Geri Dön

Theoretical investigation of the effect of nitrogen on optical and electronic properties of GaInAsN semiconductors

Nitrojen?in GaInAsN yarıiletkenlerin optiksel ve elektronik özellikleri üzerindeki etkilerinin teorik analizi

  1. Tez No: 238870
  2. Yazar: KORAY KÖKSAL
  3. Danışmanlar: PROF. DR. BEŞİRE GÖNÜL
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2009
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Gaziantep Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Bölümü
  12. Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 106

Özet

Bu tezin amacı, nitrojen katkılı III-V yarıiletken bileşiklerin deneysel olarak gösterilmiş temel özellikleri ve cihaz uygulamaları ile ilgili üstünlüklerini teorik olarak incelemek, yorumlamak ve bu konuda yapılabilecek farklı çalışmalara bir kapı açmak için yeni malzemeler önermektir. Bu tezde, nitrogen katkılı GaInAs yarıiletkeninin temel özellikleri ve sıradışı karakteristiğinin altında yatan fizik üzerinde duruldu. Nitrojen içeren ve içermeyen GaAs veya InP üzerine büyütülmüş lazer cihazlarının band hizalanmasını inceledik. Nitrojen(N)ve antimonite(Sb) katkısının, GaAs ve InP ile (111) ya da (001) yönünde büyütülmüş deformasyona uğramış GaInAsNSb kuantum kuyu lazerlerinin kritik kalınlıkları üzerindeki rolünü incelemek için hesaplar yapıldı.Yeni bir analitik metod kullanılarak, nitrojen katkısının GaAsN alaşımı içinde bulunan sığ donörlerin bağlanma enerjisi ve etkin Bohr yarıçapı ile perdeleme parametresi ve taşıyıcı yoğunluğu üzerindeki etkisi incelenmiştir. Nitrojen ve bağlanma enerjisi arasında güçlü bir ilişki vardır. Ayrıca perdeleme parametresinin yükselmesi bağlanma enerjisinin düşmesine sebep olmaktadır. Yarıiletken kuantum kuyu lazerlerinin dizaynı için temel faktörlerden bir tanesi de optiksel mod hapsolmasıdır (ışığın hapsedilmesi). GaAs ve InP üzerine büyütülmüş GaInAsN lazer malzemelerinin kırılma indisi ve buna bağlı optiksel hapsolma faktörleri incelenmiştir.

Özet (Çeviri)

The investigation of profound of nitrogen containing III-V semiconductors in fundamental properties proven experimentally and device applications and to propose new device materials are the aim of this thesis. We have presented an overview of the fundamental properties of nitrogen incorporated GaInAs semiconductor and the physics behind of unusual characteristics of GaInAsN. We have compared the band alignments of the nitrogen-free and nitrogen-included laser devices on GaAs and InP substrates. We have presented the calculations to investigate the role of N and Sb on the critical thickness hc of strained GaInAsNSb QWs on GaAs and InP substrate for (001) and (111) orientations.We have presented a new analytical method to investigate the effect of nitrogen on intrinsic carrier density, screening parameter, effective Bohr radius and binding energy of shallow donors in GaAsN alloys. We have investigated the relation between the binding energy of hydrogenic shallow donor in bulk GaAsN alloys for different screening parameter and nitrogen concentrations. We have investigated the refractive indices and the corresponding optical confinement factors of the proposed GaInAsN laser material systems on GaAs substrate. We have compared conventional and N-based quantum well laser systems to find which has better optical confinement.

Benzer Tezler

  1. Synthesis of new mesogens and investigation of their liquid crystalline properties

    Yeni mezojenlerin sentezi ve sıvı kristal özelliklerinin incelenmesi

    BURAK KORKMAZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BAHİRE FİLİZ ŞENKAL

    PROF. DR. YEŞİM GÜRSEL

  2. Transparan AlON seramiklerinin SPS ile üretimi ve geliştirilmesi, farklı katkıların transparanlık ve mekanik özellikler üzerindeki etkilerin incelenmesi

    Production and development of transparent AlON ceramics with SPS, investigation of the effects of different additives on transparency and mechanical properties

    DEMET AYDOĞMUŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FİLİZ ŞAHİN

  3. Hekzadeka sübstitüe ftalosiyaninlerin X-ışını kristallografisi ve NMR spektroskopisi ile yapısal özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of the structural properties of hexadeca-substituted phthalocyanines by X-ray crystallography and NMR spectroscopy

    ARMAĞAN ATSAY

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MAKBULE KOÇAK

  4. Bazı halojenli piperazinlerin lineer olmayan optik özelliklerinin ve ilaç benzerlik parametrelerinin teorik olarak incelenmesi

    Theoretical investigation of nonlinear optical properties and druglikeness parameters of some halogenated piperazines

    FULDEN DEMİRCİOĞLU OVEZOV

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEge Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CEMAL PARLAK

  5. Amino, nitro ve azido grupları içeren tek ve iki halkalı aromatik enerjik maddelerin kromatografik yöntemlerle analizlerinin araştırılması

    The investigation of the analysis of the energetic materials with single and double aromatic rings containing amino, nitro and azido groups by chromatographic methods

    MELİKE ATAKOL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    KimyaAnkara Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ORHAN ATAKOL