AlxGa1-x As / GaAs Graded ındex separate confinement heterostructure single quantum well lasers
AlxGa1-x As / Ga As değişken kırılma indisli ayrık hapisli heteroyapı tek kuvantum kuyulu lazerler
- Tez No: 33493
- Danışmanlar: PROF. DR. ATİLLA AYDINLI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1994
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 97
Özet
Özet Al,Gaı-«As/GaAs DE?İŞKEN KIRILMA İNDÎSLİ AYRIK HAPİSLİ HETEROYAPÎ TEK KUVANTUM KUYULU LAZERLER Mümtaz Koray Bozkurt Fizik Yüksek Lisans Tez Yöneticisi: Prof. Atilla Aydınlı Şubat 1994“Yarıiletkenlerde uyarılmış foton yayımı yük taşıyıcılarının p-n eklemi üzerinden basılması ile elde edilebilir.”Bu fikir ilk defa Basov ve arkadaşları1 tarafından 1961 de önerilmiştir. Kısa bir süre sonra düşük sıcaklıklarda darbeli olarak çalışan ilk lazer diyotlar A.B.D. de farklı birkaç grup2-5 tarafından gerçekleştirilmiştir. Heteroyapıların 1969 da ilk defa lazer diyot yapımında kullanılmasına kadar6-8 bu alandaki gelişmeler beklendiği ölçüde olmamıştır. Lazer diyot teknolojisinde heteroyapıların kullanımı ile birlikte oda sıcaklığında sürekli çalışabilen lazerlerin elde edilmesi bu teknolojide yeni bir dönem açmıştır. MBE ve LPE tekniklerinin kristal büyütme alanına girmesi, yarıiletken lazer diyot uygulamaları için nanokristal tabakaların büyütülmesine olanak sağlamıştır. Uygulamalar için güvenilir, küçük ve verimli elemanların elde edilmesi lazer diyot tasarım teknolojisini olgunluğa sevk eden faktörlerdir. Bu çalışmada, CCI2F2 ile reaktif iyon aşındırma ve alçak sıcaklıklarda plazma ile hızlandırılmış kimyasal fazdan büyütülen SiO^ in kaldırılması ile elde edilen sırt şerit tipi tek kuvantum kuyulu değişken kırılma indisîi ve ayrık hapisli heteroyapı lazer diyotlann, tasarımı, üretimi ve karakterizasyonu aşamaları gerçekleştirilmiştir. Anahtar Kelimeler : Lazer diyot, tekli kuvantum kuyu, değişken kırılma indisi, Galyum Ârsenit, plazma ile hızlandırılmış kimyasal fazdan depolama. 11
Özet (Çeviri)
Abstract Al.Gai_.As/GaAs GRADED INDEX SEPARATE CONFINEMENT HETEROSTRUCTURE SINGLE QUANTUM WELL LASERS Mümtaz Koray Bozkurt M. S. in Physics Supervisor: Prof. Atilla Aydınlı February 1994“Stimulated emission of photons could be produced in semiconductors by recombination of carriers injected across a p-n junction.”This idea was first suggested by Basov et a!.1 in 1961. Soon afterwards diode lasers were first demonstrated at cryogenic temperatures in pulsed operation in 1962 by separate groups in US.2-5 Until the first use of heterostructures in diode lasers6-8 in 1969, advances in the diode laser area were not as good as was expected. New era of the diode lasers begin with use of the heterostructures in laser diode technology which allowed them to run at room temperatures in continuous wave operations. Also, introduction of MBE and LPE techniques in crystal growth area supplied the forecoming materials and enabled growing of nanocrystal layers for semiconductor laser diode applications. Reaching to reliable, compact and an efficient components for applications is the major factor which forces the laser diode designs to maturity. In this work, ridge type Single Quantum Well Graded Index Separately Confined Heterostracture laser diodes which were made by reactive ion etching in CCi2F2 and lift-off of low temperature PECVD Si02, is taken from its crystal growth aspects through design and fabrication steps to its characterization. Keywords : Laser diode, single quantum well, graded-iniex, Gallium Arsenide, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).
Benzer Tezler
- Düşük boyutlu yarıiletken yapılarda sıcak elektronların enerji kayıp mekanizmalarının incelenmesi
An investigation of energy loss mechanism of hot electrons in low dimensional semiconductor structures
GÖKHAN ALGÜN
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÇETİN ARIKAN
- Fabrication and characterization of GaInP/InGuAs/GuAs modulation doped field effect transistors
GaInP/InGuits/GuAs modüle katkılı alan etkili transistörlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
TOLGA YALÇIN
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- AI 0.2 Ga 0.8 As/GaAs (100) nanoyapısının büyütülmesi ve I-V özelliklerinin incelenmesi
The growth of AI 0.2 Ga 0.8 As/GaAs (100) nanostructure and the investigation of I-V properties
HİLAL GÜMÜŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- AlxGa1-xAs/GaAs kuantum kuyulu fotodedektör yapılarının üretimesi ve fiziksel özelliklerinin belirlenmesi
Mbe growth and determination of physical properties of AlxGa1-xAs/GaAs quantum well infrared photodetector structures
HALİT ALTUNTAŞ
Doktora
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Çoklu kuantum tel yapısının dışarıdan uygulanan elektrik alan ve lazer alanın elektronik özelliklere etkisi
The effect of electric field and lazer fi̇eld on electronic specifications in multiple quantum wire structure
HAVVA UYAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırklareli ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ MUSTAFA ULAŞ