Geri Dön

The bound exciton to an ionized donor impurity in semiconductor spherical quantum dot

Yarıiletken küresel kuantum noktasında iyonize olmuş bir verici safsızlığına bağlı exciton

  1. Tez No: 243800
  2. Yazar: BAHADIR OZAN AKTAŞ
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. HAKAN EPİK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2009
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Dokuz Eylül Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
  12. Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 103

Özet

Bir dielektrik ortam içerisinde sonsuz küresel mikrokristal merkezinde konumlanmış olan hidrojenik verici safsızlığına bağlı egziton görüngüsünde ilintili elektron-deşik çiftinin kuantum kuşatma altında taban durum enerjisine kuantum noktasının boyutunun etkisi incelenmiştir. Bir çok eşitlik ve sonuç verici safsızlığının mevcut olduğu ve olmadığı durumlar için karşılaştırılmış ya da kesinlik açısından bir özel duruma indirgenerek kontrol edilmiştir. Matematiksel olarak özenli çalışma, literatürde önceleri elde edilmiş olan sonuçlar ile birebir örtüşmese dahi, şeklen bütünleştirici ve daha basitce gerçekleyici sonuçların eldesini mümkün kılar. Geleneksel izlekten farklı olarak, keyfi açısal momentum durumları için Hylleraas-tipi varyasyonel hesabında çeşitli işlemciler bütünü biçiminde Hamiltonyan matris elemanlarından elde edilen, eşitlikte verilmiş olan Hylleraas koordinatlarında parçacıklar arası rij uzaklığını içeren üç-parçacık integrallerinin hesaplanmasında Fourier dönüşümü kullanılmıştır.Hamiltonyan matrisinden türemiş integraller bilgisayar uygulamasına oldukça elverişlidir. Hamiltonyan'ın beklenen değerine ait kesin analitik ifadesinin inşası için, parçacıklar arası koordinatların yüksek mertebeden kuvvetlerini içeren integrallerin hesaplanmasında nümerik olarak hızlı ve kararlı bir algoritma kullanıldı. Varyasyonel parametresinin optimum değeri lambda=[0.055,0.300] aralığına yayılmaktadır.İki ek I(G1) ve I(G2) parçacıklar arası etkileşim integral terimlerinin bir işaret farkı ile tamamen aynı olmasından ötürü, X ve D+,X yapılarının davranışları benzerdir. Dolayısıyla temel çıkarımsama, X yapısına bir verici safsızlığı enjekte etmenin sistemin dingin durumunda bir değişikliğe neden olmayacağıdır.

Özet (Çeviri)

The effects of quantum confinement on the ground state energy of a bound correlated electron-hole pair as an exciton to an hydrogenic ionized donor impurity which placed at the center of an infinite spherical microcrystal in interior dielectric medium have been investigated constitutively as a function of quantum dot size. Most of formulas and results obtained are compared for cases with and without impurity or have been checked for accuracy in a number of special case. A mathematically rigorous study confirms, in a unified and simpler manner, several results obtained earlier in the literature but not necessarily in the same contexts. Unlike the conventional procedure, the Fourier transforms have been used for evaluating three-particle integrals terms including interparticle distance rij in Hylleraas coordinates are given formulae are obtained for the Hamiltonian matrix elements of various operators arising in Hyleeraas-type variational calculations for states of arbitrary angular momenta.The integrals have been generated from Hamiltonian matrix are well suited to computer implementation. To construct an exact analytical expression for the expectation value of the Hamiltonian have been used a numerically fast and well stable algorithm for the calculation of the relevant integrals with high powers of interparticle coordinates. The optimum value of the variational parameter have been vary in the range of lambda=[0.055,0.300].The behaviors of the complexes X and D+,X are similar cause of the values of the two additional interparticle interaction integral terms I(G1) and I(G2) are completely the same by a difference opposite notation. Consequently the main inference is that injecting a donor impurity to the X complex would not change the stationary state of the system.

Benzer Tezler

  1. Çinko oksit yarı iletkeninin yapısal, optik ve elektriksel karakterizasyon teknikleriyle incelenmesi

    An investigation of semiconductor zinc oxide via structural, optical and electrical characterization techniques

    EMRE GÜR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN

  2. Solution-processed thin film deposition and characterization of multinarychalcogenides: Towards highly efficient Cu2BaSn(S,Se)4 solar devices

    Solüsyon yöntemiyle sentezlenmiş çok elementli kalkojenitlerin ince film kaplama ve karakterizasyonu: Yüksek verimli Cu2BaSn(S,Se)4 bazlı güneş soğuran cihazlara doğru

    BETÜL TEYMUR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    EnerjiDuke University

    Malzeme Bilimi ve Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. DAVİD B.MİTZİ

  3. Ni/ZnO nanokompozit partiküllerinin ultrasonik sprey piroliz tekniğiyle üretimi

    Production of Ni/ZnO nanocomposite particles via ultrasonic spray pyrolysis (USP) method

    İLAYDA KOÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEBAHATTİN GÜRMEN

  4. Zn ve O Polar ZnO/GaN ince filmlerin fotolüminesans özelliklerinin karşılaştırılması

    Comparison of photoluminescense properties of Zn and O polar ZnO/GaN thin films

    MEHMET PARLAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ TEKE