Işığa duyarlı yarıiletken gaz boşalma yapısının özellikleri
Characteristics of radiation sensitive semiconductor gas discharge structure
- Tez No: 216647
- Danışmanlar: PROF. DR. BAHTİYAR SALAMOV, YRD. DOÇ. DR. AKİF ÖZBAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 166
Özet
H2 gazı ortamında düzlemsel bir boşalma hücresindeki gaz kırılması farklı elektrotlar arası mesafeler, farklı elektrot çapları ve farklı basınçlarda deneysel olarak araştırıldı. GaAs katotlu gaz boşalma sisteminin Akım-Voltaj (AVK) ve Radyasyon-Voltaj (RVK) karakteristiği incelendi. H2 gazından elde edilen deneysel sonuçlar hava ortamındaki sonuçlarla karşılaştırıldı. Kararlı boşalma bölgeleri ve kontrol edilebilir çalışma modu belirlendi. Ayrıca yarıiletken gaz boşalma yapısının (YGBY) kararsız olduğu şartlar da belirlendi. AVK ve RVK' nın N-tipli kararsızlıkları tespit edildi. EL2 olarak adlandırılan derin elektronik seviyelerin varlığının, materyalin N-tipli NDD' sine ve sonuç olarak GaAs fotodetektöre yeterince yüksek voltaj uygulandığında akım osilasyonlarına yol açtığı tespit edilmiştir. Ayrıca sistemin dinamik özelliği 150 saniye zaman aralığında incelendi.
Özet (Çeviri)
Gas breakdown at H2 gas of a planar gas discharge system was studied experimentally at different interelectrode distances, different inner diameters of the electrode areas and different pressures. The Current-Voltage (CVC) and Radiation-Voltage characteristics (RVC) of the gas discharge system with GaAs cathode was studied. Experimental results which was obtained from H2 gas were comparisoned with the results from air. Stable discharge regions and controllable working mode were identified. Also the conditions were underlined which semiconductor gas discharge structure (SGDS) is unstable. N-shape instabilities of CVC and RVC were determined. The presence of deep electonic levels of defects, called EL2 centers, results the N-type NDR of the material, as a consequence, to oscillations in current when a dc voltage of a high magnitude is applied to a GaAs photodetector. Furthermore, the dynamic property of the system in duration of 150 second was investigated.
Benzer Tezler
- Işığa duyarlı yarı iletken gaz boşalma yapısının karakteristik özellikleri
Characteristic properties of the photosensitive semiconductor gas discharge structure
HATİCE HİLAL YÜCEL KURT
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. BAHTİYAR SALAMOV
- Işığa duyarlı yarıiletken gaz boşalma sisteminin fotoelektrik ve spektral özellikleri
Photoelectric and spectral properties of photosensitive semiconductor gas discharge system
SEMA KARAKÖSE
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAHTİYAR SALAMOV
DOÇ. DR. M.MAHİR BÜLBÜL
- Yarıiletken gaz boşalma sisteminde akımın davranışı ve kararlılığı
Stabilization and behavior of current in a semiconductor gas discharge system
EMRAH KOÇ
Doktora
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAHTİYAR G SALAMOV
PROF. DR. MEHMET ÇİVİ
- Yarı iletken gaz boşalma sisteminde plazma süreçlerinin özellikleri
Pecularities of plasma processes over semiconductor gas discharge system
AYŞE İNALÖZ
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TOFİG MAMMADOV
- Yarıiletken fotodedektörlü kızılötesi görüntü çeviricinin incelenmesi
Investigation of an infrared image converter with a semiconductor photodetector
GÜLŞEHRİ ERDEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BAHTİYAR SALAMOV