GaAs-AlxGa1-xAs heteroyapı ve çoklu kuantum kuyu IR fotodedektörün elektro-optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the electro-optic features of GaAs-AlxGa1-xAs heterostructure and multiple quantum well IR photodetector
- Tez No: 212464
- Danışmanlar: PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MOVPE, GaAs, AlGaAs, Fotolüminesans, Akım, Gerilim, MOVPE, GaAs, AlGaAs, Photoluminescence, Current, Voltage
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmanın ilk kısmında, MBE büyütme tekniği ile yurtdışında büyütülen n+-GaAs-n++-AlGaAs heteroyapıya yerleştirilen tek kuantum kuyusu ile elde edilen IR dedektörün potansiyel profilleri, elektronik yoğunluk profilleri ve altband enerjileri ile altband yerleşimleri self-consistent olarak, Poisson ve Schrödinger denklemleri birlikte ele alınarak hesaplanmıştır. Bununla birlikte numunenin akım-sıcaklık ve akım-gerilim eğrileri deneysel olarak ölçülmüştür. Elde edilen deneysel bulguların, yapılan teorik hesaplar ile uyumlu olduğu gözlenmiştir. Çalışmanın ikinci kısmında ise, n+-GaAs alt tabaka üzerinde Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) yöntemi ile hazırlanmış GaAs / 0.25 0.75 Al Ga As heteroeklem yapısı fotolüminesans ölçümleriyle incelenmiştir. Düşük sıcaklık bölgesinde ve daha yüksek sıcaklıklarda yapının akım-gerilim ölçümleri yapılmış ve elde edilen akım-gerilim eğrileri yorumlanmıştır.
Özet (Çeviri)
In the first part of this study, potential profiles, electron density profiles, subband energies and locations of IR detector obtained by depositing a single quantum well into the n+-GaAs-n++-AlGaAs growed by using MBE tecnique in England are calculated self consistently using both the Poisson and Schrodinger equations. Also, I-V and I-T curvature of the sample are measured. It is seen that experimental results are in agreement with theoretical calculations. In the second part, the GaAs 0.25 0.75 Al Ga As heterostructure prepared with Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) method is investigated by photoluminessance(?) measurements. I-V curve of the sample is commented at the low temperature region and hihger temperatures.
Benzer Tezler
- Üzüm sularının pastörizasyonu ve kontsantresi sırasında hidroksimetilfurfural oluşumu üzerinde bir araştırma
Başlık çevirisi yok
ŞERİFE ŞAHİN
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Gıda MühendisliğiEge ÜniversitesiTarım Ürünleri Teknolojisi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AYDIN URAL
- 5 Cl Pu-Be nötron kaynağı kullanarak aktivasyon analizi ile analizi mümkün olan elementlerin dedeksiyon limitlerinin tespiti
Investigation of the possibility in analysis of elements by activation analysis and determination of detection limits of proposed elements using a 5 Cl Pu-Be neutron source
İSMET ÇELENK
- Soyanın çeşitli gelişme dönemlerinde topraktan kaldırdığı besin maddeleri ve büyümesi ile verim arasındaki ilişkiler
Başlık çevirisi yok
MERAL GİRGİN
- Patates meristem uçlarından çoklu sürgün elde edilmesinde büyüme regülatörlerinin etkisi
Başlık çevirisi yok
ZİHİN YILDIRIM