Lantanyum doplu TlInS2 tabanlı yarıiletkende polarizasyon efektleri ve derin seviyeli defektlerin parametreleri
Polarization effects and deep-level parameters of the TlInS2 based semiconductor with lantanium dopant
- Tez No: 492591
- Danışmanlar: PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2018
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gebze Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 81
Özet
Lantanyum katkılı (yüksek hassasiyet ile-yüksek kaliteli üretilmiş) TlInS2 (TlInS2:La) ferroelektrik yarıliletken kristaller (Foton Yolu ile veya Foto- İndüklenmiş Geçici Akım Spektroskopisi) FİGAS yöntemi ile karakterize edilmiştir. Farklı safsızlık merkezleri belirlenmiş ve tanımlanmıştır. Kristallerin yapısında bulunan iç ve dış kusurların karakteristik parametrelerini belirleyebilmek için deneysel verilerin analizi yapılmıştır. Derin seviyeye yerleşmiş tuzakların yakalama tesir kesitleri ve (iyonlaşma-aktivasyon) enerji değerleri (farklı) ısıtma hızı metodu ile elde edilmiştir. Düşük sıcaklıklarda etkin olan (156K) ve aktivasyon enerjisi ile yakalama tesir kesiti sırası ile 0.29 eV ve 2.2 10 cm2 olan derin enerji seviyesi tuzağı BTE43'ün lantan katkısından kaynaklandığı ortaya konulmuştur. FİGAS ölçümlerine göre derin seviye tuzak merkezi B5, TlInS:La kristallerinin sahip olduğu uyumsuz faz bölgelerini içeren sıcaklık aralıklarında yapısal bozulmaya (düzensizleşmeye-düzen bozulmasına) bağlı çok büyük bir statik dielektrik sabite sahip olarak etkin hale gelmektedir. B5 için yapılan FİGAS simülasyonundan (modellemesinden) katkısız kristale özgü olan derin seviye tuzağının aktivasyon enerjisi 0.3 eV ve yakalama tesir kesiti ise 1.8×〖10〗^(-16) cm2 olarak belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
TlInS2 (TlInS2: La) ferroelectric semiconducting crystals (PICTS-Photo-Induced Current Transient Spectroscopy) with lanthanum doping (high precision produced) are characterized by the TSDC method. Different impurity centers have been identified and defined. Experimental data were analyzed to determine the characteristic parameters of internal and external defects in the structure of the crystals. The trapping cross-sections and (ionization-activation) energy values of the traps settled at the deep level were obtained by the various heating rate method. It has been demonstrated that the deep energy level trap BTE43, which is active at low temperatures (156 K), is 0.29 eV and 2.2 10 cm2, respectively, with activation energy and capture cross section order. According to the PICTS measurements, deep-level trap center B5 becomes active with a very large static dielectric constant due to the structural deterioration (disorder) in the temperature ranges including incommensurate phase regions of TlInS2: La crystals. The activation energy of the deep level trap, which is specific for the pure crystal, from the PICTS simulation (modeled) for B5 was determined as 0.3 eV and the capture effect cross section was 1.8x10- 16 cm2.
Benzer Tezler
- Nadir toprak elementlerinin iyon değiştirici reçinelerle ayrılmasında sodyum trimetafosfatın yeni bir elüent olarak incelenmesi
Investigation of sodium trimetaphosphate as a new eluting agent for the separation of rare earth elements by ion exchange resins
ŞANA KUTUN
- Lantanyum karbonat formülasyonlarının hazırlanması, ın-vıtro değerlendirilmesi ve biyoaktivite çalışmaları
Preparation of lanthanum carbonate formulations, in-vitroevaluation and bioactivity studies
ONUR PINARBAŞLI
Doktora
Türkçe
2018
Eczacılık ve FarmakolojiHacettepe ÜniversitesiBiyofarmasötik ve Farmakokinetik Bilim Dalı
PROF. DR. LEVENT ÖNER
- Lantanyum ilavesinin AZ91 alaşımının mekanik özelliklere etkisi
The effect of lanthanium addition on mechanical properties of AZ91 alloy
YUNUS EMRE KILIÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Metalurji MühendisliğiMersin ÜniversitesiNanoteknoloji ve İleri Malzemeler Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HÜSEYİN ŞEVİK
- Lantanyum (La) katkılı çinko oksit (ZnO) filmlerin büyütülmesi ve karakteristiklerinin incelenmesi
Growth of lanthanum (La) doped zinc oxide (ZnO) films and investigation of their characterizations
SAMAN HABASHYANI
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET YILMAZ
- Manyetik grafen oksit ile sulu çözeltilerden La (III) iyonlarının adsorpsiyonunun incelenmesi
Investigation of adsorption of La (III) ions from aqueous solutions by magnetic graphen oxide
ALPARSLAN ENES ORAL