Yarıiletken fotodedektörlü kızılötesi görüntü çeviricinin incelenmesi
Investigation of an infrared image converter with a semiconductor photodetector
- Tez No: 125947
- Danışmanlar: DOÇ. DR. BAHTİYAR SALAMOV
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2002
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 84
Özet
Bu çalışmada, GaAs yarıiletken fotodedektörlü iyonizasyon tipli bir kızüotesi(KÖ) görüntü çeviricinin özellikleri incelendi. Sistemin uzaysal çözünürlüğü 10 piksel/mm'dir. KÖ radyasyon sistemin ışığa duyarlı dedektörünü uyarır böylece gaz boşalma aralığından yayınlanan görünür ışık emisyonu akım yoğunluğunu kontrol eder. GaAs katot kullanan bir iyonizasyon hücresinde ışık emisyonu meydana gelir ve bu ışık emisyonu besleme voltajı, aydınlatma şiddeti, gaz basıncı ve elektrotların yüzey durumuna bağlı olan akım dağılımlarının uzaysal yapılarını gösterir. Bir KÖ görüntü çevirici hücrenin özelliklerinin incelenmesi bir boşalma aralıklı yapıda gözlenen uzaysal olarak homojen akım dağılımının kararlılığı, yarıiletken fotodedektörün özdirencine bağlıdır. Boşalma ışık emisyonunun parlaklığı, boşalma akım yoğunluğuna lineer olarak bağlıdır.
Özet (Çeviri)
This work investigated the properties of an ionization-type infrared image converter with a GaAs photodetector. The spatial resolution of the device is 10 pixel/mm. The infrared radiation excites the photosensitive semiconductor detector of the device, thus controlling the current density and the visible light emission from the gas discharge gap. The light emission occurs in an ionization cell that uses GaAs photodetector shows the spatial structure of the current distributions which are dependent on the feeding voltage, illumination intensity, gas pressure and the surface status of the electrodes. The investigation of the properties of an infrared image converter cell demonstrated that the stability of a spatially homogeneous current distribution observed in a discharge structure, depends on the resistivity of the semiconductor photodetector. The brightness of the discharge light emission is linearly dependent on the discharge current density.
Benzer Tezler
- CCD teknolojisine dayalı olan yarıiletken foto-dedektörlü kızılötesi görüntü çeviricinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
MURAT AKPINAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BAHTİYAR SALAMOV
- Kızılötesi görüntü çeviricideki elektrot yüzeylerinin incelenmesi
The investigation of electrode surfaces of an IR image converter
HASAN SONER KIYMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. BAHTİYAR SALAMOV
- Formation and investigation of organic-inorganic compound structures on the surfaces at nanoscale with scanning probes
Nano ölçekte taramalı uç ile organik ve inorganik bileşiklerin çeşitli yüzeylerde oluşumu ve araştırılması
ELİF PEKSU
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. OĞUZHAN GÜRLÜ
- Uzun kızıl ötesi bölgede çalışan kuantum kuyulu kızıl ötesi fotodedektörlerin mikro-nano fabrikasyonu
Micro-nano fabrication of quantum well infrared photodetectors working in long wave infrared region
OSMAN ERKİN ÜLKER
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiNanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EYLEM GÜVEN
- IngGaAs kızılötesi fotodedektör üretimi ve karakterizasyonu
The fabrication and characterization of InGaAs infrared photodetector
TARIK ASAR
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK