Geri Dön

Hibrit PDCTI-C8/p-Si organik-inorganik heteroeklem diyotun fabrikasyonu ve elektriksel karakterizasyonu

Production and electrical characterization of PTCDI-C8/P-Si hybrid organic/inorganic heterojunction diode

  1. Tez No: 724988
  2. Yazar: MURAT ERDAL
  3. Danışmanlar: DR. ÖĞR. ÜYESİ CİHAT ÖZAYDIN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Batman Üniversitesi
  10. Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 68

Özet

PTCDI-C8, yüksek mobilite ve n-tipi yarıiletken özelliklere sahip elektronik ve optoelektronik cihazlar için çok önemli bir organik malzemedir. Organik-inorganik hibrit cihazların yaygın olarak kullanılması, organik moleküllü yarı iletkenlerin farklı optoelektronik cihazlarda kullanılmasını ve elektriksel özelliklerinin ortaya çıkarılmasını önemli hale getirmiştir. Bu çalışmada, PTCDI-C8 yarı iletken organik molekülün ince bir filminin p-tipi silikon üzerinde sol-jel spin kaplama tekniği ile büyütülmesiyle PTCDI-C8/p-Si heteroeklemi oluşturulmuştur. Karşılaştırma için, aynı koşullar altında ara katmanı olmayan p-Si/Al metal-yarı iletken (MS) diyot da üretildi. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroeklem ve p-Si/Al MS diyotun elektriksel özellikleri, oda sıcaklığında akım-gerilim (I-V) ve kapasitans-gerilim (C-V) ölçümleri ile araştırıldı. Her iki diyot da iyi doğrultucu özellikler gösterdi. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroekleminin idealite faktörü (2.1), bariyer yüksekliği (0.74 eV) ve seri direnci (248 kΩ) I–V karakteristiklerinden elde edildi. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroeklem için elde edilen engel yükseklği(BH), geleneksel Al/p-Si Schottky diyotu için elde edilenden daha yüksektir. PTCDI-C8 organik ince film tabakası, Al/p-Si Schottky diyotun etkin bariyer yüksekliğini değiştirerek Al metal ve p-Si arasında fiziksel bir bariyer oluşturdu. Cihazın fotovoltaik parametreleri de 100 mW/cm2 ve AM1.5 aydınlatma koşulunda belirlenmiştir. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroekleminin açık devre voltajı (Voc = 320 mV) ve kısa devre akımı (Isc = 1,91 µA) ile bir fotodiyot davranışı sergiler.

Özet (Çeviri)

PTCDI-C8 is a very important organic material for electronic and optoelectronic devices with high mobility, n-type semiconductor properties. The widespread use of organic-inorganic hybrid devices has made it important to use organic molecule semiconductors in different optoelectronic devices and to reveal their electrical properties. In this work, PTCDI-C8/p-Si heterojunction was formed by growing a thin film of PTCDI-C8 semiconductor organic molecule on p-type silicon by sol-gel spin coating technique. For comparison, p-Si/Al metal-semiconductor (MS) diode without interlayer was also produced under the same conditions. Electrical properties of PTCDI-C8/p-Si/Al heterojunction and p-Si/Al MS diode were investigated by current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements at room temperature. Both junctions showed good rectifying properties. The ideality factor (2.1), barrier height (0.74 eV) and series resistance (248 kΩ) of the PTCDI-C8/p-Si/Al heterojunction were obtained from I–V characteristics. The barrier height obtained for the PTCDI-C8/p-Si/Al heterojunction is higher than that of obtained for the conventional Al/p-Si Schottky diode. PTCDI-C8 organic thin film layer formed a physical barrier between Al metal and p-Si, modifying the effective barrier height of the Al/p-Si Schottky diode. The photovoltaic parameters of the device have been also determined under 100 mW/cm2 and AM1.5 illumination condition. The PTCDI-C8/p-Si/Alg heterojunction exhibits a photodiode behavior with open circuit voltage (Voc = 320 mV) and short circuit current (Isc = 1.91 µA).

Benzer Tezler

  1. Hibrit kompozitlerin titreşim davranışlarının incelenmesi

    Investigation of the vibration behavior of hybrid composite

    ORHAN AKTAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Makine MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. GÜRKAN ŞAKAR

  2. Hibrit yıkayıcı/kurutucu için spreyle nem alma sürecinin deneysel incelenmesi

    Experimental investigation of spray dehumidification process for hybrid washing/drying machine

    SEMRA GÜMRÜK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Makine MühendisliğiTOBB Ekonomi ve Teknoloji Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MURAT KADRİ AKTAŞ

  3. Development of an all speed navier-stokes preconditioner for two and three dimensional flows on hybrid grids

    Hibrit ağlarda iki ve üç boyutlu akışlar için tüm hızlarda geçerli navier-stokes önkoşullandırıcı geliştirilmesi

    ONUR BAŞ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Havacılık MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Havacılık ve Uzay Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İSMAİL HAKKI TUNCER

  4. An efficient energy scheme for hybrid clustering wireless sensor networks

    Hibrit kümelenme kablosuz algılayıcı ağları için verimli enerji programı

    AHMED M. SALEEM

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolÇankaya Üniversitesi

    Matematik ve Bilgisayar Bilimleri Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. SİBEL TARIYAN ÖZYER

  5. Hibrit yapay sinir ağları yöntemleri ile nörögörüntüleme verilerine dayalı otizm tanılama

    Autism diagnosis based on neuroimaging data with hybrid neural network techniques

    EMEL KOÇ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrolİstanbul Okan Üniversitesi

    Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEMİH BİLGEN