Geri Dön

CdTe kristalinde taşıyıcı yük yoğunluğunun etkin iki-seviye modeli ile sıcaklığa bağlı incelenmesi

Investigation of carrier concentration as a function of temperature by two-level affective model in CdTe crystals

PDF İndir

  1. Tez No: 202895
  2. Yazar: CEYLAN ÖRDEK
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. MURAT BAYHAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2007
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Muğla Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 79

Özet

Bu tez çalismasinda Hidrojen Tasimali Buhar Fazi Epitaksi (H2T-VPE) yöntemiyle yalitkan ZnTe/(100)GaAs tabanlar üzerine büyütülen n-CdTe tek kristal ince filmlerin (epilayers) sicakliga bagli elektriksel özellikleri (özdirenç ve Hall tasiyici hareketliligi) incelenmistir. Çiftli kristal X- isini kirinim desenleri ince filmlerin yüksek kaliteli kristal bir yapiya sahip olduklarini gösterdi. Büyütme sicakligi ( G T ) 650oC' den küçük olan sicakliklarda büyütülen ince filmlerin iletkenlik türü p- tipi iken üzerindeki sicakliklarda n-tipi özellik sergilediler. Farkli kalinliklarda, ? 764 G T oC' de büyütülen n-tipi filmlerin Hall ölçümleri oda sicakliginda tasiyici yük yogunlugunun 1011-1014 cm-3 arasinda oldugunu gösterdi. Ince filmlerin yogunlugu, ve Hall hareketliligi prensip olarak etkin iki seviye modeli ile açiklanabilir. Oda sicakliginda örgü ve katki atom saçilmalarinin elektron hareketliligini sinirladigi saptandi. Etkin iki seviye modeli, kalinligi ?22 ?molan ince filmin, yogunlugu en fazla olan ilk verici seviyesi, ~1018 cm-3 yogunlugundaki alici seviyesini kismen dengeledigi; aktivasyon enerjisi, ? 189meV d E olan ikinci verici seviyesinin ise filmin elektriksel özelliklerini belirledigi saptandi. Bu filmin dengeleme oraninin 0.9997 oldugu belirlendi. Her iki verici seviyesinin GaAs tabandan Ga atomlarinin yayilimi sonucu olustugu tahmin edilmektedir. V Anahtar kelimeler : CdTe; elektriksel özellikler, Hall etkisi, H2T-VPE; X- isin detektörleri

Özet (Çeviri)

Electrical characterisation of n-CdTe epilayers grown by Hydrogen Transport Vapour Phase Epitaxy (H2T-VPE) on insulating ZnTe/(100)GaAs substrates through the temperature dependent Hall measurements is reported. Double-crystal X-ray diffraction assessments indicate the material high crystalline quality. Samples grown at temperatures, TG ? 650oC were p-type, but appeared to be n-type for the temperature above G T ? 650oC. Hall measurements performed on n-type samples of different thicknesses grown at ? 764 G T oC showed room temperature carrier densities in the range of 1011-1014 cm-3. The electron density and Hall mobility characteristics may be in principle well explained with a two-level effective model. The model of scattering by lattice and ionised impurity were found to be limiting dominantly the room temperature electron mobility. For a ?22 ?m thick CdTe epilayers two donor levels were mainly estimated: The first, most abundant compensates partly 1018 cm-3 density of acceptors while the second with activation energy, ? 189meV d E determines n-type electrical properties. A compensation ratio, 0.9997 holds for this epilayer. These could be possible formed through the diffusion of Ga atoms from GaAs into CdTe. VII Keywords : CdTe, Electrical properties, Hall effect, H2T-VPE, X-ray detectors

Benzer Tezler

  1. Tez No

    393044

    Production of dye sensitized solar cell and optimization of production parameters

    Boya uyarımlı güneş pillerinin üretimi ve üretim parametrelerinin optimizasyonu

    RAMAZAN ŞİMŞEK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ALİ KILIÇ

  2. Tez No

    605414

    Organik yarıiletken tabanlı fotovoltaik aygıtlar için şekilli ince film altlıkların kullanımı ve etkilerinin incelenmesi

    The effect of the usage of sculptured thin film substrates for organic semiconductor based photovoltaic devices

    DİLEK DEMİROĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN

    DR. ÖĞR. ÜYESİ BEYHAN TATAR

  3. Tez No

    688453

    Cu, Ag ve Au katkısının, hacimsel ve tanecik sınırlı CdTe yarıiletkeninin yapısal ve elektronik özelliklerine etkilerinin yoğunluk fonksiyonel teori ile incelenmesi

    The investigation of the effects of Cu, Ag and Audope on the structural and electronic properties of bulk and grain boundary CdTe semiconductor by density functional theory

    ASLI ÖZTOPRAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MURAT ÇALIŞKAN

  4. Tez No

    824662

    CdTe ince filmlerin soğuk altlık yöntemiyle üretilmesi ve karakteristik özelliklerin incelenmesi

    Production of CdTe thin films by cold backing method and investigation of characteristic properties

    BÜŞRA TOPCU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    EnerjiRecep Tayyip Erdoğan Üniversitesi

    Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. VAGİF NEVRUZOĞLU

  5. Tez No

    510571

    The optical and structural properties of group II-VI (CdTe) and group IV-VI (TiO2) semiconductor nanocrystals grown in thin film matrix

    İnce film matrisinde büyütülen grup II-VI (CdTe) ve group IV-VI (TiO2) yarı iletken nanokristallerinin optik ve yapısal özellikleri

    ZAHER NASSAR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. MEHMET HİKMET YÜKSELİCİ

Geri Dön