RF saçtırma yötemiyle üretilen alüminyum nitrit (AIN) ince filmlerin bazı fiziksel özellikleri
Some physical properties of aliminium nitride (AIN) thin films produced by RF sputtering technique
- Tez No: 252912
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. SUAT PAT
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 92
Özet
Alüminyum nitrit (AlN) ilk 1877 yılında bulunmuş fakat 1980'li yıllara kadar yüksek termal iletkenlik özelliği sayesinde mikroelektronik uygulamalarda kullanılabileceği anlaşılamamıştır. AlN en çok kovalent bağ yapabilen maddelerdendir ve hexagonel kristal yapıya sahiptir. En çok optoelektronikte, yüksek termal iletkenlik gerektiren çiplerin yapımında, askeri uygulamalarda ve piezoelektrik özelliğinden dolayı silikon alt taşların üzerine kaplanarak yüzey akustik dalga sensörlerinin yapımında kullanılır.Bu çalışmada üretilen AlN ince filmler RF saçtırma yöntemi kullanılarak elde edilmiştir. Bu yöntemde hedef materyal olarak alüminyum kullanılmıştır. Çalışma gazı olarak ise argon ve azot gaz karışımı farklı yüzdelerde kullanılmıştır. Bu plazma ortamında alüminyum hedef malzemeden sökülen Al atomları, N2 atomları ile reaksiyona girerek alt taş üzerine AlN ince filmleri oluşturulmuştur.Farklı konsantrasyonlardaki gaz karışımlarına göre üretilen AlN ince filmlerin kalınlığı, absorbansı, geçirgenliği, sönüm katsayısı, kırılma indisi, yasak enerji aralığı, yüzey pürüzlülüğü ve yüzey görüntüsü incelenmiştir.Elde edilen sonuçlar incelendiğinde kullanılan gaz karışımı plazması içerisindeki Ar ve N2 gazı konsantrasyonuna bağlı olarak AlN ince filmlerin yapılarının değiştiği gözlenmiştir.
Özet (Çeviri)
Aluminium nitride (AlN) was first synthesized in 1877, but until the middle of the 1980s it was not realized that it could be used for applications in microelectronics due to its relative high thermal conductivity. AlN is one of the materials which can make much covalent bonds. AlN has got a hexagonal cristal structure. It is mostly used in optoelektronics, production of chips that require high thermal conductivity, military applications. It is also used in production of surface acoustic wave sensors covered by silicone plates as it has piezoelectric properties.In this study, AlN thin films were produced by using RF sputtering technique. The target material was aluminum square plate. For RF sputterig argon and nitrogen gas mixture was used at different percentages. In this mixed gas plasma the reaction between Al atoms from the target material and N2 atoms were formed AlN thin films on the substrate.Produced AlN thin films in different gas concentrations were investigated acording to their properties of thickness, absorbance, transmittance, extinction coefficient, refractive index, energy band gap, surface roughness and morphology.It was concluded from the obtained results that structure of AlN thin films depends on the concentration of Ar and N2 gases in the gas mixture plasma.
Benzer Tezler
- AlN katmanların fiziksel buhar biriktirme yöntemiyle üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of AlN layers via physcal vapor deposition method
HASAN SATILMIŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Metalurji MühendisliğiAfyon Kocatepe ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖMER FARUK EMRULLAHOĞLU
PROF. DR. ŞÜKRÜ TAKTAK
- Metal oksit ince filmlerin saçtırma tekniği ile üretimi karakterizasyonu ve gaz sensörü uygulamalarının araştırılması
Production and characterization of metal oxide thin films by sputtering technique and investigation of gas sensor applications
FATİH ŞENASLAN
Doktora
Türkçe
2022
Makine MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYHAN ÇELİK
- Nikel sülfür tabanlı hibrit süperkapasitör aygıt geliştirilmesi
Development of hybrid nickel sulfide-based supercapacitor device
OZAN ÖZTÜRK
Doktora
Türkçe
2024
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EMRE GÜR
- Bükülebilir kalkopirit ince film güneş pilleri için kontak dizaynı ve optimizasyonu
Back contact and transparent electrode optimization for flexible chalcopyrite thin film solar cells
ESMA UĞUR
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Mühendislik BilimleriTOBB Ekonomi ve Teknoloji ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NURDAN DEMİRCİ SANKIR
- Electrical characterization and gamma irradiation response of HFSIO4 metal oxide semiconductor (MOS) capacitors
HFSIO4 metal oksit yarıiletken (MOS) kapasitörlerin elektriksel karakterizasyonu ve gamma radyasyonu duyarlılıkları
RAMAZAN LÖK
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Bilim ve TeknolojiAbant İzzet Baysal ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSEYİN KARAÇALI