SILAR yöntemi ile ZnO yarıiletken filminin elde edilmesi ve bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Production of ZnO semiconductor film by SILAR method and investigation of some physical properties
- Tez No: 266548
- Danışmanlar: DOÇ. DR. METİN KUL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 73
Özet
Bu çalışmada II-VI bileşiklerinden olan ZnO yarıiletken filmleri SILAR (Ardışık İyonik Tabaka Adsorpsiyon ve Reaksiyonu) yöntemi ile cam tabanlar üzerinde 5, 7, 10, 20, 25 ve 30 turlar sonucunda elde edilmiştir. Elde edilen filmlerin x-ışınları kırınım desenlerinden filmlerin kristal yapısının hekzagonal (wurtzite) olduğu belirlenmiştir. ZnO yarıiletken filmlerin tanecik boyutlarının 15,46 ?19,80 nm arasında değiştiği hesaplanmıştır. Absorpsiyon spektrumlarından direkt bant geçişli oldukları ve yasak enerji aralıklarının 3,13 ile 3,21 eV arasında değiştiği görülmüştür. Film kalınlığı arttıkça absorpsiyon sınırı kırmızı dalgaboyuna doğru kayma (red-shift) göstermiştir. Farklı tur sayılarında elde edilen ZnO yarıiletken filmlerinin optik geçirgenlik yüzdelerinin % 18 ile % 67 arasında bulunduğu tespit edilmiştir.
Özet (Çeviri)
In this work, ZnO semiconducting films belonging to the II-VI group have been produced by SILAR (Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction) method on glass substrate with 5, 7, 10, 20, 25 and 30 cycles. The x-ray diffraction of the films showed that they are hegzagonal (wurtzite) in structure. Grain size of ZnO semiconductor films varied between 15,46 ? 19,80 nm accordingly with the number of SILAR cycles. The material has exhibited direct band gap transition with the band gap values lying in the range between 3,13 ? 3,21 eV. Absorbation edge is red shift in thicker films. Transmission percents of ZnO semiconductor films varied between % 18 to % 67 accordingly with the number of cycles.
Benzer Tezler
- Preparation of indium tin oxide thin films and investigation of hydrogen post-treatment effect
İndiyum kalay oksit ince filmlerin hazırlanması ve hidrojen ile indirgeme etkisinin incelenmesi
GÖKÇEN GÖKÇELİ
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN YAVUZ
- Self-cleaning solar cell coatings based on TiO2/ZnO nanocomposite photocatalyst
TiO2/ZnO nanokompozit fotokatalizöre dayalı kendi kendini temizleyen güneş pili kaplamaları
MOHANAD HASAN HAMDAN AL SAEDI
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
EnerjiAnkara ÜniversitesiEnerji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÖZCAN KÖYSÜREN
- ZnO/ERGO Nanokompozit Elektrotların PbS, PbTe, Bi2Te3, PbS/CdS, PbTe/CdS ve Bi2Te3/CdS Kuantum parçacıklar ile dekore edilmesi, karakterizasyonu ve QDSSC'lerde uygulamaları
Decoration of ZnO/ERGO nanocomposite electrodes with PbS, PbTe, Bi2Te3, PbS/CdS, PbTe/CdS, and Bi2Te3/CdS quantum dots, characterization and applications in QDSSC
EFTADE PINAR GÜR
- Çinko oksit ince filmlerin kemometrik yaklaşımla üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of zinc oxide thin films with a chemometric approach
ÖMER OTUZBİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
KimyaHatay Mustafa Kemal ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YASİN YÜCEL
- Investigation of the effect of nickel doped on the structural surface and optical properties of zno thin films prepared by the silar method
Sılar metodu ile hazırlanan fto/zno ince filmlerinin yapısal yüzeysel ve optik özellikleri üzerinde nikel katkısının etkisinin incelenmesi
AMMAR HAMDAN DHEYAB DHEYAB
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇankırı Karatekin ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ İLKER KARA