Geri Dön

Hibrit PDCTI-C8/p-Si organik-inorganik heteroeklem diyotun fabrikasyonu ve elektriksel karakterizasyonu

Production and electrical characterization of PTCDI-C8/P-Si hybrid organic/inorganic heterojunction diode

PDF İndir

  1. Tez No: 724988
  2. Yazar: MURAT ERDAL
  3. Danışmanlar: DR. ÖĞR. ÜYESİ CİHAT ÖZAYDIN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Elektriksel karakterizasyon, Fotovoltaik özellikler, Heteroeklem, Sol-jel yöntemi, İnce filmler, Electrical characterization, Photovoltaic properties, Heterojunction, Sol-gel method, Thin films
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Batman Üniversitesi
  10. Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

PTCDI-C8, yüksek mobilite ve n-tipi yarıiletken özelliklere sahip elektronik ve optoelektronik cihazlar için çok önemli bir organik malzemedir. Organik-inorganik hibrit cihazların yaygın olarak kullanılması, organik moleküllü yarı iletkenlerin farklı optoelektronik cihazlarda kullanılmasını ve elektriksel özelliklerinin ortaya çıkarılmasını önemli hale getirmiştir. Bu çalışmada, PTCDI-C8 yarı iletken organik molekülün ince bir filminin p-tipi silikon üzerinde sol-jel spin kaplama tekniği ile büyütülmesiyle PTCDI-C8/p-Si heteroeklemi oluşturulmuştur. Karşılaştırma için, aynı koşullar altında ara katmanı olmayan p-Si/Al metal-yarı iletken (MS) diyot da üretildi. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroeklem ve p-Si/Al MS diyotun elektriksel özellikleri, oda sıcaklığında akım-gerilim (I-V) ve kapasitans-gerilim (C-V) ölçümleri ile araştırıldı. Her iki diyot da iyi doğrultucu özellikler gösterdi. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroekleminin idealite faktörü (2.1), bariyer yüksekliği (0.74 eV) ve seri direnci (248 kΩ) I–V karakteristiklerinden elde edildi. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroeklem için elde edilen engel yükseklği(BH), geleneksel Al/p-Si Schottky diyotu için elde edilenden daha yüksektir. PTCDI-C8 organik ince film tabakası, Al/p-Si Schottky diyotun etkin bariyer yüksekliğini değiştirerek Al metal ve p-Si arasında fiziksel bir bariyer oluşturdu. Cihazın fotovoltaik parametreleri de 100 mW/cm2 ve AM1.5 aydınlatma koşulunda belirlenmiştir. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroekleminin açık devre voltajı (Voc = 320 mV) ve kısa devre akımı (Isc = 1,91 µA) ile bir fotodiyot davranışı sergiler.

Özet (Çeviri)

PTCDI-C8 is a very important organic material for electronic and optoelectronic devices with high mobility, n-type semiconductor properties. The widespread use of organic-inorganic hybrid devices has made it important to use organic molecule semiconductors in different optoelectronic devices and to reveal their electrical properties. In this work, PTCDI-C8/p-Si heterojunction was formed by growing a thin film of PTCDI-C8 semiconductor organic molecule on p-type silicon by sol-gel spin coating technique. For comparison, p-Si/Al metal-semiconductor (MS) diode without interlayer was also produced under the same conditions. Electrical properties of PTCDI-C8/p-Si/Al heterojunction and p-Si/Al MS diode were investigated by current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements at room temperature. Both junctions showed good rectifying properties. The ideality factor (2.1), barrier height (0.74 eV) and series resistance (248 kΩ) of the PTCDI-C8/p-Si/Al heterojunction were obtained from I–V characteristics. The barrier height obtained for the PTCDI-C8/p-Si/Al heterojunction is higher than that of obtained for the conventional Al/p-Si Schottky diode. PTCDI-C8 organic thin film layer formed a physical barrier between Al metal and p-Si, modifying the effective barrier height of the Al/p-Si Schottky diode. The photovoltaic parameters of the device have been also determined under 100 mW/cm2 and AM1.5 illumination condition. The PTCDI-C8/p-Si/Alg heterojunction exhibits a photodiode behavior with open circuit voltage (Voc = 320 mV) and short circuit current (Isc = 1.91 µA).

Benzer Tezler

  1. Tez No

    55653

    Hibrit bağlaşmalı şebekeler için performans modelleri

    Başlık çevirisi yok

    HAKKI ASIM TERCİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1996

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. GÜNSEL DURUSOY

  2. Tez No

    84029

    Hibrit ve populasyon cinmısırlarının (zea mays everta sturt.) Tokat-Kazova koşullarında verim ve diğer bazı özelliklerinin belirlenmesi üzerine bir araştırma

    A Study on growing possibilities of hybrid and population popcorn genotyper (zea mays everta sturt.)in Tokat-Kazova conditions

    SAVAŞ BELEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    ZiraatGaziosmanpaşa Üniversitesi

    Tarla Bitkileri Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SABRİ GÖKMEN

  3. Tez No

    86690

    Hibrit total kalça protezlerinin orta dönem sonuçları

    Mid-term results of hybrid hip arthroplasties

    HASAN BOZ

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Ortopedi ve TravmatolojiÇukurova Üniversitesi

    Ortopedi ve Travmatoloji Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. EMRE TOĞRUL

  4. Tez No

    134609

    Hibrit çizgili levrek (Morone saxatilis X Morone chrysops) balığının büyüme ve üreme özelliklerinin araştırılması

    Investigations of hybrid striped bass (Morone saxatilis X Morone chrysops) growth and reproduction characteristics

    MUHAMMET ALTUNOK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Su ÜrünleriEge Üniversitesi

    Su Ürünleri Yetiştiriciliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. YUSUF GÜNER

  5. Tez No

    134594

    Hibrit çizgili levrek balığının (Morone saxatilis x Morone chrysops) üreme potansiyelinin araştırılması

    Investigation of hybrid striped bass (Morone saxatilis x Morone chrysops) reproduction potential

    ALİ AKKÖSE

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Su ÜrünleriEge Üniversitesi

    Su Ürünleri Yetiştiriciliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. YUSUF GÜNER

Geri Dön