki davranışı
Behavior of cigs absorber layer of solar cells against to radiation
UTKU CANCİ MATUR
Doktora
Türkçe
2017
Nükleer Mühendislikİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilimi ve Teknolojileri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN