GaInNAs/GaAs kuantum kuyularında ekzitonik yapının yoğun lazer alanı altındaki davranışı
The features of the excitonic structure in GaInNAs/GaAs quantum wells under the intense laser field
- Tez No: 269321
- Danışmanlar: PROF. DR. HÜSEYİN SARI
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 166
Özet
Bu çalışmanın ilk aşamasında külçe yarıiletkenler için k.p teorisi, etkin kütle yaklaşımı( zarf fonksiyonu yaklaşımı ) ve sonlu elemanlar yöntemi (FEM) hakkında genel bilgiler verilmiştir. İkinci aşamasında, yarıiletken kuantum kuyularının bant yapısı çoklu bant etkin kütle yaklaşımı (k.p teorisi) ile tanımlanarak çiftlenimli bantların sonlu elemanlar yöntemi (FEM) ile nasıl çözüleceği üzerinde durulmuştur. Sonlu elemanlar yöntemi ile GaxIn1-xNyAs1-y /GaAs kuantum kuyusunun iletkenlik ve valans alt bant yapısı üzerine azot ve indiyum konsantrasyonlarının etkisi hesaplanmıştır. Daha sonra GaxIn1-xNyAs1-y /GaAs kuantum kuyusunun potansiyel profilleri ve alt bant enerjileri üzerine yoğun lazer alanının etkisi incelenmiştir. Son olarak da, GaxIn1-xNyAs1-y /GaAs kuantum kuyusunda taban durumdaki ekziton bağlanma enerjisinin yoğun lazer alanı, farklı azot ve indiyum konsantrasyonları ile değişimi etkin kütle yaklaşımı çerçevesinde varyasyonel yöntemle incelenmiştir.
Özet (Çeviri)
In the first stage of this study, general information about the k.p theory for bulk semiconductors, effective mass approximation, and finite elements method (FEM) is presented. In the second stage, the band structure of semiconductor quantum wells are defined via multi band effective mass approximation (k.p theory) and the solution methods are discussed for degenerated bands by using the finite element method (FEM). The effects of nitrogen and indium concentration on the conduction and valence sub-band structure of the GaxIn1-xNyAs1-y /GaAs quantum well is calculated with the finite element method. Then, the effects of intense laser field on the potential profiles of the GaxIn1-xNyAs1-y /GaAs single quantum well and sub-band energies are investigated. Finally, the effects intense laser field, nitrogen and indium concentrations on the on the binding energy of the ground level exciton in GaxIn1-xNyAs1-y /GaAs quantum well are investigated variationally by using effective mass approximation .
Benzer Tezler
- Laplace derin seviye geçiş spektroskopisi (LDLTS) yöntemi ile kusur karakterizasyonu
Defect characterization using laplace deep level transient spectroscopy (LDLTS) technique
ÖMER GÖKSEL ERBAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YAŞAR GÜRKAN ÇELEBİ
- Effect of nitrogen incorporation into GaInAs/GaAs grown on (111) substrates
(111) yönünde büyütülmüş GaInAs/GaAs sisteminde azot katkılamanın etkileri
MEHMET KAYA
Yüksek Lisans
İngilizce
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BEŞİRE GÖNÜL
- Azot içeren düşük boyutlu yarıiletkenlerde foto olayların incelenmesi
An investigation of the photo effects in nitrogen containing low dimensional semiconductor
NAMIK AKÇAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NURTEN ÖNCAN
- A theoretical analysis of GaInNAs/GaAs quantum vells for long wavelength emission
GaInNAs/GaAs uzun dalgaboylu kuantum kuyu lazerlerin teorik olarak incelemmesi
MURAT ODUNCUOĞLU
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. BEŞİRE GÖNÜL