GaInNAs/GaAs kuantum kuyularında ekzitonik yapının yoğun lazer alanı altındaki davranışı
The features of the excitonic structure in GaInNAs/GaAs quantum wells under the intense laser field
- Tez No: 269321
- Danışmanlar: PROF. DR. HÜSEYİN SARI
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 166
Özet
Bu çalışmanın ilk aşamasında külçe yarıiletkenler için k.p teorisi, etkin kütle yaklaşımı( zarf fonksiyonu yaklaşımı ) ve sonlu elemanlar yöntemi (FEM) hakkında genel bilgiler verilmiştir. İkinci aşamasında, yarıiletken kuantum kuyularının bant yapısı çoklu bant etkin kütle yaklaşımı (k.p teorisi) ile tanımlanarak çiftlenimli bantların sonlu elemanlar yöntemi (FEM) ile nasıl çözüleceği üzerinde durulmuştur. Sonlu elemanlar yöntemi ile GaxIn1-xNyAs1-y /GaAs kuantum kuyusunun iletkenlik ve valans alt bant yapısı üzerine azot ve indiyum konsantrasyonlarının etkisi hesaplanmıştır. Daha sonra GaxIn1-xNyAs1-y /GaAs kuantum kuyusunun potansiyel profilleri ve alt bant enerjileri üzerine yoğun lazer alanının etkisi incelenmiştir. Son olarak da, GaxIn1-xNyAs1-y /GaAs kuantum kuyusunda taban durumdaki ekziton bağlanma enerjisinin yoğun lazer alanı, farklı azot ve indiyum konsantrasyonları ile değişimi etkin kütle yaklaşımı çerçevesinde varyasyonel yöntemle incelenmiştir.
Özet (Çeviri)
In the first stage of this study, general information about the k.p theory for bulk semiconductors, effective mass approximation, and finite elements method (FEM) is presented. In the second stage, the band structure of semiconductor quantum wells are defined via multi band effective mass approximation (k.p theory) and the solution methods are discussed for degenerated bands by using the finite element method (FEM). The effects of nitrogen and indium concentration on the conduction and valence sub-band structure of the GaxIn1-xNyAs1-y /GaAs quantum well is calculated with the finite element method. Then, the effects of intense laser field on the potential profiles of the GaxIn1-xNyAs1-y /GaAs single quantum well and sub-band energies are investigated. Finally, the effects intense laser field, nitrogen and indium concentrations on the on the binding energy of the ground level exciton in GaxIn1-xNyAs1-y /GaAs quantum well are investigated variationally by using effective mass approximation .
Benzer Tezler
- GaInNAs/GaAs kuantum kuyularında hidrojenik düzeyler arasında kızılötesi geçişler
Infrared transitions between hydrogeni̇c states in GaInNAs/GaAs quantum wells
EMRE BAHADIR AL
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSEYİN SARI
- Yoğun lazer alanı altında GaInNAs/GaAs kuantum kuyularındaki donor safsızlık atomlarının bağlanma enerjileri
The binding energies of donor impurities in GaInNAs/GaAs quantum wells under the intense laser field
FATİH UNGAN
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiKatıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ESİN KASAPOĞLU
- Band-offset ratio calculations of nitrogen containing III-V quantum wells
Nitrojen içeren III-V kuantum kuyularının bant-derinlik oranının hesaplanması
FATMA KOÇAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BEŞİRE GÖNÜL
- Üçlü GaAlAs/GaAs ve Gainas/GaAs nano yapıların elektronik özellikleri
Electronic properties of triple GaAlAs/GaAs and Gainas/GaAs nano structures
OZAN ÖZTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiNanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Modülasyon katkılı GaInNAs/gaas kuantum kuyusu yapıların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmes
Investigation of optical and electrical properties of modulation doped gainnas/GaAs quantum well structures
FAHRETTİN SARCAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AYŞE EROL