Silisyum yüzeyinde toplanan atom veya molekülün atomik ve elektronik özellikleri
Atomic and electronic properties of atom or moleculer adsorbed on Si surface
- Tez No: 258736
- Danışmanlar: PROF. DR. BORA ALKAN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ankara Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 147
Özet
Bu tezde, Si(001) ve Si(111) yüzeyleri üzerine fosfor (P) atom ve fosfin (PH3) molekülünün tutunması çalışıldı. Bu bağlamda, Si(001)?(1x2), PH3/Si(001)?(1x2), P/Si(001)?(1x2), P/H/Si(001)?(1x2), Si(001)?(2x2), PH3/Si(001)?(2x2), P/Si(001)?(2x2), Si(111)?(2x1) ve P/Si(111)?(2x1) yüzeylerinin atomik ve elektronik yapısı, sözde-potansiyel ve yoğunluk fonksiyonel teorisine dayanan ab-initio hesaplamaları ile incelendi. Ele alınan her bir model için yapısal anahtar parametreler hesaplandı. Hesaplamalar sonunda kararlı yapılara karşı gelen yüzey enerji bant yapısı çizildi. Ayrıca temel bant aralığında bulunan her bir yüzey bileşeninin kaynağını belirlemek için elektronik toplam ve kısmi yük yoğunlukları çizildi. Elde edilen sonuçlar literatürde bulunan deneysel ve teorik sonuçlarla karşılaştırıldı.
Özet (Çeviri)
In this thesis, adsorption of the phosphorus (P) atom and phosphine (PH3) molecule on the Si(001) and Si(111) surfaces have been studied. In this context, atomic and electronic structures of Si(001)?(1x2), PH3/Si(001)?(1x2), P/Si(001)?(1x2) P/H/Si(001)?(1x2), Si(001)?(2x2), PH3/Si(001)?(2x2), P/Si(001)?(2x2), Si(111)?(2x1) and P/Si(111)?(2x1) surfaces have been investigated by ab?initio calculations based on pseudopotential and density functional theory. Structural key parameters have been calculated for each model that has been considered. Surface energy band structures corresponding to the stable geometries have been plotted after calculations. Total and partial electronic charge densities have also been plotted to determine the source of each surface component taking place on the fundamental band gap. Results obtained have been compared with experimental and theoretical findings cited in the literature.
Benzer Tezler
- Yüksek Si içeriğine sahip Fe-Si alaşımlarının üretiminde alternatif bir yöntem: Ergimiş tuz elektrolizi
An alternatif method in production of high Si content Fe-Si alloys: Molten salt electrolysis
OĞUZ KAĞAN COŞKUN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERVET İBRAHİM TİMUR
- Silisyum yüzeyinde ibuprofen baskılı poli(n-[2-hidroksipropil] metakrilamit) ince filmlerin hazırlanması
Preparation of ibuprofen imprinted poly(n-[2-hydroxylpropyl] methacrylamide) thin films on the silicon surface
ERTAN YİLDİRİM
- Temiz silisyum yüzeyinde düzen-düzensizlik faz geçişi için genişletilmiş ısıng modeli hamıltonyeni
The extended model hamiltonian for order-disorder phase transition on the clean Si(001) surface
HACER ÇELEBİ
Doktora
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BÜLENT KUTLU
- Mikro işlenmiş kristal silisyum yüzeyinde gözenekli silisyum üretilmesi ve karakterizasyonu
Formation and characterization of porous silicon on a micro-machined monocrystalline silicon surface
KUTAY APAYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SÜREYYA AYDIN YÜKSEL
- Escherichia coli ve enterococcus faecalis bakterilerinin gözenekli silisyum yüzeyinde depolanmasında elektrik alanın etkisi
Effect of electrical field in storage of eschericia coli and enterococcus faecalis bacteria on the porous si̇li̇con surface
SEVİNÇ GÜLER
Doktora
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ