Geri Dön

GaAs-Ga1-xAlxAs kuantum çukurlarında yük taşıyıcıları ve eksitonların alan altındaki davranışları

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 28644
  2. Yazar: HÜSEYİN SARI
  3. Danışmanlar: Belirtilmemiş.
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Eksiton, Elektrik alanları, Heteroyapılar, Kuantum kuyusu, Yarı iletkenler, Exciton, Electric fields, Heterostructures, Quantum well, Semiconductors
  7. Yıl: 1993
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

ÖZET Bu çalışmada ilk olarak düşük boyutlu sistemlerin temel özellikleri ve elektronik yapıları konusunda etkin kütle çerçevesinde daha önce yapılan çalışmaların bir özeti verilmiştir. Bir sonraki aşamada, sonsuz potansiyel çukuru modelinde elektrik alanının ara durumlar ve eksitonlar üzerindeki etkilerini hesapladık. Aynı zamanda, GaAs-Ga,,xAlxAs kuantum çukurunda sabit elektrik alanının eksiton taban durumu, özenerjiler ve özfonksiyonlar üzerindeki etkilerini bağlı durumun kuantum çukurundan dışarıya sızma sürecini ve yan-bağlılık koşulunu incelememize olanak sağlayan yeni çözüm tekniklerini kullanarak hesapladık. Son olarak graded GaAs - Ga,.xAlxAs kuantum çukurunda enerji durumlarının elektrik alanı altındaki değişimlerini tam çözüm tekniği ile hesapladık. Hesaplamalarımız graded kuantum çukurunda ara durumlardaki enerji değişiminin elektrik alanı doğrultusuna bağlılğını ortaya koymaktadır.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT In this study, first of all a summary of the previous researches on the basic properties and the construction of the electronic structure of the low dimensional systems within the framework of the effective mass approximation has been given. Secondly, the effects of an electric field on the subbands and excitons in a quantum well are discussed with the use of an infinite-potential barrier model. Also we have calculated the effects of a constant electric field on the exciton ground state, eigenenergies and eigenfunctions of states in a GaAs-Ga,.xAlxAs quantum well by using new techniques which allow one to follow the development of the quantum well eigenstate outside the well and to determine the validity of the quasi-bound state approximation. Finally, we have calculated the energy shifts in an electric field in a GaAs-Ga^A^As graded gap quantum well by using an exact solution. Our calculations have revealed the dependence of energy shifts of subbands on the field direction in the graded gap quantum well. n

Benzer Tezler

  1. GaAs/Ga1-xAlxAs(x=0,3) çoklu kuantum kuyuların elektronik özellikleri ve sıcak elektron güç kaybı mekanizmalarının magnetotransport ölçümlerle incelenmesi

    Investigation of electronic properties and hot electron power loss mechanisms in GaAs/Ga1-xAlxAs(x=0,3) multiple quantum wells by magnetotransport measurements

    ENGİN ARSLAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. MEHMET CANKURTARAN

  2. Eğik elektrik alan altında GaAs/Ga1-xAlxAs kuantum telindeki donor safsızlık atomlarının bağlanma enerjileri

    Bilding energies of donor impurities in GaAs/Ga1-xAlxAs quantum wire under the tilted electric field

    SERKAN KILIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    DOÇ. DR. ESİN KASAPOĞLU

  3. Elektrik ve eğik manyetik alan altında üçlü GaAs/Ga1-xAlxAs kuantum kuyularının elektronik ve optik özellikleri

    Electronic and optical properties of triple quantum wells GaAs/Ga1-xAlxAs under external electric and tilted magnetic fields

    FARUK BAŞPINAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. RANA ÖZBAKIR

  4. Elektrik ve eğik manyetik alan altında çoklu GaAs/Ga1−xAlxAs kuantum kuyularının elektronik ve optik özellikleri

    Electronic and optical properties of multiple quantum wells GaAs/Ga1−xAlxAs under external electric and tilted magnetic fields

    VELİ AKTAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. RANA ÖZBAKIR

  5. Düşük boyutlu sistemlerin elektronik özellik-leri: dış manyetik alan etkisinde Ga1-xAlxAs/GaAs silindirik kuantum telinde hidrojenik safsızlık-lar ve eksitonların bağlanma enerjileri

    Electronic properties of low dimensional systems: the hydrogenic impurities and excitonic binding energies in cylindrical Ga1-xAlxAs/GaAs quantum wires under an externally applied magnetic field

    PINAR BAŞER

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. SEZAİ ELAGÖZ

    PROF.DR. UĞUR YAHŞİ