Gap yarıiletkeni ile hazırlanan metal-yarıiletken kontakların elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of electrical properties of metal-semiconductor contacts prepared with gap semiconductor
- Tez No: 245569
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 83
Özet
Bu çalışmada, (100) yönelimli, 300?m kalınlığında, 1x1018cm-3 taşıyıcı yoğunluğuna sahip n-tipi GaP yarıiletken üzerine metal buharlaştırma metodu ile Au/n-GaP yapılar oluşturuldu. Bu yapıların temel bazı elektriksel parametreleri 80-380K sıcaklık aralığında incelendi. Hazırlanan bu yapıların 80K-380K sıcaklık aralığında yapılan akım-gerilim (I-V) ölçümlerinden; idealite faktörü n, Schottky engel yüksekliği ?B ve diğer bazı diyot parametreleri hesaplandı. Oda sıcaklığında engel yüksekliği 0.785 eV, idealite faktörü ise 1.47 olarak bulundu. Sıcaklık artışıyla idealite faktörünün azaldığı, engel yüksekliğinin ise arttığı gözlendi. I-V ölçümlerinden ara yüzey durum yoğunluğu değerleri hesaplandı ve sıcaklığa bağlı olarak azaldığı görüldü. Oda sıcaklığında 5 kHz - 400 kHz aralığında frekansa bağlı sığa-gerilim (C-V) karakteristikleri, 1 MHz frekansta ise sıcaklığa bağlı sığa-gerilim (C-V) özellikleri incelendi. 1/C²-V grafiği kullanılarak; difüzyon potansiyeli VD, engel yüksekliği ?B, verici atomların yoğunluğu ND, tüketim tabakası genişliği WD veyalıtkan tabaka kalınlığı ? hesaplandı. Oda sıcaklığında engel yüksekliği C-V ölçümlerinden 1.02 eV olarak bulundu.
Özet (Çeviri)
In this study, Au/n-GaP structures were prepared on n-type GaP semiconductor with orientation (100) and having 300 ?m thickness and carriers concentration of 1x1018cm-3 by metal evaporation method. Some basic electrical parameters of these structures were investigated in the range of 80K-380K. Prepared structure's current-voltage (I-V) specifications have been calculated under 80K-380K temperature ranges and ideality factor n, Schottky barrier heights ?B and other related diode parameters has been evaluated. At room temperature, it has been determined for barrier height as 0.785 eV and for ideality factor as 1.47. It has been observed that ideality factor decreases barrier height increases as temperature increases. Characteristics of current-voltage (I-V) at room temperature and characteristics of capacitance-voltage (C-V) which is bound to frequency range of 5 kHz-400 kHz has been analyzed. At 1 MHz frequency, capacitance-voltage (C-V) specifications has been analyzed depend on temperature. Density of interface states values were evaluated from I-V measurements and it has been noticed that it decreases as temperature increases. Using 1/C²-V graphic data; diffusion voltage VD, barrier height ?B, concentration of donor ND, width of depletion layer WD and insulation layer thickness has been calculated. At room temperature barrier height value has been calculated as 1.02 eV from C-V measurements.
Benzer Tezler
- N-GaP yarıiletkeni ile hazırlanan metal yarıiletken kontakların diyot ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the diode and optical properties of metal semiconductors contacts prepared with n-GaP semiconductor
AYKUT KIYMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. METİN ÖZER
- MgO ara yüzey tabakalı yarıiletken aygıtların elektronik ve optoelektronik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electronic and optoelectronic properties of MgO interface layer semiconductor devices
BAŞAK ÇAĞLAYAN TOPRAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SAİME ŞEBNEM AYDIN
- Metal-kompleks yarıiletgen schottky diyotların elektronik özelliklerinin belirlenmesi
Investigation of the electronic properties of metal-complex semiconductor schottky diodes
FETHİ DAĞDELEN
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. AYŞE AYDOĞDU
- Au/n-InP ve Au/Pyronine-B/n-InP Schottky yapıların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu
Temperature dependence of electrical characteristics of Au/n-InP and Au/Pyronine-B/n-InP Schottky structures
MURAT SOYLU
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. BAHATTİN ABAY
- Organik yarıiletken tabanlı fotovoltaik aygıtlar için şekilli ince film altlıkların kullanımı ve etkilerinin incelenmesi
The effect of the usage of sculptured thin film substrates for organic semiconductor based photovoltaic devices
DİLEK DEMİROĞLU
Doktora
Türkçe
2019
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN
DR. ÖĞR. ÜYESİ BEYHAN TATAR