Production and electrical characterization of metal and polysilicon gate MOS structures
Polisilikon ve metal elektrodlu MOS yapının üretimi ve elektriksel özelliklerinin belirlenmesi
- Tez No: 23576
- Danışmanlar: PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MOS, Polisilisyum Efektrod, Ara Yüz Durumları, Etkin Kesit, DLTS, İletkenlik, Statik Kapasitans, MOS, Polysilicon Gate, Interface States, Capture Cross Section, DLTS, Conductance, Quasi-static Capacitance
- Yıl: 1992
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 285
Özet
öz POLİSİLİKON VE METAL ELEKTRODLU MOS YAPININ ÜRETİMİ VE ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİNİN BELİRLENMESİ MUTLUGİL, Bülent Doktora Tezi, Fizik Anabilim Dalı Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Bayram KATIRCIOĞLU Temmuz, 1992, 263 sayfa. Metal ve polisilisyum elektrodlu Metal Oksit Silisyum (MOS) kapa- sitörler üretilmiş ve elektriksel özellikleri ölçülmüştür. Sİ/Sİ02 ara yüzündeki yerel durumların yasak enerji bandı içindeki yoğunluk ve etkin kesit dağılımları belirlenmiştir. MÖ S yapı da devre elemanları üretmek için gerekli olan üretim süreçleri geliştirilmiş; ara yüz durum yoğunluğu ve sabit oksit yükleri düşük olan elemanlar üretilmiştir. Saf su ve optik maske üretimi için özel sistemler, ve polisilisyum film büyütmek için bir plazma destekli kimyasal buhar depolama (CVD) sistemi geliştirilmiştir. Üretim süreçlerinin kalitesi, MOS kapasitörler üzerinde uygulanan çeşitli admittans ölçümleriyle belirlenmiştir. Ara yüz durum yoğunluğu ve etkin kesitin ölçümü için statik kapa- sitans (quasistatic capacitance), iletkenlik, ve DLTS tekniklerini kullanan ölçüm sistemleri geliştirilmiştir. Veri işleme sistemleri bilgisayarlı hale getirilmiş; ve özel programlar geliştirilmiştir. Geliştirilen ölçüm sistemleri ile, metal ve polisilisyum elektrodlu, kuru ve nemli oksijenle oksitlenmiş, bazıları azot ile tavlanmış MOS kapasitörler üzerinde ölçümler yapılmıştır. Ara yüz durumlarının silisyum yasak bandı içindeki yoğunluk ve etkin kesit dağılımı, ayrıca oksit içindeki sabit yüklerin yoğunluğu belirlenmiş; ve çeşitli teknikler arasında karşılaştırmalar yapılarak tutarlılıkları saptanmıştır.Veri işleme sürecinin sonunda elde edilen ara yüz durum yoğunluğu ve etkin kesitin ortalama değerleri, yayınlanmış değerlerle uyumludur. Bu sonuç, üretim süreçlerinin ve ölçüm sistemlerinin yeterince geliştirildiğini göstermektedir. Sonuç olarak, MOS yapıda kaliteli devre elemanlarının üretiminin, ve incelenen ölçüm teknikleriyle üretim süreçlerinin denetiminin başarılabileceği anlaşılmak tadır.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT PRODUCTION AND ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF METAL AND POLYSILICON GATE MOS STRUCTURES MUTLUGİL, Bülent Ph. D. in Physics Supervisor: Prof. Dr. Bayram KATIRCIOĞLU July, 1992, 263 pages. Metal gate and polysilicon gate Metal Oxide Silicon (MOS) devices having the capacitor structure have been produced, and their electrical properties measured; with an aim of determining the characteristic properties of Si/SiOs interface states, like their density and distribution in the silicon energy gap and their capture cross sections. Basic production processes for MOS structures were developed, to obtain devices with a low density of interface states and oxide charges. Spe cial equipment and systems were constructed for production of photolithography masks and ultrapure water, along with a plasma enhanced CVD system for poly silicon film deposition. The quality of the production process was monitored through a variety of admittance measurement techniques on MOS capacitors. Three measurement systems have been developed, for admittance mea surements through application of the quasistatic capacitance, ac conductance, and DLTS methods. Data acquision systems have been computerized; and spe cial programs have been developed for data analysis. These admittance methods were applied on metal and polysilicon gate MOS capacitors, having wet or dry grown oxides, including nitrogen annealed samples. Important interface trap properties like the interface trap density and capture cross section distributions in the silicon bandgap were determined, along with the fixed oxide charge density; and the consistency of the results from the different techniques has been investigated. 111Average values of interface trap density and capture cross sections that were obtained as a result of data analysis are consistent with the results stated in literature. This indicates that the sample processing procedures are well developed and suitable for production of high quality MOS devices; and that the resulting devices or the production process can be characterized using the admittance methods that were investigated.
Benzer Tezler
- Çok düzeyli statik bellek gözesi ve kohonen türü yapay sinir ağına uygulanması
Multiple valued static storage cell and its application to kohonen type neural network
NURETTİN YAMAN ÖZELÇİ
Doktora
Türkçe
1999
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. UĞUR ÇİLİNGİROĞLU
- Hibrit PDCTI-C8/p-Si organik-inorganik heteroeklem diyotun fabrikasyonu ve elektriksel karakterizasyonu
Production and electrical characterization of PTCDI-C8/P-Si hybrid organic/inorganic heterojunction diode
MURAT ERDAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiBatman ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ CİHAT ÖZAYDIN
- Kompakt zeolit modifiyeli gaz sensörünün tasarımı üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of compact zeolite modified gas sensor
IRMAK KARADUMAN
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SELİM ACAR
- Boya duyarlı güneş hücreleri için bazı 2,4,6-triarilpiridin türevlerinin sentezi ve karakterizasyonu
Synthesis and characterization of some 2,4,6-triarylpyri̇di̇ne derivatives for dye-sensitized solar cells
DİLEK ARSLAN
- ZnO nanoçubuk temelli schottky ve metal-yarıiletken-metal fotodedektörlerin üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of ZnO nanorod based schottky and metal-semiconductor-metal photodedectors
BİLGE MERVE CANDAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKastamonu ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖZGÜR ÖZTÜRK