GaAs-Ga1-xAlxAs kuantum çukurlarında yük taşıyıcıları ve eksitonların alan altındaki davranışları
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 28644
- Danışmanlar: Belirtilmemiş.
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1993
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 119
Özet
ÖZET Bu çalışmada ilk olarak düşük boyutlu sistemlerin temel özellikleri ve elektronik yapıları konusunda etkin kütle çerçevesinde daha önce yapılan çalışmaların bir özeti verilmiştir. Bir sonraki aşamada, sonsuz potansiyel çukuru modelinde elektrik alanının ara durumlar ve eksitonlar üzerindeki etkilerini hesapladık. Aynı zamanda, GaAs-Ga,,xAlxAs kuantum çukurunda sabit elektrik alanının eksiton taban durumu, özenerjiler ve özfonksiyonlar üzerindeki etkilerini bağlı durumun kuantum çukurundan dışarıya sızma sürecini ve yan-bağlılık koşulunu incelememize olanak sağlayan yeni çözüm tekniklerini kullanarak hesapladık. Son olarak graded GaAs - Ga,.xAlxAs kuantum çukurunda enerji durumlarının elektrik alanı altındaki değişimlerini tam çözüm tekniği ile hesapladık. Hesaplamalarımız graded kuantum çukurunda ara durumlardaki enerji değişiminin elektrik alanı doğrultusuna bağlılğını ortaya koymaktadır.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT In this study, first of all a summary of the previous researches on the basic properties and the construction of the electronic structure of the low dimensional systems within the framework of the effective mass approximation has been given. Secondly, the effects of an electric field on the subbands and excitons in a quantum well are discussed with the use of an infinite-potential barrier model. Also we have calculated the effects of a constant electric field on the exciton ground state, eigenenergies and eigenfunctions of states in a GaAs-Ga,.xAlxAs quantum well by using new techniques which allow one to follow the development of the quantum well eigenstate outside the well and to determine the validity of the quasi-bound state approximation. Finally, we have calculated the energy shifts in an electric field in a GaAs-Ga^A^As graded gap quantum well by using an exact solution. Our calculations have revealed the dependence of energy shifts of subbands on the field direction in the graded gap quantum well. n
Benzer Tezler
- Çift parabolik kuşatma altında kuantum sistemi-Eksitonik bağlanma enerjileri
In the presence of double parabolic surrounding quantum system exciton binding energies
SONGÜL KUTLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. RANA AMCA
- Çift parabolik kuşatma altında kuantum sistemi elektronik enerji düzeyleri
In the presence of double parabolic surroinding quantum system electronic energy levels
MEHMET OSMAN USLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Eğik elektrik alan altında GaAs/Ga1-xAlxAs kuantum telindeki donor safsızlık atomlarının bağlanma enerjileri
Bilding energies of donor impurities in GaAs/Ga1-xAlxAs quantum wire under the tilted electric field
SERKAN KILIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Bölümü
DOÇ. DR. ESİN KASAPOĞLU
- Elektrik ve eğik manyetik alan altında üçlü GaAs/Ga1-xAlxAs kuantum kuyularının elektronik ve optik özellikleri
Electronic and optical properties of triple quantum wells GaAs/Ga1-xAlxAs under external electric and tilted magnetic fields
FARUK BAŞPINAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. RANA ÖZBAKIR
- Manyetik alan altında basamaklı asimetrik kuantum kuyusunda elektronik yapı
The electronic structure in the step like asymmetric quantum well under the magnetic field
YUSUF ÖZDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ESİN KASAPOĞLU