Akım transiyent spektroskopi yöntemi ile yarıiletken yapıların incelenmesi
An investigation of semiconductor structures with current transient spectroscopy
- Tez No: 252725
- Danışmanlar: PROF. DR. M. ÇETİN ARIKAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 116
Özet
Bu çalışmada, Ga1-yInyNxAs1-x / GaAs katkısız tekli ve çoklu kuantum kuyulu ve modülasyon katkılı üçlü kuantum kuyulu seyreltik nitratlı yarıiletkenlerdeki derin tuzak seviyeleri“Işıkla Uyarılan Akım Transiyent Spektroskopisi-Photo-Induced Current Transient Spectroscopy-PICTS”yöntemi kullanılarak incelenmiştir. Bu yöntem ile ışıkla uyarımdan sonraki akım bozulma (decay) eğrilerinin sıcaklıkla değişimlerinden elde edilen PICTS sinyallerinden yararlanılarak derin seviyelerin aktivasyon enerjileri (Ea), yakalama tesir kesitleri (?) belirlenmiştir. Ayrıca bu örneklerin kontak kalitesini belirlemek için I-V karakteristiğine bakılmıştır.Isıl işleme tabi tutulmuş ve tutulmamış katkısız tekli ve çoklu kuantum kuyulu yapılar için yapılan PICTS ölçümlerinde bulunan aktivasyon enerjileri ve yakalama tesir kesitleri kıyaslanıp tavlamanın örnekler üzerindeki etkisi incelenmiştir. Isıl işleme tabi tutulmuş modülasyon katkılı örnek olmadığı için, sonuçlar sadece ısıl işleme tabi tutulmamış modülasyon katkılı örnek için elde edilmiştir. Bu yüzden bu örnek için sadece derin seviyelerin aktivasyon ve yakalama tesir kesitleri elde edilmiştir. Elde edilen sonuçlar literatürle kıyaslanarak tartışılmıştır.
Özet (Çeviri)
In this study ?Photo-induced Current Transient Spectroscopy-PICTS? technique has been used to investigate deep levels of undoped and modulation doped Ga1-yInyNxAs1-x / GaAs dilute nitride semiconductors. The temperature dependence of the current decay after the excitation pulses were studied and the activation energies (Ea) and capture cross sections ( ? ) of the deep levels were determined. Moreover, in order to determine contact quality I-V characterization of these samples has been achieved.The activation energies and capture cross sections of undoped annealed and as-grown Single Quantum Well (SQW) and Multi Quantum Wells (MQWs) were investigated and these results were compared among each other. Effects of thermal annealing on the samples were also investigated. Results obtain an the modulation doped sample was only as-grown sample, since there was no annealed sample available. Therefore, only the activation energies and capture cross sections of this sample were investigated. Obtained results were discussed and compared with those in the literature.
Benzer Tezler
- A^III B^III C_2^VI tabanlı yarıiletken cihazların kapasitans, dielektrik ve admitans spektroskopisi yöntemleriyle incelenmesi
Analysis of A^III B^III C_2^VI based semiconductor devices by capacitance, dielectric and admittance spectroscopy methods
SERDAR GÖREN
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
- Time-resolved spectroscopy on the carrier dynamics of BiVO4 photoanodes for solar water oxidation
Başlık çevirisi yok
ABDULLAH KAHRAMAN
Doktora
İngilizce
2020
EnerjiKoç ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ SARP KAYA
PROF. DR. ALPHAN SENNAROĞLU
- Lantanyum doplu TlInS2 tabanlı yarıiletkende polarizasyon efektleri ve derin seviyeli defektlerin parametreleri
Polarization effects and deep-level parameters of the TlInS2 based semiconductor with lantanium dopant
ELİF ORHAN KARGIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
- Optimization of zinc oxide based metal - semiconductor junction interface properties and applications for optoelectronic devices
Çinko oksit tabanlı metal – yarı iletken kavşak ara yüzey özelliklerinin eniyilenmesi ve optoelektronik aygıt uygulamaları
ABDURRAHMAN HALİS GÜZELAYDIN
Doktora
İngilizce
2024
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ ENVER TARHAN
- Molecular beam epitaxial growth and characterization of extended short wavelength infrared mercury cadmium telluride detectors
Uzatılmış kısa dalga boyu kızılötesi cıva kadmiyum tellür dedektörlerin moleküler ışın epitaksisi ile büyütülmesi ve karakterizasyonu
EMRAH ŞAŞMAZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ