GaAs/ AlxGa1-xAs kuantum kuyu kızılötesi fotodedektörlerin optoelektronik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optoelectronic properties of GaAs/ AlxGa1-xAs qauntum well infrared photodetectors
- Tez No: 300078
- Danışmanlar: PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 124
Özet
Bu çalışmada moleküler demet epitaksi sisteminde büyütülmüş asimetrik GaAs/ AlxGa1-xAs çoklu kuantum kuyularını içeren yapıların elektriksel ve optiksel özellikleri incelenmiştir. Yapılar fotolitografi yöntemi kullanılarak aygıt formuna getirilmiştir. Yapıların elektriksel özelliklerinin incelenmesi için sıcaklık bağımlı karanlık akım- voltaj karakteristikleri deneysel olarak ölçülmüştür. Asimetrik kuantum kuyularından oluşan yapıların karanlık akım- gerilim karakteristiklerinin de asimetrik davranış sergilediği görülmüştür. Isısal yayım kaynaklı karanlık akım Levine Modeli, 3D Taşıyıcı Sürükleme Modeli ve Salım Yakalama Modeli kullanılarak hesaplanmıştır. Deneysel bulguların ve hesaplanan sonuçların karşılaştırılması neticesinde deneysel sonuca en iyi uyan modelin Levine modeli olduğu tespit edilmiştir. Her bir yapı için taban enerji seviyeleri Kronig- Penney Metodu kullanılarak hesaplanmıştır. Yapıların optik özelliklerinin incelenmesi kapsamında sıcaklığa bağlı fotolüminesans ölçümleri alınmıştır.
Özet (Çeviri)
In this thesis, electrical and optical properties of structures consist of asymetric GaAs/ AlxGa1-xAs multi-quantum wells grown by molecular beam epitaxy system were investigated. The structures were formed in device form by using photolitography process. To investigate electrical properties, temperature dependent dark current-voltage characteristics were experimentally measured. The dark current-voltage characteristics of the structures formed by asymmetric quantum wells were exhibited asymmetric behavior. Dark current depending on thermionic emission was also calculated by using Levine Model, 3D Carrier Drift Model and Emission Capture Model. When experimental results and calculated results were compared it was seen that the best fitting on the experimental results was found to be Levine Model. The ground state energy levels of each structure were calculated by using Kronig- Penney Model. Within the scope of investigation optical properties of the structures, temperature dependent photoluminescence measurements were taken.
Benzer Tezler
- Kuantum kuyu ve küresel kuantum noktasında uyarılmış durum bağlanma enerjilerinin dönüm noktaları
Excited state binding energy turning points in quantum well and spherical quantum dot
PINAR BULUT
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İLHAN ERDOĞAN
PROF. DR. HASAN AKBAŞ
- Düşük boyutlu yapılarda yabancı atom problemi ve eksitonları
The impurity problem in low dimensional structures and excitons
FİGEN KARACA BOZ
Doktora
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. ŞABAN AKTAŞ
- Çoklu kuantum tel ve noktalarının elektronik özellikleri
The electronic properties of multiple quantum wires and quantum dots
ABDULLAH BİLEKKAYA
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Bölümü
YRD. DOÇ. DR. ŞABAN AKTAŞ
- Düşük boyutlu sistemlerin elektronik özellik-leri: dış manyetik alan etkisinde Ga1-xAlxAs/GaAs silindirik kuantum telinde hidrojenik safsızlık-lar ve eksitonların bağlanma enerjileri
Electronic properties of low dimensional systems: the hydrogenic impurities and excitonic binding energies in cylindrical Ga1-xAlxAs/GaAs quantum wires under an externally applied magnetic field
PINAR BAŞER
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. SEZAİ ELAGÖZ
PROF.DR. UĞUR YAHŞİ
- GaAs-AlxGa1-xAs heteroyapı ve çoklu kuantum kuyu IR fotodedektörün elektro-optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the electro-optic features of GaAs-AlxGa1-xAs heterostructure and multiple quantum well IR photodetector
ASLAN TÜRKOĞLU
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN