Geri Dön

Metal/III-V yarıiletken schottky diyotların karakteristik parametrelerinin deneysel ve teorik olarak hesaplanması

Experimental and theoretical calculating of the characteristic parameters of metal/III-V semiconductor schottky diodes

PDF İndir

  1. Tez No: 269329
  2. Yazar: SERDAR KOÇKANAT
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. HÜLYA DOĞAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Electrical and Electronics Engineering, Physics and Physics Engineering, Engineering Sciences
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 77

Özet

Bu çalışmamızda 300-400?m kalınlıkta, [100] doğrultusunda büyütülmüş, yaklaşık olarak 7,3x1015 cm-3 taşıyıcı yoğunluğuna sahip olan ve iki yüzü parlatılmış n-GaAs yarıiletkeni kullanılmıştır. Yarıiletken üzerine omik kontak işleminden sonra, numunemiz laboratuar ortamında 3 gün boyunca bekletilerek arayüzeyde bir oksit tabakası oluşması sağlandı. Daha sonra bu numune tekrar vakum ortamına alınarak ve onun ön yüzeyine yaklaşık 1,5 mm çapında maske kullanılarak kimyasal temizleme işlemi yapılmış olan nikel buharlaştırıldı. Böylece, altı adet arayüzey oksit tabakalı Ni/n-GaAs/In Schottky diyot elde edilmiş oldu. Daha sonra, Ni/n-GaAs/In Schottky diyotların akım-gerilim (I-V) ölçümleri alındı. Bu numune daha sonra 200°C, 300°C, 400°C, 500°C, 600°C'de azot gazı ortamında 1'er dakika tavlandı ve her bir tavlama işleminden sonra diyotların akım-gerilim ölçümleri tekrar alındı. Alınan bu değerlere göre çizilen grafiklerden n idealite faktörleri ve ? b engel yükseklikleri sırasıyla yarı logaritmik olarak doğru besleme I-V grafiklerinin lineer kısımlarının eğimlerinden ve y eksenini kesen noktalarından bulundu. Seri direnç etkisi Cheung ve Norde fonksiyonları yardımıyla idealite faktörleri, etkin engel yükseklikleri ve seri direnç değerleri gibi diyot parametreleri hesaplandı.

Özet (Çeviri)

In this study, the used n-type GaAs wafer (Si doped) was (100) oriented, with free carrier concentration of 7.3x 1015 cm-3 and 300-400?m witdh at room temperature. After the back side ohmic contact was made on the semiconductor sample, it has been waited to create an oxide layer interface for 3 days in the lab. These samples are taken back to the vacuum environment and the Schottky contacts were formed on the front face of the pieces as dots with diameter of about 1.5 mm by evaporation of Ni. Thus we have obtained six Ni/n-GaAs/In Schottky Diodes with native oxide interface layer. Then the current?voltage (I?V) characteristics of Ni/n-GaAs/In Schottky diodes were measured. The diodes were annealed from 2000C to 6000C with steps of 1000C for 1 min in N2 atmosphere. After each annealing steps the current-voltage measurements of Schottky diodes were repeated. The characteristics of Schottky diodes have been plotted. n ideality factors and ? b barrier height values have been obtained from the slopes of linear parts of semilog-forward bias I-V plots and linear parts of intercepting point of the y-axis, respectively. Series resistance values have been calculated using Cheung and Norde functions. Series resistance, ideality factors and effective barrier heights were calculated using these functions obtained from forward bias I-V characteristics.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    177638

    Au, Cu ve Al/n-InP Schottky eklemlerin karakteristik parametrelerinin belirlenmesi

    The determination of characteristic parameters of Au, Cu and Al/n-InP Schottky contacts

    HİDAYET ÇETİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. ENİSE AYYILDIZ

  2. Tez No

    341666

    Metal/III-V yarıiletken n-GaAs metal doğrultucu kontakların numune sıcaklığına bağlı diyot karakteristiklerinin bazı metotlarla irdelenmesi

    Investigation by means of some methods of temperature-dependent diode characteristics of metal/III-V semiconductor n-GaAs rectifying contacts

    DURMUS ALİ ALDEMİR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ KÖKCE

  3. Tez No

    287383

    Plasmonically enhanced silicon infrared schottky detector

    Plazmonik yapılarla geliştirilmiş silikon kızılötesi schottky algılayıcı

    KAZIM GÜRKAN POLAT

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2011

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY

  4. Tez No

    5884

    Amorf silisyum güneş pillerinde 'degrading' olayının incelenmesi

    Degradation of amorphous silicon solar cells

    TÜLAY SERİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1988

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ARSIN AYDINURAZ

  5. Tez No

    33517

    III-V grubu bileşiklerin elektrik / elektronik özelliklerine dislokasyonların elastik zorlanma enerjisinin etkisinin incelenmesi

    The examination of effects of the elastic strain energy of dislocations on electri-city / electronic properties of III-V group compounds

    YILDIRIM AYDOĞDU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET CEYLAN

Geri Dön