Yoğun lazer alanı altında GaInNAs/GaAs kuantum kuyularındaki donor safsızlık atomlarının bağlanma enerjileri
The binding energies of donor impurities in GaInNAs/GaAs quantum wells under the intense laser field
- Tez No: 269322
- Danışmanlar: PROF. DR. ESİN KASAPOĞLU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 149
Özet
Bu çalışmanın ilk aşamasında külçe yarıiletkenler için k.p teorisi hakkında genel bilgiler verilmiştir. İkinci aşamasında yarıiletken kuantum kuyularının bant yapısı çoklu bant etkin kütle yaklaşımı (k.p teorisi) ile tanımlanarak çiftlenimli bantların sonlu elemanlar yöntemi (FEM) ile nasıl çözüleceği üzerinde durulmuştur. Sonlu elemanlar yöntemi ile GaxIn1-xNyAs1-y /GaAs tek kuantum kuyusunun iletkenlik ve valans alt bant yapısı üzerine azot ve indiyum konsantrasyonlarının etkisi hesaplanmıştır. Daha sonra GaxIn1-xNyAs1-y /GaAs tek kuantum kuyusundaki safsızlık atomlarının bağlanma enerjileri üzerine kuyu genişliği, azot ve indiyum konsantrasyonlarının etkisi incelenmiştir. Son olarak da, farklı azot ve indiyum konsantrasyonları için GaxIn1-xNyAs1-y /GaAs tek kuantum kuyusunun potansiyel profilleri, alt bant enerjileri ve donor safsızlık bağlanma enerjileri üzerine yoğun lazer alanının etkisi hesaplanmıştır.
Özet (Çeviri)
In the first stage of this study, general information about k.p theory for bulk semiconductors presented. In the second stage, the band structure of semiconductor quantum wells defined with multi band effective mass approximation (k.p theory) and the solution methods are discussed for degenerated bands by using the finite element method (FEM). The effects of nitrogen and indium concentration on the conduction and valence band structure of a single GaxIn1-xNyAs1-y /GaAs quantum well is calculated with finite element method. Then, the effects of well width, nitrogen and indium concentrations on the binding energies of donor impurities in a single GaxIn1-xNyAs1-y /GaAs quantum well are investigated. Finally, the effect of intense laser field on the potential profile, sub-band energy and the binding energy of donor impurity a single GaxIn1-xNyAs1-y /GaAs quantum well is calculated.
Benzer Tezler
- Gıda örneklerine hedefli kapiler elektroforez-lazer indüklenmiş floresans tekniği ile yeni analiz yöntemleri geliştirilmesi
Development of novel capillary electrophoresis - laser induced fluorescence techniques for the analysis of food samples
FİLİZ TEZCAN TEKELİ
- Mikro işlenmiş kristal silisyum yüzeyinde gözenekli silisyum üretilmesi ve karakterizasyonu
Formation and characterization of porous silicon on a micro-machined monocrystalline silicon surface
KUTAY APAYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SÜREYYA AYDIN YÜKSEL
- Farklı yöntemlerle titanyum alüminyum intermetalik kaplama oluşturulması
Formation of titanium aluminium intermetallic coatings by different methods
OKAN GÖK
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSEYİN ÇİMENOĞLU
- Gebze Menzilhane hamamı restorasyon projesi
The restoration project of Gebze Menzilhane bath
İLAYDA İKBAL ŞAN YAMEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Mimarlıkİstanbul Teknik ÜniversitesiMimarlık Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ SAKİNE YILDIZ SALMAN
- Mikrobiyal modelle hazırlanan mine çürük lezyonunun erken safhada teşhis edilmesinde ve remineralizasyonun belirlenmesinde çeşitli metotların etkinliklerinin değerlendirilmesi
Evaluation of different methods on early diagnosis of enamel caries lesions induced by microbial caries model and determination of remineralization
FUNDA ÖZTÜRK BOZKURT
Doktora
Türkçe
2003
Diş HekimliğiMarmara ÜniversitesiDiş Hastalıkları ve Tedavisi Ana Bilim Dalı
PROF.DR. FUNDA ÇALIŞKAN YANIKOĞLU